太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法技术

太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、光吸收层以及第一载流子传输部。光吸收层位于第一电极与第二电极之间。第一载流子传输部位于光吸收层与第一电极之间。第一载流子传输部具有处于在从光吸收层朝向第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层。第一载流子导入层与第一半导体层的第一电极侧的面接触。第一载流子导入层中的电离电势比第一半导体层中的电子亲和力小。力小。力小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池元件例如具有第一电极层、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和第二电极层按照该记载的顺序层叠的结构(例如，参照日本专利第5005467号公报的记载)。电子传输层例如具有传输通过光吸收层中的光电转换产生的电子的作用。空穴传输层例如具有传输通过光吸收层中的光电转换产生的空穴的作用。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开了太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法。
[0004]太阳能电池元件的一种方案为，具有第一电极、第二电极、光吸收层以及第一载流子传输部。所述光吸收层位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一载流子传输部位于所述光吸收层与所述第一电极之间。所述第一载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层。该第一载流子导入层与所述第一半导体层的所述第一电极侧的面接触。所述第一载流子导入层中的电离电势比所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池元件，其中，所述太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的光吸收层、以及位于该光吸收层与所述第一电极之间的第一载流子传输部，该第一载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层，该第一载流子导入层与所述第一半导体层的所述第一电极侧的面接触，所述第一载流子导入层中的电离电势比所述第一半导体层中的电子亲和力小。2.如权利要求1所述的太阳能电池元件，其中，所述太阳能电池元件还具有位于所述光吸收层与所述第二电极之间的第二载流子传输部，该第二载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上层叠的状态的第二导电型的第二半导体层以及第二载流子导入层，该第二载流子导入层与所述第二半导体层的所述第二电极侧的面接触，所述第二载流子导入层中的电子亲和力比所述第二半导体层中的电离电势大。3.如权利要求1或2所述的太阳能电池元件，其中，在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上，所述第一载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第一电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。4.如权利要求2所述的太阳能电池元件，其中，在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上，所述第二载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第二电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。5.一种太阳能电池元件，其中，所述太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的光吸收层、以及位于该光吸收层与所述第二电极之间的第二载流子传输部，该第二载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上层叠的状态的第二导电型的第二半导体层以及第二载流子导入层，该第二载流子导入层与所述第二半导体层的所述第二电极侧的面接触，所述第二载流子导入层中的电子亲和力比所述第二半导体层中的电离电势大。6.如权利要求5所述的太阳能电池元件，其中，在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上，所述第二载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第二电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。7.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述第一半导体层与所述光吸收层接触，所述第一电极与所述第一载流子导入层接触。8.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述第一载流子传输部处于在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上所述第一半导体层和所述第一载流子导入层重复层叠的状态。9.如权利要求2、4、5中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述第二半导体层与所述光吸收层接触，所述第二电极与所述第二载流子导入层接触。
10.如权利要求2、4、5中任一项所述的太阳能电池元件，其中，所述第二载流子传输部处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上所述第二半导体层和所述第二载流子导入层重复层叠的状态。11.一种太阳能电池元件的制造方法，其中，其具有：步骤(A)：通过在光吸收层上以第一载流子导入层与第一半导体层中的与所述光吸收层相反一侧的面接触的方式层叠第一半导体层以及具有比该第一半导体层中的电子亲和力小的电离电势...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田浩平，佐野浩孝，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：