光检测装置的制造方法、及光检测装置制造方法及图纸

光检测装置的制造方法具备：第一工序，准备具有第一主面及第二主面的半导体晶圆；第二工序，在第一主面设置第一支撑基板；第三工序，在第一主面设置有第一支撑基板的状态下，切断半导体晶圆及第一支撑基板，在第一表面设置有支撑构件的状态下，得到受光元件；第四工序，使用配置于第二表面和电路结构体的安装面之间的多个连接构件，在第一表面设置有支撑构件的状态下，将受光元件和电路结构体电连接且物理连接；以及第五工序，从第一表面除去支撑构件。从第一表面除去支撑构件。从第一表面除去支撑构件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置的制造方法、及光检测装置


[0001]本公开涉及光检测装置的制造方法、及光检测装置。

技术介绍

[0002]非专利文献1中记载有一种CMOS图像传感器的制造方法，其具备：在光电二极管阵列晶圆上贴附支撑带的工序；将光电二极管阵列晶圆与支撑带一起切割，从光电二极管阵列芯片剥离支撑带的工序；以及将剥离了支撑带的状态的光电二极管阵列芯片安装于CMOS读出电路芯片的工序。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1:Naoya Watanabe、其他4名，“Fabrication of Back
‑
Side Illuminated Complementary Metal Oxide Semiconductor Image Sensor Using Compliant Bump(使用柔顺凸点制作背照式互补金属氧化物半导体图像传感器)”，Japanese Journal of Applied Physics 49(2010)，The Japan Society of Applied Physics，April 20，2010

