本发明专利技术公开了一种驱动电路，其包括半导体基板、电极端和传导突起。电极端位于半导体基板上并包括在电极端的上表面上的表面增加部，以增加电极端的表面积。表面增加部具有不同的尺寸或具有相同的尺寸。传导突起覆盖表面增加部。因此，通过减小电极端和显示面板的信号线之间的接触电阻来改善显示装置的图像显示质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种驱动电路、一种方法、以及一种使用该驱动电路的显示装置。更具体地，本专利技术涉及一种可提高图像显示质量的驱动电路、一种制造该驱动电路并提高显示质量的方法、以及一种使用该驱动电路的显示装置。
技术介绍
诸如便携式通信设备、数字照相机、笔记本电脑等的电气设备包括显示装置。显示装置包括平板显示装置，例如液晶显示(“LCD”)装置、有机发光显示(“OLED”)装置等。LCD装置包括安装在LCD面板上的驱动电路。此外，便携式通信设备包括厚度薄且功耗低的LCD装置。LCD面板由驱动电路操作。驱动电路通过玻璃覆晶封装(“COG”)法形成在LCD面板上。在COG法中，驱动电路直接安装在LCD面板上。通常，驱动电路通过各向异性导电膜(“ACF”)电连接至LCD面板的信号线，该各向异性导电膜包括树脂和多个位于树脂中的导电微粒。驱动电路包括多个突起(bump)，用于将信号输入/输出至LCD面板。为了减小LCD装置的尺寸，已经减小了信号线的尺寸和宽度，并且驱动电路的尺寸也已经减小了。当信号线和驱动电路的尺寸减小时，驱动电路、ACF、以及信号线的隆起焊盘之间的接触电阻增加，这使得LCD装置的图像显示质量变差。
技术实现思路
本专利技术提供了一种能够改善图像显示质量的驱动电路。本专利技术还提供了一种制造该驱动电路的方法。本专利技术还提供了一种应用该驱动电路的显示装置。根据本专利技术的驱动电路的示例性实施例包括半导体基板、电极端和传导突起。电极端位于半导体基板上并包括在电极端的上表面上的表面增加部，该表面增加部用于增加电极端的表面积。表面增加部具有不同的尺寸。传导突起覆盖表面增加部。根据本专利技术的驱动电路的其它示例性实施例包括半导体基板、电极端、以及传导突起。电极端位于半导体基板上并且包括在电极端的上表面上的表面增加部，该表面增加部用于增加电极端的表面积。每个表面增加部均具有基本上相同的尺寸。传导突起覆盖表面增加部。下面，提供一种制造根据本专利技术的驱动电路的示例性实施例的示例性方法。制备预处理溶液。预处理溶液包括反应溶液，用于形成硅化合物。由预处理溶液和硅制备处理溶液。处理溶液包括硅化合物。具有被硅化合物部分暴露的电极端的基板浸入处理溶液中，以使用处理溶液部分地蚀刻电极端。下面，提供了另一种制造根据本专利技术示例性实施例的驱动电路的示例性方法。在电极端上形成光刻胶图样，该电极端暴露在具有电路部的半导体基板上，该电路部将图像信号转换成驱动信号。使用光刻胶图样作为蚀刻掩模来部分地蚀刻电极端，以在电极端上形成表面增加部。下面，提供了又一种制造根据本专利技术示例性实施例的驱动电路的示例性方法。将珠状的蚀刻保护件附着至电极端上，其中，该电极端暴露在具有电路部的半导体基板上，该电路部将图像信号转换成驱动信号。使用蚀刻保护件作为蚀刻掩模来部分地蚀刻电极端，以在电极端上形成表面增加部。下面，提供了又一种制造根据本专利技术示例性实施例的驱动电路的示例性方法。将用于加速蚀刻处理的催化剂附着至电极端上，其中，该电极端暴露在具有电路部的半导体基板上，该电路部将图像信号转换成驱动信号。使用催化剂作为蚀刻掩模来部分地蚀刻电极端，以在电极端上形成表面增加部。根据本专利技术的显示装置的示例性实施例包括显示基板和驱动电路。显示基板包括显示部，该显示部基于由信号输入部施加的驱动信号来显示图像。驱动电路包括半导体基板、电极端、以及驱动电路。半导体基板具有用于产生驱动信号的电路部。电极端位于与信号输入部相对应的半导体基板上。电极端包括电极端的上表面上的表面增加部，以增加电极端的表面积。传导突起位于电极端上并电连接至信号输入部。改善具有驱动电路和显示面板的显示装置中的图像显示质量的方法的示例性实施例包括通过在电极端上设置非平面的传导突起以增加传导突起的表面积，来减小驱动电路的电极端和显示面板的信号线之间的接触电阻。根据本专利技术，增加驱动电路的电极端的表面积，使得电极端的接触电阻减小，从而改善显示装置的图像显示质量。