一种电光装置，其具备：在第１及第２基板间夹持有电光物质的形成有显示区域的面板，和设置于前述第１或第２基板上、对前述面板的周围光的照度进行检测的光检测部；其特征在于： 前述光检测部，隔预定的时间间隔，进行多次检测工作； 前述预定的时间间隔设定为除了１／１００秒或１／１２０秒的整数倍或接近于它们的值以外的值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术，例如，涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电 子设备。
技术介绍
近年来，在显示装置上装载光传感器功能，通过测定外光照度对辉度 等进行调整而谋求消耗电力降低、像质提高的技术的开发正在进展(例如专利文献l)。作为光传感器可举出薄膜晶体管、PIN二极管、PN二极管 等。受光部不管在哪种情况下都为硅薄膜，为了不使制造上的成本增大， 优选以与构成显示的开关元件的硅薄膜同一制造工序所制造。此时，所谓 外光指所有种类的环境光，即日光、荧光灯、白炽灯泡、LED的光等，并 要求相对于这些全部作为光传感器检测正确的照度。专利文献1美国专利笫5831693号说明书
技术实现思路
相对于日光总是为一定的光量，采用AC电源类型的人工光大多以一 定周期反复闪烁，尤其在辉尤故电型荧光灯成为主要的环境光的情况下， 以100Hz或120Hz的闪烁显著，光传感器受此影响，不能正确地进行照度 的检测。本专利技术，实现即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环境下也能够 高精度地进行照度检测的电光装置。本专利技术，为电光装置，其具备有在第1 (在实施方式中，为有源矩 阵基板IOI)及第2基板(在实施方式中，为对向基板912)间夹持电光物 质(在实施方式中，为向列液晶材料922)的形成有显示区域的面板(在4实施方式中，为液晶面板911)，和设置于前述第1或第2 M上、对前 述面板的周围光的照度进行检测的光检测部(在实施方式中，为检测电路 360、受光传感器350P);其特征为前述光检测部，隔开预定的时间间 隔(为RST信号的周期TR),进行多次检测工作；前述预定的时间间隔 设定为除了 1 / 100秒或1 / 120秒的整数倍或接近于它们的值以外的值。 若如此地进行设定，则即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环境下，照度 检测的精度也因短时间、少次数的采样而提高。本专利技术，为半导体器件，其特征在于，具备形成于M上、用于对 前述基板周边的外光照度进行测定的光传感器(受光传感器350P)，和连 接于前述光传感器而对应于前述外光照度进行输出的检测电路(在实施方 式中，为检测电路360);前述检测电路，基于来自前述光传感器的输入 多次进行前述外光照度检测工作；若设前述多次检测工作的第1检测工作、 与继前述第l检测工作所进行的第2检测工作的时间间隔为Tl，则前述时 间间隔Tl设定为除了 1 / 100秒或1 / 120秒的整数倍及接近于它们的值 以外的值。若如此地进行设定，则即使在有以100Hz或120Hz的闪烁的环 境下，照度检测的精度也因短时间、少次数的采样而提高。更具体地为以 下半导体器件前述时间间隔T1，当设n为任意的整数时，设定为1/100 秒的(n + 0.5)倍、或1/120秒的(n + 0,5)倍、或二者的中间值；进而 为具有多次对前述检测电路的输出采样、进行统计处理的电路(在实施方 式中，为中央运算电路781)的半导体器件。若如此地进行设定，则以最 少2次的采样而使精度显著提高。进而本专利技术，为半导体器件，其特征为若设前述第2检测工作、与 继前述笫2检测工作所进行的第3检测工作的时间间隔为T2，则前述时间 间隔Tl与前述时间间隔T2互不相同。通过如此地4吏检测间隔不为一定， 能够对应于所有的外光的闪烁周期。进而为一种半导体器件，其特征为前述光传感器为将前述外光照度 变换成电流的元件；前述检测电路是在每次前述检测周期的开始将连接 有前述光传感器的节点的一端复位成初始电位，通过对前述节点的电位变 化进行检测而进行前述检测工作的电路。如此的检测电路即使来自光传感器的输出电流微弱也可以以高精度进行检测，但是因为需要一定的检测工 作期间，所以容易受外光的闪烁的影响，适合应用本实施例。进而本专利技术为以前述光传感器为采用了薄膜多晶硅的PIN结二极管 或PN结二极管为特征的半导体器件。