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]在非专利文献1中记载的CMOS图像传感器的制造方法中，光电二极管阵列芯片等受光元件越薄化，受光元件的处理越困难，其结果，在受光元件和作为CMOS读出电路芯片等的电路结构体的连接中有可能产生不良情况。另外，光电二极管阵列芯片等受光元件越薄化，在制造的CMOS图像传感器等的光检测装置中，受光元件越容易因应力、静电等影响而变形，其结果，受光元件与电路结构体接触而受光元件有可能损伤。
[0008]本公开的目的在于，提供一种即使受光元件被薄化，也能够可靠地实施受光元件和电路结构体的连接的光检测装置的制造方法、及即使受光元件被薄化也能够防止受光元件因变形而损伤的光检测装置。
[0009]用于解决问题的技术方案
[0010]本公开的一个方面的光检测装置的制造方法具备：第一工序，准备半导体晶圆，该半导体晶圆具有第一主面及与第一主面为相反侧的第二主面，且形成有二维地配置的多个受光区域；第二工序，在第一工序之后，在第一主面设置第一支撑基板；第三工序，在第二工序之后，在第一主面设置有第一支撑基板的状态下，对多个受光区域的每一个切断半导体晶圆及第一支撑基板，在与切断的第一主面的一部分对应的第一表面设置有与切断的第一支撑基板的一部分对应的支撑构件的状态下，得到与切断的半导体晶圆的一部分对应的受光元件；第四工序，在第三工序之后，使用配置在与切断的第二主面的一部分对应的第二表面和电路结构体的安装面之间的多个连接构件，在第一表面设置有支撑构件的状态下，将受光元件和电路结构体电连接且物理连接；以及第五工序，在第四工序之后，从第一表面除
去支撑构件。
[0011]在该光检测装置的制造方法中，在半导体晶圆的第一主面设置有第一支撑基板的状态下，对多个受光区域的每一个切断半导体晶圆及第一支撑基板，在受光元件的第一表面设置有支撑构件的状态下，将受光元件和电路结构体电连接且物理连接，然后，从受光元件的第一表面除去支撑构件。这样，在受光元件和电路结构体的连接时，在受光元件的第一表面设置有支撑构件。因此，即使受光元件被薄化，也能够防止受光元件的处理变得困难。因此，根据该光检测装置的制造方法，即使受光元件被薄化，也能够可靠地实施受光元件和电路结构体的连接。
[0012]在本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，多个受光区域相对于半导体晶圆包含的半导体基板在第二主面侧二维地配置。由此，在受光元件中，受光区域相对于半导体基板配置于电路结构体侧，因此，能够得到具备背面入射型的受光元件的光检测装置。
[0013]本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，还具备：第六工序，在第一工序之后且第二工序之前，在第二主面设置第二支撑基板；以及第七工序，在第六工序之后且第二工序之前，在第二主面设置有第二支撑基板的状态下，将半导体晶圆薄化，在第二工序中，在第二主面设置有第二支撑基板的状态下，在第一主面设置第一支撑基板，在第一主面设置有第一支撑基板的状态下，从第二主面除去第二支撑基板。由此，能够在稳定的状态下将半导体晶圆薄化。
[0014]本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，还具备第八工序，在第二工序之后且第三工序之前，在第二主面设置多个凸块电极作为多个连接构件。由此，能够对多个受光区域的每一个有效地设置多个凸块电极。
[0015]在本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，多个受光区域相对于半导体晶圆包含的半导体基板在第一主面侧二维地配置。由此，在受光元件中，受光区域相对于半导体基板配置在与电路结构体为相反侧，因此，能够得到具备表面入射型的受光元件的光检测装置。
[0016]本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，还具备第六工序，在第二工序之后且第三工序之前，在第一主面设置有第一支撑基板的状态下，将半导体晶圆薄化。由此，能够在稳定的状态下将半导体晶圆薄化。
[0017]本公开的一个方面的光检测装置的制造方法中，也可以是，还具备第七工序，在第六工序之后且第三工序之前，在第二主面设置多个凸块电极作为多个连接构件。由此，能够对多个受光区域的每一个有效地设置多个凸块电极。
[0018]本公开的一个方面的光检测装置具备：受光元件，其具有第一表面及与第一表面为相反侧的第二表面，且设置有受光区域；电路结构体，其具有安装面；以及多个连接构件，配置于第二表面和安装面之间，并将受光元件和电路结构体电连接且物理连接，多个连接构件各自的高度比与第一表面垂直的方向上的受光元件的宽度大。
[0019]在该光检测装置中，将受光元件和电路结构体电连接且物理连接的多个连接构件各自的高度比与第一表面垂直的方向上的受光元件的宽度大。由此，即使受光元件被薄化，且受光元件因应力、静电等影响而容易变形，也能够防止受光元件与电路结构体接触。因此，根据该光检测装置，即使受光元件被薄化，也能够防止受光元件因变形而损伤。
[0020]在本公开的一个方面的光检测装置中，也可以是，多个连接构件各自的高度为与第一表面垂直的方向上的受光元件的宽度的2倍以上。由此，即使受光元件被薄化，也能够更可靠地防止受光元件与电路结构体接触。
[0021]在本公开的一个方面的光检测装置中，也可以是，多个连接构件各自的高度为与第一表面垂直的方向上的受光元件的宽度的5倍以上。由此，即使受光元件被薄化，也能够更可靠地防止受光元件与电路结构体接触。
[0022]在本公开的一个方面的光检测装置中，也可以是，多个连接构件为多个凸块电极。由此，能够防止受光元件与电路结构体接触，并且可靠地实施受光元件和电路结构体的连接。
[0023]本公开的一个方面的光检测装置中，也可以是，还具备配置于第二表面和安装面之间的底部填充物(Underfill)。由此，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光检测装置的制造方法，其中，具备：第一工序，准备半导体晶圆，该半导体晶圆具有第一主面及与所述第一主面为相反侧的第二主面，且形成有二维地配置的多个受光区域；第二工序，在所述第一工序之后，在所述第一主面设置第一支撑基板；第三工序，在所述第二工序之后，在所述第一主面设置有所述第一支撑基板的状态下，对所述多个受光区域的每一个切断所述半导体晶圆及所述第一支撑基板，在与切断的所述第一主面的一部分对应的第一表面设置有与切断的所述第一支撑基板的一部分对应的支撑构件的状态下，得到与切断的半导体晶圆的一部分对应的受光元件；第四工序，在所述第三工序之后，使用配置在与切断的所述第二主面的一部分对应的第二表面和电路结构体的安装面之间的多个连接构件，在所述第一表面设置有所述支撑构件的状态下，将所述受光元件和所述电路结构体电连接且物理连接；以及第五工序，在所述第四工序之后，从所述第一表面除去所述支撑构件。2.根据权利要求1所述的光检测装置的制造方法，其中，所述多个受光区域相对于所述半导体晶圆所包含的半导体基板在所述第二主面侧二维地配置。3.根据权利要求2所述的光检测装置的制造方法，其中，还具备：第六工序，在所述第一工序之后且所述第二工序之前，在所述第二主面设置第二支撑基板；以及第七工序，在所述第六工序之后且所述第二工序之前，在所述第二主面设置有所述第二支撑基板的状态下，将所述半导体晶圆薄化，在所述第二工序中，在所述第二主面设置有所述第二支撑基板的状态下，在所述第一主面设置所述第一支撑基板，在所述第一主面设置有所述第一支撑基板的状态下，从所述第二主面除去所述第二支撑基板。4.根据权利要求3所述的光检测装置的制造方法，其中，还具备第八工序，在所述第二工序之后且所述第三工序之前，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村亮介，吉田侑生，塚田祥贺，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：