半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体存储装置，其特征在于包含一衬底，定义有一存储区以及一相邻的外围区，多条位线设置在该衬底上，并且沿着一第一方向排列，其中各该位线包含有一导电部分，且该位线包含有四个侧壁，一间隙壁环绕该位线的四个侧壁，其中该间隙壁包含有两个短间隙壁覆盖于该导电部分的两个末端，以及两个长间隙壁覆盖于该导电部分的两个长侧边，以及多个接触隔绝块，位于任两相邻的位线之间，其中至少有一部分的接触隔绝块覆盖于该间隙壁的正上方。本发明专利技术的结构可以提高电性隔离效果，优选避免漏电流的产生，提高组件质量。提高组件质量。提高组件质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置，尤其是涉及具有特殊排列的接触隔绝块的一种半导体存储装置。

技术介绍

[0002]随着各种电子产品朝小型化发展之趋势，动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度之要求。对于一具备凹入式闸极结构之DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构之漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构之DRAM单元。
[0003]一般来说，具备凹入式闸极结构之DRAM单元会包含一晶体管组件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术之故，现有具备凹入式闸极结构之DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器组件之效能及可靠度。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种半导体存储装置，其特征在于包含一衬底，定义有一存储区以及一相邻的外围区，多条位线设置在该衬底上，并且沿着一第一方向排列，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：一衬底，定义有一存储区以及一相邻的外围区；多条位线设置在该衬底上，并且沿着一第一方向排列，其中各该位线包含有一导电部分，且该位线包含有四个侧壁；一间隙壁环绕该位线的四个侧壁，其中该间隙壁包含有两个短间隙壁覆盖于该导电部分的两个末端，以及两个长间隙壁覆盖于该导电部分的两个长侧边；以及多个接触隔绝块，位于任两相邻的位线之间，其中至少有一部分的接触隔绝块覆盖于该间隙壁的正上方。2.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，其中该长间隙壁还包含一第一长间隙壁与一第二长间隙壁，该第二长间隙壁覆盖于该第一长间隙壁的外侧，且其中该第一长间隙壁的高度大于该第二长间隙壁的高度。3.依据权利要求第2项所述之半导体存储装置，其特征在于，该短间隙壁的高度大于该第二长间隙壁的高度，但该短线隙壁的高度小于该第一长间隙壁的高度。4.依据权利要求第1项所述之半导体存储装置，其特征在于，其中位于该外围区内，包含有一接触隔绝块，至少接触并包覆一个该短间隙壁。5.依据权利要求第4项所述之半导体存储装置，其特征在于，其中接触该短间隙壁的该接触隔绝块，也同时接触一部分的该两个长间隙壁。6.依据权利要求第4项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，洪士涵，冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：