附图说明本专利技术的上述和其他优点将通过在下文中结合附图对示例性实施例的详细描述而更加明显，在附图中图1是示出了根据本专利技术的驱动电路的示例性实施例的透视图；图2是沿图1所示的I-I’线截取的横截面图；图3是示出了图2中所示的部分‘A’的放大横截面图；图4A至图4D是示出了图3所示的示例性表面增加部的平面图；图5是示出了根据本专利技术的驱动电路的另一示例性实施例的横截面图；图6是示出了图5所示的部分‘B’的放大横截面图；图7是示出了图6所示的示例性电极端的平面图；图8是示出了根据本专利技术的制造驱动电路的示例性实施例的示例性方法的流程图； 图9是示出了图8所示的示例性预处理溶液的横截面图；图10是示出了在图9所示的示例性预处理溶液中制备的硅的横截面图；图11是示出了由图10所示的示例性预处理溶液和示例性硅制成的示例性处理溶液的横截面图；图12是示出了浸入图11所示的示例性处理溶液中的具有驱动电路的示例性实施例的示例性半导体基板的横截面图；图13至图16是示出了根据本专利技术的制造驱动电路的示例性实施例的另一示例性方法的横截面图；图17至图23是示出了根据本专利技术的制造驱动电路的示例性实施例的又一示例性方法的横截面图；图24至图28是示出了根据本专利技术的制造驱动电路的示例性实施例的又一示例性方法的横截面图；图29是示出了根据本专利技术的显示装置的示例性实施例的一部分的分解透视图；图30是示出了图29中所示的部分‘D’的放大透视图；图31是沿图30中所示的II-II’线截取的横截面图；图32是沿图30中所示的III-III’线截取的横截面图；图33是沿图29中所示的IV-IV’线截取的横截面图； 图34是示出了图29中所示的示例性第一显示基板的平面图；以及图35是沿图29中所示的V-V’线截取的横截面图。具体实施例方式下文中将参照附图来全面描述本专利技术，其中，附图中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以多种不同的形式来实施而不应认为局限于在此所述的实施例。相反，提供这些实施例，以便使公开透彻和完整，并且向本领域的技术人员充分地传达本专利技术的思想。在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解，当元件或层被指出“位于”、“连接到”、“耦合到”另一个元件或层上时，其可直接位于、连接到、或耦合到另一个元件或层上，或者也可以存在插入元件或层。相反，当元件被指出“直接位于”、“直接连接到”、“直接耦合到”另一个元件或层上时，不存在插入元件或层。通篇中相同的标号表示相同的元件。正如在此所应用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列术语的任何以及所有结合。应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、构件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、构件、区域、层、和/或部分并不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、构件、区域、层、或部分与另一元件、构件、区域、层、或部分相区分。因此，在不背离本专利技术宗旨的情况下，下文所述的第一元件、构件、区域、层、或部分可以称为第二元件、构件、区域、层、或部分。为了便于说明，在此可能使用诸如“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、以及“上面的”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或机构与另一元件或机构的关系。应当理解，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种驱动电路，包括：半导体基板；电极端，位于所述半导体基板上，所述电极端包括表面增加部，位于所述电极端的上表面上，用于增加所述电极端的表面积，所述表面增加部具有不同的尺寸；以及传导突起，用于覆盖所述表面增加部。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李仁，郭珍午，李清行，李光世，李民寿，金永彬，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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