【技术实现步骤摘要】
一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器
[0001]
：
[0002]本技术涉及存储器
，特别是涉及一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器。
[0003]
技术介绍
：
[0004]人脑神经能够摆脱传统冯诺依曼计算机瓶颈限制，并行处理大量的实时数据任务，在模式识别、图像思维、联想记忆等方面显示出巨大的优势。如何从人脑神经系统中得到启发，构造新型电子神经器件，搭建类人脑神经系统电路，成为首要解决的任务和当前研究热点。目前基于忆阻器的类脑神经模拟研究还处于初始阶段，国际上研究人员主要是将具有存储功能的忆阻器作为电子突触器件并实现突触可塑性这一人脑认知的关键功能，并取得了一系列开创性进展。
[0005]神经元传输的信号称为神经脉冲或者动作电位，大多数细胞的动作电位在
‑
10
‑
100mV之间。哺乳动物的神经细胞的动作电位为
‑
70mV，骨骼肌细胞为
‑
90mV，人的红细胞为
‑
10mV。目前性能优良的金属氧化物器件的操作电压大部分也在0.5
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种性能可调控且稳定性高的阻变存储器，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、阻变层和顶电极，其特征是：所述阻变层是掺杂有Al的Ta2O5薄膜，其厚度为5
‑
200nm。2.根据权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征是：所述阻变层的厚度为10nm
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50nm。3.根据权利要求1所述的性能可调控且稳定性高的阻变存储器，其特征是：所述底电极和顶电极分别为金属W...
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