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本发明提供一种半导体基底的制备方法及半导体器件。该方法包括：在半导体衬底上形成有源区与隔离沟槽；在隔离沟槽中以及有源区的表面沉积绝缘氧化物，其中，位于隔离沟槽中的绝缘氧化物为隔离结构，位于隔离结构的表面和有源区的表面的绝缘氧化物为隔离层；去...
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