半导体结构及其形成方法、存储器技术

本申请实施例公开了一种半导体结构及其形成方法、存储器。其中，半导体结构，包括：衬底；沟道，位于所述衬底内，所述沟道内用于形成栅极结构；凸部，设于所述沟道的内壁。本申请实施例能够增大沟道长度、解决短沟道效应。解决短沟道效应。解决短沟道效应。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法、存储器


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。

技术介绍

[0002]本申请对于
技术介绍
的描述属于与本申请相关的相关技术，仅仅是用于说明和便于理解本申请的申请内容，不应理解为申请人明确认为或推定申请人认为是本申请在首次提出申请的申请日的现有技术。
[0003]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称:DRAM)是一种广泛应用于手机、电脑、汽车等电子产品中的半导体存储器。DRAM制程的难易与尺寸有关，尺寸越来越小，难度也越来越大。未来DRAM制程技术将在10
‑
15nm左右，这对产品电性要求非常严格。DRAM有源区的栅极采用埋入式，埋入式栅极一般尺寸小，尺寸越小越容易出现短沟道效应。
[0004]当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管会出现阈值电压减小，这是因为当沟道长度减小到一定程度后，源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大，栅下面的硅表面形成反型层所需的电荷量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；沟道，位于所述衬底内，所述沟道内用于形成栅极结构；凸部，设于所述沟道的内壁。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述凸部包括设于所述沟道的底壁的第一凸部，所述第一凸部与所述沟道的两侧壁之间分别形成浅沟槽。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一凸部为至少两个，至少两个所述第一凸部在垂直于所述沟道的两侧壁的方向上间隔设置。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中，所述凸部包括设于所述沟道的侧壁的第二凸部，所述沟道的至少一个侧壁设有所述第二凸部。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，每一侧壁上的所述第二凸部为至少两个，每一侧壁上的至少两个所述第二凸部在所述沟道的深度方向上间隔设置。6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述沟道的两个侧壁分别设有所述第二凸部，所述沟道的两个侧壁上的所述第二凸部相对设置。7.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一凸部凸出于所述沟道的底壁10
‑
30nm，所述第一凸部的宽度为5
‑
10nm。8.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第二凸部凸出于所述沟道的侧壁2
‑
6nm；所述第二凸部在所述沟道深度方向的尺寸为20
‑
60nm；所述第二凸部距离所述衬底表面10
‑
60nm。9.一种存储器，其特征在于，其包括权利要求1
‑
8任一项所述的半导体结构。10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成沟道；在所述沟道的内壁上形成凸部。11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述沟道的内壁上形成凸部包括：在所述沟道的底壁上形成第一凸部，所述第一凸部与所述沟道的两侧壁之间分别形成浅沟槽。12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，在所述沟道的内壁上形成凸部包括：在所述沟道的至少一个侧壁上形成第二凸部。13.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述沟道的底壁上形成第一凸部包括：在所述沟道的内壁形成一层第一牺牲层；去除底部的所述第一牺牲层，露出所述沟道的底壁；在露出的所述底壁上形成第一延伸层；去除部分所述第一延伸层，使剩余的所述第一延伸层凸出于所述沟道的底壁第一高度；去除所述第一牺牲层。14.根据权利要求13所述的方法，其中，去除底部的所述第一牺牲层，露出所述沟道的底壁，包括：间隔去除底部的所述第一牺牲层，使所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：宛伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：