集成电路器件制造技术

提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括：位于基底上的下电极，下电极包括第一下电极部分和第二下电极部分，第一下电极部分沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸并且包括第一主区域和第一顶区域，第二下电极部分在第一下电极部分上沿第一方向延伸并且包括第二主区域和第二顶区域；第一顶支撑图案，围绕第一下电极部分的第一顶区域的侧壁的至少一部分；以及第二顶支撑图案，围绕第二下电极部分的第二顶区域的侧壁的至少一部分，第二下电极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件
[0001]本申请要求于2020年3月18日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0033309号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]专利技术构思涉及一种集成电路器件和一种制造该集成电路器件的方法，更具体地，涉及一种包括电容器结构的集成电路器件和一种制造该包括电容器结构的集成电路器件的方法。

技术介绍

[0003]由于集成电路器件的缩小，包括在这种集成电路器件中的电容器结构的尺寸也在减小。因此，尽管电容器结构的尺寸减小，但是具有增大的电容和改善的电性质的器件的开发是有益的。

技术实现思路

[0004]专利技术构思涉及提供集成电路器件，该集成电路器件包括具有相对大的高度的下电极，同时即使当多个下电极之间的距离相对小时也减少多个下电极之间的桥接故障。
[0005]专利技术构思涉及提供制造集成电路器件的方法，该集成电路器件包括具有相对大的高度的下电极，同时即使当多个下电极之间的距离相对小时也减少多个下电极之间的桥接故障。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极，位于基底上，下电极包括：第一下电极部分，沿垂直于基底的顶表面的第一方向延伸，并且包括第一主区域和第一顶区域；以及第二下电极部分，在第一下电极部分上沿第一方向延伸，并且包括第二主区域和第二顶区域；第一顶支撑图案，围绕第一下电极部分的第一顶区域的侧壁的至少一部分；以及第二顶支撑图案，围绕第二下电极部分的第二顶区域的侧壁的至少一部分，第二下电极部分包括向外突出到第二顶支撑图案的突起。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第二下电极部分包括位于第二主区域的侧壁处的台阶部分。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：第一中间支撑图案，围绕第一下电极部分的第一主区域的侧壁的至少一部分；以及第二中间支撑图案，围绕第二下电极部分的第二主区域的侧壁的至少一部分，其中，第二下电极部分包括向外突出到第二中间支撑图案的突起。4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第一下电极部分包括向外突出到第一顶支撑图案的突起，并且第一下电极部分包括位于第一主区域的侧壁处的台阶部分。5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第二顶支撑图案限定第二模制开口，并且第二下电极部分在第二顶区域中包括倾斜表面，其中，倾斜表面被第二模制开口暴露并且不被第二顶支撑图案围绕。6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第一顶支撑图案限定第一模制开口，并且第一下电极部分在第一顶区域中包括倾斜表面，其中，倾斜表面被第一模制开口暴露并且不被第一顶支撑图案围绕。7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，第二下电极部分的底部相对于第一下电极部分的倾斜表面向外突出。8.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：第一间隔件，布置在第一顶支撑图案与第一下电极部分的第一顶区域之间；以及第二间隔件，布置在第二顶支撑图案与第二下电极部分的第二顶区域之间。9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，第一间隔件的顶表面与第一顶支撑图案的顶表面处于同一水平，并且第一间隔件的底表面与第一顶支撑图案的底表面处于同一水平。10.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，第一间隔件的与第一顶支撑图案的顶表面在同一水平处的水平宽度大于第一间隔件的与第一顶支撑图案的底表面在同一水平处的水平宽度。11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第一下电极部分包括第一缝区域，第一缝区域沿第一方向延伸，并且第二下电极部分包括第二缝区域，第二缝区域沿第一方向延伸并且不连接到第一缝区域。
12.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极，布置在基底上，下电极包括：第一下电极部分，沿垂直于基...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔允荣，朴相在，李东均，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：