半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供基底；于基底上形成多个相互分立的第一掩膜层；形成若干侧墙层，每一侧墙层环绕一个第一掩膜层，每一侧墙层与其余距离最近的侧墙层相连，多个相连的侧墙层背向第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔，初始第一通孔具有倒角；去除第一掩膜层，每一侧墙层围成第二通孔；去除第一掩膜层后，形成修复层，修复层位于侧墙层背向第二通孔的侧壁；修复层还填充于初始第一通孔的倒角，以形成第一通孔；沿第一通孔和第二通孔刻蚀基底，以形成位于基底内的电容孔。本发明专利技术实施例能够提高半导体结构的良率。施例能够提高半导体结构的良率。施例能够提高半导体结构的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器，其主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特(bit)。
[0003]现目前通常采用自对准双重成像技术(Self
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aligned Double Patterning,SADP)形成电容。其一般需要形成两层掩膜图形，这两层掩膜图形均包括间隔排列的沟槽结构，并且从俯视的角度观察，两层掩膜图形相互斜交，然后将这两层掩膜图形转移到目标掩膜层上，以定义出电容孔图案并制备电容，然而由于刻蚀中负载效应，这样的SADP工艺容易造成电容尺寸不一、高度不同、刻蚀不足以及电容存储电量下降等问题，进而降低半导体结构的良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法，以提高半导体结构的良率。
[0005]本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底；于所述基底上形成多个相互分立的第一掩膜层；形成若干侧墙层，每一所述侧墙层环绕一个所述第一掩膜层，每一所述侧墙层与其余距离最近的所述侧墙层相连，多个相连的所述侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔，所述初始第一通孔具有倒角；去除所述第一掩膜层，每一所述侧墙层围成第二通孔；去除所述第一掩膜层后，形成修复层，所述修复层位于所述侧墙层背向所述第二通孔的侧壁；所述修复层还填充于所述初始第一通孔的倒角，以形成第一通孔；沿所述第一通孔和所述第二通孔刻蚀基底，以形成位于所述基底内的电容孔。
[0006]在一些实施例中，所述第一通孔的排布方式为四方排布，所述第二通孔的排布方式为四方排布，且每一所述第一通孔与四个所述第二通孔相邻。
[0007]在一些实施例中，形成所述第一掩膜层和所述侧墙层的步骤包括：在所述基底上形成第二掩膜层，第二掩膜层内具有多个相互分立的第三通孔；在第三通孔的侧壁形成第一侧墙层，所述第一侧墙层围成所述第二通孔；形成所述第一侧墙层后，去除所述第二掩膜层；去除所述第二掩膜层后，形成填充所述第二通孔的所述第一掩膜层；形成所述第一掩膜层后，在所述第一侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁形成第二侧墙层，所述第二侧墙层与其余距离最近的所述第二侧墙层相连，且相连的多个所述第二侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁围成所述初始第一通孔；所述第一侧墙层与所述第二侧墙层构成所述侧墙层。
[0008]在一些实施例中，所述第一掩膜层的材料包括光刻胶，且形成所述第一掩膜层的方法包括：形成光刻胶层，所述光刻胶层位于相邻所述第一侧墙层之间，且填充满所述第二通孔；对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，去除位于相邻所述第一侧墙层之间的所述光刻胶层，所述第二通孔内剩余的所述光刻胶层作为所述第一掩膜层。
[0009]在一些实施例中，形成所述第一侧墙层的步骤包括：形成初始第一侧墙层，所述初始第一侧墙层位于所述第三通孔的侧壁和底部以及所述第二掩膜层的顶面；去除位于所述第二掩膜层顶面以及位于相邻所述第三通孔底部的所述初始第一侧墙层，剩余的所述初始第一侧墙层作为所述第一侧墙层。
[0010]在一些实施例中，形成所述初始第一侧墙层的方法包括原子层沉积工艺。
[0011]在一些实施例中，所述第一侧墙层的材料与所述第二侧墙层的材料相同。
[0012]在一些实施例中，在垂直于所述侧墙层侧壁的方向上，所述第一侧墙层的宽度小于所述第二侧墙层的宽度。
[0013]在一些实施例中，形成所述修复层的步骤包括：形成初始修复层，所述初始修复层位于所述侧墙层的表面，还覆盖相邻所述侧墙层之间的所述基底；去除覆盖所述基底的所述初始修复层，剩余的所述初始修复层作为所述修复层。
[0014]在一些实施例中，形成所述初始修复层的方法包括：原子层沉积工艺。
[0015]在一些实施例中，所述修复层的材料与所述侧墙层的材料相同。
[0016]在一些实施例中，在垂直于所述侧墙层侧壁的方向上，所述修复层的宽度小于所述侧墙层的宽度。
[0017]在一些实施例中，所述基底包括层叠设置的隔离层和第三掩膜层；所述第三掩膜层为多层结构，包括：层叠设置的第三下层掩膜层、第三中层掩膜层和第三上层掩膜层；形成所述电容孔的步骤包括：以所述侧墙层和所述修复层为掩膜，刻蚀部分所述第三上层掩膜层和部分所述第三中层掩膜层，以形成图形化的所述第三上层掩膜层和图形化的所述第三中层掩膜层；以图形化的所述第三上层掩膜层和图形化的所述第三中层掩膜层为掩膜，刻蚀部分所述第三下层掩膜层，以形成图形化的所述第三下层掩膜层；以图形化的所述第三下层掩膜层为掩膜，刻蚀所述隔离层，以形成所述电容孔。
