存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片技术

本发明专利技术的各种实施例是关于一种存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片，所述存储器器件包含上覆衬底的数据存储结构。底部电极上覆衬底且顶部电极上覆底部电极。数据存储结构设置于底部电极与顶部电极之间。数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。其中第一掺杂物与第二掺杂物不同。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片


[0001]本专利技术实施例涉及一种存储器器件、用于形成其的方法及集成芯片。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件含有经配置以存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器在其被供电时存储数据，同时非易失性存储器能够在断电时保留数据。电阻式随机存取存储器(Resistive random access memory,RRAM)是用于下一代非易失性存储器技术的一个有前景的候选项，这是由于其简单结构和与互补金属氧化物半导体(complementary metal
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oxide semiconductor,CMOS)逻辑工艺的相容性。RRAM单元包含具有可变电阻的介电数据存储结构，其放置于两种导电结构之间。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种存储器器件，包括：衬底；底部电极，其上覆所述衬底；顶部电极，其上覆所述底部电极；以及数据存储结构，其设置于所述顶部电极与所述底部电极之间，其中所述数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器器件，包括：衬底；底部电极，其上覆所述衬底；顶部电极，其上覆所述底部电极；以及数据存储结构，其设置于所述顶部电极与所述底部电极之间，其中所述数据存储结构包括掺杂有第一掺杂物及第二掺杂物的介电材料，其中所述第一掺杂物与所述第二掺杂物不同。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述介电材料更包括与所述第一掺杂物及所述第二掺杂物不同的第三掺杂物。3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中所述介电材料包括第一原子百分比的所述第一掺杂物、第二原子百分比的所述第二掺杂物以及第三原子百分比的所述第三掺杂物，其中所述第一原子百分比小于所述第二原子百分比，并且所述第二原子百分比小于所述第三原子百分比。4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述数据存储结构包括数据存储层及多掺杂数据存储层，其中所述多掺杂数据存储层包括掺杂有所述第一掺杂物及所述第二掺杂物的所述介电材料，并且其中所述数据存储层包括未掺杂的金属氧化物。5.一种集成芯片，包括：衬底；以及电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，其上覆所述衬底，其中所述RRAM单元包括顶部电极、底部电极以及设置于所述顶部电极与所述底部电极之间的数据存储结构，其中所述数据存储结构包括第一高κ介电材料及多个掺杂物，其中所述多个掺杂物包括彼此分别不同的第一掺杂物、第二掺杂物以及第三掺杂物。6.根据权利要求5所述的集成芯片，其中所述数据存储结构包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璧伸，金海光，江法伸，匡训冲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：