一种交叉开关阵列制造技术

本专利声明公开了在具有在IMT中自形成通道并且使通道与RRAM中的细丝自对准的交叉开关阵列。一种示例交叉开关阵列包括:底部电极；形成在底部电极上的细丝形成层；形成在细丝形成层上的通道形成层；以及形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时，所述通道形成层被配置成在所述通道形成层内形成通道。形成通道。形成通道。

【技术实现步骤摘要】
一种交叉开关阵列


[0001]本专利技术总体上涉及具有绝缘体
‑
金属相变(IMT)和阻变式随机存取存储器(RRAM)的交叉开关阵列，并且更具体地涉及在IMT中具有自形成微通道和在RRAM中具有自对准微通道到细丝的交叉开关阵列。

技术介绍

[0002]传统上，交叉开关阵列可以包括彼此交叉的水平金属线行和垂直金属线列(或其他电极)，在交叉点处形成交叉开关装置。交叉开关阵列可用于非易失性固态存储器，信号处理，控制系统，高速图像处理，神经网络和其他应用中。
[0003]RRAM是一种两端无源器件，能够在足够的电刺激下改变阻态，此特性已引起高性能非易失性存储器应用的广泛关注。RRAM的电阻可以在两种状态之间电切换:高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)。从HRS到LRS的切换事件称为“Set”或“On”切换过程。相反，从LRS切换到HRS的过程称为“Reset”或“Off
’
切换过程。
[0004]在RRAM交叉开关阵列中，需要选择器来将电压传送到选定的RRAM器件，以减少潜行电流，改善读写操作，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉开关阵列，其特征在于，包括：底部电极；以及在底部电极上形成细丝形成层；在细丝形成层上形成的通道形成层；和形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中，所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且所述通道形成层被配置成当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时在所述通道形成层内形成通道。2.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述细丝形成层的材料包括TaO
x
(其中x≤2.5)、HfO
x
(其中x≤2.0)、TiO
x
(其中x≤2.0)或它们的组合。3.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，所述通道形成层的材料包括Nb2O5、NbO2、V2O5、VO2、Ti2O3、Ti3O5、LaCoO3、SmNiO3或其组合。4.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛宁，
申请(专利权)人：特忆智能科技，
类型：发明
国别省市：