如此的光传感器可以低成本地制造 于液晶显示装置上，但是因为光电流效率低，所以适合应用本实施例。而且本专利技术为采用了这些半导体器件的显示装置，和采用了该显示装 置的电子设备。因为在所有的环境下内置高精度的光传感器，所以能够提 供即使在室内也能适当地对像质、辉度进行调整，可视性高、消耗电力少 而电池驱动时间长的装置。并且，此时，若是显示的帧周期为前述时间间 隔Tl的整数倍的显示装置，则信号生成容易而成本低廉。附图说明图l是本专利技术的实施例中的液晶显示装置910的立体图。图2是本专利技术的笫1实施例中的有源矩阵基板101的构成图。图3是本专利技术的实施例中的有源矩阵Ml01的像素电路图。图4是表示本专利技术的电子设备的实施例的4匡图。图5是本专利技术的实施例中的有源矩阵基板101的像素部的俯视图。图6是沿图5的A—A'的剖面图。图7是沿图5的B—B'的剖面图。图8是本专利技术的第1实施例中的受光传感器350P-l、遮光传感器 350D-1的俯视图。图9是沿图8的C—C'的剖面图。 图10是沿图8的D—D'的剖面图。图ll是本专利技术的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传 感器350D-l 350D-6的等效电路图。图12是本专利技术的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传 感器350D-l 350D-6的简化了的等效电路图。图13是表示构成本专利技术的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、 遮光传感器350D-l 350D-6的PIN 二极管的特性的曲线图。图14是本专利技术的第1实施例中的检测电路360的电路图。图15是用于对本专利技术的现有问题进行说明的定时图。图16是用于对本专利技术的现有问题进行说明的第2定时图。图17是用于对本专利技术的效果进行说明的定时图。图18是本专利技术的实施例中的外部光的检测照度与背光源辉度的设定图。图19是用于半透射液晶显示装置的外部光的检测照度与背光源辉度 的设定图。图20是本专利技术的第2实施例中的布线RST的信号电位的定时图。 符号说明101…有源矩阵基板，102…伸出部，201-1-201-480…扫描线， 202-1~202-1920...数据线，301…扫描线驱动电路，302…数据线驱动电路， 320…信号输入端子，330-1-330-2…对向导通部，335…共用电位布线， 350P-l 350P-6…受光传感器(本专利技术的"第1光传感器"之一例)， 350D-1-350D-6…遮光传感器(本专利技术的"第2光传感器"之一例)，360… 检测电路(本专利技术的"光检测部"之一例)，361…自校正电压电路， 611P-l 611P-6、 611D-l 611D-6…背光源遮光电极，612P-l、 612D-l…透 明电极，781…中央运算电路，784…外部电源电路，910…液晶显示装置， 911…液晶面板(本专利技术的"面板"之一例)，912…对向絲(本专利技术的 "第2基板"之一例)，922…向列相液晶材料，923…密封材料，926…背 光源单元，927…导脉，940…黑矩阵，990-l 9卯-6…受光开口部，LA… 外光，LB…背光源光。具体实施方式以下，关于本专利技术中的电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的 电子设备的实施方式，基于附图而进行说明。 第1实施方式图l是本实施例中的液晶显示装置910的立体构成图(部分剖面图)。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电光装置，其具备：在第１及第２基板间夹持有电光物质的形成有显示区域的面板，和设置于前述第１或第２基板上、对前述面板的周围光的照度进行检测的光检测部；其特征在于：前述光检测部，隔预定的时间间隔，进行多次检测工作；前述预定的时间间隔设定为除了１／１００秒或１／１２０秒的整数倍或接近于它们的值以外的值。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：小桥裕，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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