一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法技术

本申请提供一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法，电加热式半导体废气处理设备包括：反应腔，用于使半导体废气在其内反应；第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部；第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上。本申请的技术方案实现了电加热式半导体废气处理设备快速降温，从而缩短了设备的维护时间。了设备的维护时间。了设备的维护时间。

【技术实现步骤摘要】
一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法


[0001]本申请涉及半导体废气处理
，具体涉及一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法。

技术介绍

[0002]半导体行业中使用的清洗剂、显影剂、光刻胶、蚀刻液等溶剂中含有大量有机物成分。在工艺过程中，这些有机溶剂大部分通过挥发成为废气排放。
[0003]针对废气处理方面，半导体行业酸、碱废气一般采用相应的碱液吸收和酸液吸收进行处理，工艺方法已非常成熟，只要适当优化相关工艺参数，能够满足本标准的要求，需要关注的有机废气的处理。目前处理有机废气的工艺有吸附法、吸收法、直接燃烧法、催化燃烧法、冷凝法等，吸附法采用活性炭直接吸附，净化效果好，但是运营成本会很高；吸收法适合于温度低、中高浓度的废气；直接燃烧法适合于高浓度、小风量废气治理；冷凝法适用于成分相对单一、浓度高、且有一定回收价值的有机废气。对于半导体行业低浓度、大风量、成分复杂的有机废气，吸附法、吸收法、燃烧法、冷凝法均不适用，比较适用的是吸附——催化燃烧法。
[0004]在半导体科学技术的发展中，电加热式废气处理设备在半导体废气处理中应用广泛，电加热式废气处理设备需要周期性的进行维护，所以在其维护前必须进行将设备降温到室温。因为其反应腔室为金属材质，发热采用金属加热丝等，所以其从工作温度(800℃～900℃)降低到室温的过程中需要经过1h～2h不等，降温慢，使设备的维护时间加长，大大降低了设备的工作效率。
[0005]
技术介绍
部分的内容仅仅是公开人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。

