一种三维相变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三维相变存储器及其制备方法，所述三维相变存储器包括：沿第一方向延伸的第一导电线，沿与第一方向相交的第二方向延伸的第二导电线组件，以及沿第三方向设置于所述第一导电线和所述第二导电线组件之间的相变存储单元组件，所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向；其中，所述相变存储单元组件包括沿第三方向叠置的选通元件和多个相变存储材料元件，所述第二导电线组件包括多个第二导电线元件，所述多个第二导电线元件一一对应设置于所述多个相变存储材料元件上方。方。方。

【技术实现步骤摘要】
一种三维相变存储器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种三维相变存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。
[0003]3D存储器包括存储阵列以及用于控制往返于存储阵列的信号的外围器件。例如，相变存储器(Phase Change Memory，PCM)可以基于以电热方式对相变材料所做的加热和淬火来驱动相变材料在非晶相和晶相之间进行转换，进而利用非晶相与晶相在电阻率上的差异实现0和1的存储功能。随着应用需求的逐渐严苛，如何实现高存储密度、低功耗和高稳定性的三维存储器成为本领域的重要研究方向。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种三维相变存储器。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：r/>[0006]一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维相变存储器，其特征在于，包括：沿第一方向延伸的第一导电线，沿与第一方向相交的第二方向延伸的第二导电线组件，以及沿第三方向设置于所述第一导电线和所述第二导电线组件之间的相变存储单元组件，所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向；其中，所述相变存储单元组件包括沿第三方向叠置的选通元件和多个相变存储材料元件，所述第二导电线组件包括多个第二导电线元件，所述多个第二导电线元件一一对应设置于所述多个相变存储材料元件上方。2.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述相变存储单元组件还包括：隔离元件，所述隔离元件位于相邻的所述相变存储材料元件之间。3.根据权利要求2所述的三维相变存储器，其特征在于，所述相变存储材料元件与所述隔离元件沿所述第一方向交替设置。4.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述相变存储材料元件沿所述第一方向的厚度小于所述选通元件沿第一方向的厚度。5.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，还包括：侧墙层，所述侧墙层覆盖所述相变存储单元组件沿第二方向延伸的侧壁，且所述侧墙层覆盖部分所述选通元件的上表面。6.根据权利要求1所述的三维相变存储器，其特征在于，所述第二导电线组件还包括：间隔层，所述间隔层位于相邻的所述第二导电线元件之间。7.根据权利要求6所述的三维相变存储器，其特征在于，所述间隔层为真空或空气间隙。8.一种三维相变存储器的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：