[0018]在一些实施例中，形成所述电容孔后，还包括：形成下电极，所述下电极位于所述电容孔的底部和侧壁。
[0019]在一些实施例中，所述隔离层包括：层叠设置的底层支撑层、第一牺牲层、中间支撑层、第二牺牲层和顶层支撑层；所述电容孔贯穿所述底层支撑层、所述第一牺牲层、所述中间支撑层、所述第二牺牲层和所述顶层支撑层；形成所述下电极后还包括：去除所述部分所述顶层支撑层和部分所述中间支撑层，并去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以露出所述下电极；形成介质层，所述介质层覆盖所述下电极的表面；形成上电极，所述上电极覆盖所述介质层；所述上电极、所述下电极和所述介质层构成电容；形成覆盖层，所述覆盖层位于所述上电极的表面。
[0020]本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制造方法，所述制造方法通过形成第一掩膜层；每一侧墙层环绕一个第一掩膜层，多个相连的侧墙层背向第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔，初始第一通孔具有倒角；去除第一掩膜层，每一侧墙层围成第二通孔；形成填充于初始第一通孔的倒角的修复层，以形成第一通孔；沿第一通孔和第二通孔刻蚀基底，以形成电容孔。即侧墙层既用于定义第一通孔的位置，也用于定义第二通孔的位置，因此，第一通孔与第二通孔的间距与侧墙层的宽度接近，如此，第一通孔和第二通孔的间距能够保持相对一致；此外，定义第一通孔和第二通孔的掩膜层均为侧墙层，如此，可以使得掩膜层的刻蚀速率保持一致；此外，第一通孔和第二通孔位于同一层，从而可以避免采用SADP工艺
定义电容孔的图案时，因刻蚀负载效应造成的刻蚀深宽比不同的问题；此外，修复层还能够去除初始第一通孔的倒角，从而形成较为圆滑的第一通孔，进而形成圆滑的电容孔，有利于避免发生尖端放电或者漏电的现象。因此，本专利技术实施例能够提高电容孔的质量，进而提高半导体结构的良率。
[0021]另外，修复层的材料与侧墙层的材料相同，后续以侧墙层和修复层为掩膜，刻蚀基底时，侧墙层和修复层能够具有相同的刻蚀速率，从而保证具有相同的消耗程度，进而保证最终形成的若干电容孔具有均一的尺寸和高度。
附图说明
[0022]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；于所述基底上形成多个相互分立的第一掩膜层；形成若干侧墙层，每一所述侧墙层环绕一个所述第一掩膜层，每一所述侧墙层与其余距离最近的所述侧墙层相连，多个相连的所述侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔，所述初始第一通孔具有倒角；去除所述第一掩膜层，每一所述侧墙层围成第二通孔；去除所述第一掩膜层后，形成修复层，所述修复层位于所述侧墙层背向所述第二通孔的侧壁；所述修复层还填充于所述初始第一通孔的倒角，以形成第一通孔；沿所述第一通孔和所述第二通孔刻蚀所述基底，以形成位于所述基底内的电容孔。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一通孔的排布方式为四方排布，所述第二通孔的排布方式为四方排布，且每一所述第一通孔与四个所述第二通孔相邻。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层和所述侧墙层的步骤包括：在所述基底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内具有多个相互分立的第三通孔；在所述第三通孔的侧壁形成第一侧墙层，所述第一侧墙层围成所述第二通孔；形成所述第一侧墙层后，去除所述第二掩膜层；去除所述第二掩膜层后，形成填充所述第二通孔的所述第一掩膜层；形成所述第一掩膜层后，在所述第一侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁形成第二侧墙层，所述第二侧墙层与其余距离最近的所述第二侧墙层相连，且相连的多个所述第二侧墙层背向所述第一掩膜层的侧壁围成所述初始第一通孔；所述第一侧墙层与所述第二侧墙层构成所述侧墙层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括光刻胶，且形成所述第一掩膜层的方法包括：形成光刻胶层，所述光刻胶层位于相邻所述第一侧墙层之间，且填充满所述第二通孔；对所述光刻胶层进行曝光处理和显影处理，去除位于相邻所述第一侧墙层之间的所述光刻胶层，所述第二通孔内剩余的所述光刻胶层作为所述第一掩膜层。5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一侧墙层的步骤包括：形成初始第一侧墙层，所述初始第一侧墙层位于所述第三通孔的侧壁和底部以及所述第二掩膜层的顶面；去除位于所述第二掩膜层顶面以及位于相邻所述第三通孔底部的所述初始第一侧墙层，剩余的所述初始第一侧墙层作为所述第一侧墙层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始第一侧墙层的方法包括原子层沉积工艺。7.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：宛强，夏军，占康澍，刘涛，徐朋辉，李森，刘洋浩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：