半导体基底的制备方法及半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体基底的制备方法及半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成有源区与隔离沟槽；在隔离沟槽中以及有源区的表面沉积绝缘氧化物，其中，位于隔离沟槽中的绝缘氧化物为隔离结构，位于隔离结构的表面和有源区的表面的绝缘氧化物为隔离层；去除隔离层，使隔离结构的表面与有源区的表面平齐；蚀刻有源区至一预设深度，形成有源凹槽；在有源凹槽中外延生长半导体衬底，使有源区的表面与隔离结构的表面平齐。本发明专利技术的制备方法能够消除隔离结构与隔离沟槽的应力，保证了有源区不会受到应力破坏而产生缺陷或裂缝，同时避免影响器件的沟道中载流子的迁移率而影响器件性能，提高了半导体器件的良率。提高了半导体器件的良率。提高了半导体器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体基底的制备方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体基底的制备方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体器件在制备过程中，通常在半导体衬底中形成有源区和位于有源区之间的隔离区，形成隔离区一般采用浅沟槽隔离工艺形成浅沟槽，向浅沟槽中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离(STI)。
[0003]由于浅沟槽隔离的材料与半导体衬底材料不同，二者的热膨胀系数不同，因此，在进行STI工艺时，会产生一定的应力。该应力通常会对半导体衬底的结构产生破坏，如会在有源区形成缺陷或裂缝，或者影响器件的沟道中载流子的迁移率，进而影响器件性能等，影响半导体器件的良率。
[0004]在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一个主要目在于提供一种半导体基底的制备方法，在形成隔离结构后能够消除应力，避免半导体基底的受损，提高半导体基底的良率。
[0006]本专利技术的另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基底的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成有源区与隔离沟槽；在所述隔离沟槽中以及所述有源区的表面沉积绝缘氧化物，其中，位于所述隔离沟槽中的绝缘氧化物为隔离结构，位于所述隔离结构的表面和所述有源区的表面的绝缘氧化物为隔离层；去除所述隔离层，使所述隔离结构的表面与所述有源区的表面平齐；蚀刻所述有源区至一预设深度，形成有源凹槽；在所述有源凹槽中外延生长所述半导体衬底，使所述有源区的表面与所述隔离结构的表面平齐。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设深度为0.03～0.3μm。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设深度为0.15μm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘氧化物为氧化硅或氮氧化硅。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述绝缘氧化物采用的工艺为原子层沉积、化学气相沉积和旋涂中的至少一种。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为8～15nm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述隔离层采用的工艺为化学机械研磨或湿法蚀刻。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨航，全钟声，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：