技术实现思路

[0006]本申请旨在提供一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法，解决了电加热式半导体废气处理设备快速降温和缩短设备维护时间，以及降温过程中反应腔的腔体变形的问题。
[0007]根据本申请的一方面，提出一种电加热式半导体废气处理设备，包括：反应腔，用于使半导体废气在其内反应；第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部；第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上。
[0008]根据一些实施例，所述的电加热式半导体废气处理设备还包括：隔热腔，环绕设置于所述第一冷却器和所述反应腔的外壁之间。
[0009]根据一些实施例，所述第一冷却器包括：
[0010]气冷腔，所述气冷腔环绕设置于所述隔热腔的外壁上；
[0011]进气管，所述进气管连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处
理设备的底壁；
[0012]连通管，所述连通管的一端连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述连通管的另一端设置于所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，且连通于所述电加热式半导体废气处理设备的内部。
[0013]根据一些实施例，所述的电加热式半导体废气处理设备还包括：回收装置，所述回收装置连通所述反应腔内部。
[0014]根据一些实施例，所述回收装置包括：密闭箱体，所述密闭箱体连通所述反应腔内部；气体处理组件，所述气体处理组件设置于所述密闭箱体上，用于回收处理所述第一冷却器的气体。
[0015]根据一些实施例，所述第二冷却器包括：
[0016]水冷腔，所述水冷腔环绕设置于所述气冷腔的外壁上；
[0017]进水管，所述进水管连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；
[0018]第一出水管，所述第一出水管的一端连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁，所述第一出水管的另一端连通所述回收装置；
[0019]第二出水管，所述第二出水管的一端连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述第二出水管的另一端连通所述回收装置。
[0020]根据一些实施例，所述反应腔内部和反应腔外壁上设置温度传感器，所述进水管包括进水调节阀，所述第一出水管包括出水调节阀，所述进气管包括进气调节阀。
[0021]根据本申请的一方面，提出一种用于控制电加热式半导体废气处理设备降温的方法，包括：
[0022]S1：将电加热式半导体废气处理设备停止工作进入冷却运行模式；
[0023]S2：将低温气体输送至所述电加热式半导体废气处理设备的气冷腔内，使得所述低温气体由所述电加热式半导体废气处理设备的底部输入，所述气冷腔内的低温气体从所述电加热式半导体废气处理设备的顶部陆续流入所述电加热式半导体废气处理设备的反应腔内部，进行降温，低温气体最终由所述反应腔内部流入回收装置中，经处理后排入大气中；
[0024]S3：将低温液体输送至所述电加热式半导体废气处理设备的水冷腔内，使得所述低温液体由所述电加热式半导体废气处理设备的底部输入，直至低温液体充满所述水冷腔，从而加快降温；
[0025]S4：当所述反应腔内部和外壁的温度同时小于35℃时，将所述水冷腔内的低温液体排出，降温完成。
[0026]根据一些实施例，在S2中进行测量所述反应腔外壁的温度，当所述气冷腔内通入低温气体后，所述反应腔外壁的温度小于95℃时，继续S3和S4。
[0027]根据一些实施例，在S2中进行测量所述反应腔外壁的温度，当所述气冷腔内通入低温气体后，所述反应腔外壁的温度大于95℃时，终止S3，继续S2，直至所述反应腔外壁的温度小于95℃时，继续S3和S4。
[0028]基于上述的一种电加热式半导体废气处理设备及其降温的方法，当设备正常运行时，保证水冷腔不存低温液体，气冷腔不通低温气体。此时，可以减少电加热式半导体废气
处理能量的消耗。当设备停止运行时，通过水冷方式和气冷方式可以加快电加热式半导体废气处理设备降温，从而缩短电加热式半导体废气处理设备的维护时间。
[0029]为能更进一步了解本申请的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本申请的详细说明与附图，但是此说明和附图仅用来说明本申请，而非对本申请的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0030]下面结合附图详细说明本公开的实施方式。这里，构成本公开一部分的附图用来提供对本公开的进一步理解。本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。附图中：
[0031]图1示出根据本申请示例实施例的电加热式半导体废气处理设备的结构示意图。
[0032]图2示出根据本申请示例实施例的电加热式半导体废气处理设备降温的方法的控制原理示意图。
具体实施方式
[0033]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，术语"中心"、"纵向"、"横向"、"长度"、"宽度"、"厚度"、"上"、"下"、"前"、"后"、"左"、"右"、"竖直"、"水平"、"顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，包括：反应腔，用于使半导体废气在其内反应；第一冷却器，所述第一冷却器环绕设置于所述反应腔的外壁上，且连通于所述反应腔内部；第二冷却器，所述第二冷却器环绕设置于所述第一冷却器的外壁上。2.根据权利要求1所述的电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：隔热腔，环绕设置于所述第一冷却器和所述反应腔的外壁之间。3.根据权利要求2所述的电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，所述第一冷却器包括：气冷腔，所述气冷腔环绕设置于所述隔热腔的外壁上；进气管，所述进气管连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；连通管，所述连通管的一端连通所述气冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，所述连通管的另一端设置于所述电加热式半导体废气处理设备的顶壁，且连通于所述电加热式半导体废气处理设备的内部。4.根据权利要求3所述的电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：回收装置，所述回收装置连通所述反应腔内部。5.根据权利要求4所述的电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，所述回收装置包括：密闭箱体，所述密闭箱体连通所述反应腔内部；气体处理组件，所述气体处理组件设置于所述密闭箱体上，用于回收处理所述第一冷却器的气体。6.根据权利要求4所述的电加热式半导体废气处理设备，其特征在于，所述第二冷却器包括：水冷腔，所述水冷腔环绕设置于所述气冷腔的外壁上；进水管，所述进水管连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁；第一出水管，所述第一出水管的一端连通所述水冷腔，且设置于靠近所述电加热式半导体废气处理设备的底壁，所述第一出水管的另一端连通所述回...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春涛，杨春水，张坤，陈彦岗，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：