用于选通器件Ti3C2-MXene薄膜的制备装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于微电子功能器件技术领域，公开了一种用于选通器件Ti3C2‑

【技术实现步骤摘要】
用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置


[0001]本技术属于微电子功能器件
，尤其涉及一种用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置。

技术介绍

[0002]目前，半导体存储器是集成电路产业中最为重要的技术之一，广泛应用于信息、社会安全、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究的各个领域，是国家竞争力的重要体现。随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式增长，因此存储器有着巨大的市场。如何不断提高存储的性能成为信息科学领域的一个关键性问题。
[0003]阻变存储器(RRAM)已成为下一代非挥发存储技术的有力竞争者，具有广阔的市场前景。然而，这种器件结构的主要缺点之一是通过相邻存储器单元的漏电流会引起串扰的问题。这些漏电流可能导致无意义的存储器寻址和读取错误。串扰问题还会增加功耗并限制交叉开关阵列的集成规模大小，从而将会严重影响存储器的性能。
[0004]因此，选通器件成为RRAM集成的必要选择。选通管的性能指标为I
‑
V曲线的非线性度、耐受性、高开态电流和低关态电流、低开启电压等。选通器件的各项性能参数和转换机理都与组成器件的材料的性能密切相关。不同类型的介质材料将导致耐受性等性能的差异。以Ti3C2‑
MXene为介质材料制备的选通管器件，非线性值和开态电流密度分别可达41和0.1MA/cm2，具有较高的非线性值和开态电流密度，可以抑制串扰问题。
[0005]但是在Ti3C2‑
MXene的制备中，通常使用溶液法(HF和HCI+LiF刻蚀法)、高温氟化物熔融法、自下而上合成法。高温氟化物熔融法是将MAX相与含氟的金属盐混合后，通入惰性气体，高温加热反应生成MXene，缺点是成本高和实用性低。自下而上合成法主要是利用化学气相沉积(CVD)来生成大面积的连续的MXene薄膜，缺点是合成工艺不成熟。
[0006]通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：
[0007](1)对于实验环境的要求极高，实验制备成本高，实用性不强。
[0008](2)合成工艺不成熟，难以达到预期效果。

技术实现思路

[0009]为了解决现有技术存在的问题，本技术提供了一种用于选通器件Ti3C2
‑
MXene薄膜的制备装置。
[0010]本技术是这样实现的，一种用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置，所述用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置设置有底座；
[0011]底座上固定有控制器、加热板、底电极基底、图像处理器、摄像器、超声处理器、溶液调配器和离心加热器；
[0012]加热板上侧固定有底电极基底，底电极基底上方设置有摄像器，摄像器通过数据线与图像处理器连接；
[0013]图像处理器通过数据线与控制器连接，控制器分别通过数据线与超声处理器和离
心加热器连接；
[0014]离心加热器中底盘上侧固定有悬挂支撑臂，悬挂支撑臂上侧与离心转动结构连接；
[0015]离心转动结构设置有转轴底座，转轴底座中通过轴承固定有转轴，转轴上侧固定有外壳，外壳内部为离心腔。
[0016]进一步，所述转轴底座左端固定有电机，电机输出轴上固定有带轮，转轴下端固定有带轮，两带轮之间套接有传动带。
[0017]进一步，所述离心腔内壁嵌装有加热板，加热板通过导线与蓄电池连接。
[0018]进一步，所述外壳外侧嵌装有显示屏，显示屏左侧固定有蓄电池和主机。
[0019]进一步，所述溶液调配器设置有圆形筒体，圆形筒体上端通过螺纹旋接有密封盖；
[0020]圆形筒体下端固定有锥形筒体，锥形筒体下端固定有出口阀，出口阀上侧固定有旋钮。
[0021]进一步，所述密封盖设置有盖体，盖体上设置有加液孔、漏斗放置槽和残留液收集槽，残留液收集槽外侧设置有引流管。
[0022]结合上述的所有技术方案，本技术所具备的优点及积极效果为：
[0023]本技术适用于对选通器件中的功能层Ti3C2‑
MXene薄膜的制备，可以实现对制作薄膜工艺的流程自动化，大大的提高了制作效率和质量；同时制备工艺简单、效率高、薄膜与衬底结合性好、易于在较低环境下大面积制备薄膜。
[0024]本技术中转轴底座左端固定有电机，电机输出轴上固定有带轮，转轴下端固定有带轮，两带轮之间套接有传动带，实现力的传动。
[0025]本技术中离心腔内壁嵌装有加热板，加热板通过导线与蓄电池连接，在离心过程中，实现加热操作。
[0026]本技术中外壳外侧嵌装有显示屏，显示屏左侧固定有蓄电池和主机，便于对整体装置进行操作。
[0027]本技术中溶液调配器设置有圆形筒体，圆形筒体上端通过螺纹旋接有密封盖；圆形筒体下端固定有锥形筒体，锥形筒体下端固定有出口阀，出口阀上侧固定有旋钮，提高溶液配比的质量。
[0028]本技术中密封盖设置有盖体，盖体上设置有加液孔、漏斗放置槽和残留液收集槽，残留液收集槽外侧设置有引流管，便于进行添加溶液。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本技术实施例提供的用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置结构示意图。
[0031]图2是本技术实施例提供的离心加热器结构示意图。
[0032]图3是本技术实施例提供的外壳结构示意图。
[0033]图4是本技术实施例提供的溶液调配器结构示意图。
[0034]图5是本技术实施例提供的密封盖结构示意图。
[0035]图中：1、控制器；2、加热板；3、底电极基底；4、图像处理器；5、摄像器；6、超声处理器；7、溶液调配器；8、离心加热器；9、电机；10、外壳；11、离心腔；12、转轴；13、悬挂支撑臂；14、底盘；15、蓄电池；16、主机；17、显示屏；18、圆形筒体；19、密封盖；20、锥形筒体；21、出口阀；22、旋钮；23、漏斗放置槽；24、加液孔；25、残留液收集槽。
具体实施方式
[0036]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0037]针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置，下面结合附图对本技术作详细的描述。
[0038]如图1所示，底座上固定有控制器1、加热板2、底电极基底3、图像处理器4、摄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置，其特征在于，所述用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置设置有：底座；所述底座上固定有控制器、加热板、底电极基底、图像处理器、摄像器、超声处理器、溶液调配器和离心加热器；所述加热板上侧固定有底电极基底，底电极基底上方设置有摄像器，摄像器通过数据线与图像处理器连接；所述图像处理器通过数据线与控制器连接，控制器分别通过数据线与超声处理器和离心加热器连接；所述离心加热器中底盘上侧固定有悬挂支撑臂，悬挂支撑臂上侧与离心转动结构连接；所述离心转动结构设置有转轴底座，转轴底座中通过轴承固定有转轴，转轴上侧固定有外壳，外壳内部为离心腔。2.如权利要求1所述用于选通器件Ti3C2‑
MXene薄膜的制备装置，其特征在于，所述转轴底座左端固定有电机，电机输出轴上固定有带轮，转轴下端固...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨高琦，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：新型
国别省市：