【技术实现步骤摘要】
废气过滤装置
[0001]本技术涉及一种应用于制造或处理半导体的技术,特别是一种废气过滤装置。
技术介绍
[0002]有机金属化学气相沉积法(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD),意指利用气相中发生的物理及化学过程,以在固体表面形成沉积物的技术。常见被应用在半导体晶圆的反应面形成薄膜的制程方法。
[0003]目前在成长半导体薄膜时,系通过喷头将不同第Ⅲ族的金属气体与第V族的特殊气体,导入的高温反应腔体中,使反应腔体中均匀地充满气体,令反应气体与反应腔体的内的晶圆反应,以在晶圆的反应面上成长半导体薄膜。
[0004]当在晶圆成长完成半导体薄膜后,反应过的废气会经由连接反应腔体的排气管路排出,以被泵抽送至废气处理装置,过滤废气中有毒气体及粉尘微粒等污染因子,进行废气处理后,才排放至外部空气中。
[0005]然而,反应过的废气中因含有粉尘微粒,若排气管路中没有设置过滤装置,废气中的粉尘微粒则容易被吸入进入泵中,而对泵造成损害。再者, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种废气过滤装置,其连通气相沉积的一反应腔体,以接收该反应腔体内排出的废气,其特征在于,该废气过滤装置包括:至少一第一沉积腔体;以及至少一第一排气管,穿设于该第一沉积腔体,该第一排气管包括一第一管体、第一排入口以及一第一排出口,该第一排入口以及该第一排出口分别设置于该第一管体两端,该第一排入口连通该反应腔体,该第一排出口穿设于该第一沉积腔体并且延伸靠近该第一沉积腔体的底部,其中该第一排出口的口径大于该第一管体的口径,令该废气通过该第一排出口时的流速变慢,以沉积该废气的粉尘微粒。2.如权利要求1所述的废气过滤装置,其特征在于:该第一沉积腔体上位于顶部还设有一排出管。3.如权利要求1所述的废气过滤装置,其特征在于:该第一排入口以及该第一排出口分别为锥形排入口以及锥形排出口。4.如权利要求1所述的废气过滤装置,其特征在于:该第一排气管的该第一排入口的口径大于该第一管体的口径。5.如权利要求1所述的废气过滤装置,其特征在于,还包括:至少一第二沉积腔体;及至少一第二排气管,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴铭钦,刘峰,
申请(专利权)人:苏州雨竹机电有限公司,
类型:新型
国别省市:
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