【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体废气处理，尤其涉及等离子废气处理组件及半导体废气处理设备。
技术介绍
1、半导体制造工艺会使用很多特殊气体，这些气体本身具有一定的腐蚀性且难以降解，若直接排放，会对环境造成影响，因此必须对这些气体进行处理才可以排放到大气环境中，目前最有效的处理方式是采用等离子的高温火焰来进行处理。
2、相关技术中的等离子处理装置，在使用过程中，容易出现等离子体电离发生偏移的情况，导致钨极出现凹陷，钨极的损耗不均匀，影响钨极的使用寿命。
技术实现思路
1、本申请旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种等离子废气处理组件，实现了将氮气均匀的输送到电离空间处，保证了氮气均匀分布，氮气可以在阴极和阳极之间充分电离，确保了等离子体电离不发生偏离，使得钨极表面的损耗划痕分布均匀，延长了钨极的使用寿命。
2、本申请还提出一种半导体废气处理设备。
3、根据本申请第一方面实施例的等离子废气处理组件，包括：
4、阴极，所述阴极处设有钨极；
5、阳极，与所述阴极相对设置，所述阳极和所述阴极之间形成有电离空间；
6、第一氮气输送件，设于所述阴极一侧，所述第一氮气输送件设有间隔均匀的多个第一出气口，多个所述第一出气口均朝向所述电离空间，以使得所述第一氮气输送件可将氮气均匀的输送到所述电离空间处。
7、根据本申请实施例的等离子废气处理组件，通过第一氮气输送件将氮气输送到电离空间处，由于第一氮气输送件具有多
8、根据本申请的一个实施例，所述阴极位于所述第一氮气输送件和所述阳极之间，所述阴极连接于所述第一氮气输送件与所述阳极相对的壁面，多个所述第一出气口环绕所述阴极设置。
9、根据本申请的一个实施例，所述第一氮气输送件包括氮气分流器，所述氮气分流器内形成有氮气腔，所述氮气分流器设有多个第一进气口，多个所述第一进气口沿着所述氮气分流器的周向均匀分布，所述第一进气口和所述第一出气口均与所述氮气腔连通。
10、根据本申请的一个实施例，多个所述第一进气口均与第一氮气总入口连通。
11、根据本申请的一个实施例，所述第一进气口处设有挡风板，所述挡风板位于所述氮气腔内，所述挡风板与所述第一进气口之间设有间隙。
12、根据本申请的一个实施例，所述阳极内设有电离通道，所述电离通道与所述电离空间连通，所述等离子废气处理组件包括第二氮气输送件，所述第二氮气输送件与所述电离通道连通，所述第二氮气输送件适于向所述电离通道内输送氮气。
13、根据本申请的一个实施例，所述第二氮气输送件包括多个氮气输送管道，所述氮气输送管道设于所述阳极的侧壁面，多个所述氮气输送管道沿着所述阳极的周向均匀分布，所述氮气输送管道的出气口与所述电离通道连通。
14、根据本申请的一个实施例，所述阳极包括阳极本体以及与所述阳极本体连接的阳极延长段。
15、根据本申请的一个实施例，所述等离子废气处理组件包括冷却件，所述阳极和所述阴极均与所述冷却件抵接，所述冷却件适于对所述阳极和所述阴极进行冷却降温。
16、根据本申请第二方面实施例的半导体废气处理设备，包括上述的所述等离子废气处理组件。
17、根据本申请的半导体废气处理设备，其具有上述的等离子废气处理组件，因此具有上述等离子废气处理组件的所有技术效果，此处不再进行赘述。本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种等离子废气处理组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述阴极位于所述第一氮气输送件和所述阳极之间，所述阴极连接于所述第一氮气输送件与所述阳极相对的壁面，多个所述第一出气口环绕所述阴极设置。
3.根据权利要求1所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述第一氮气输送件包括氮气分流器，所述氮气分流器内形成有氮气腔，所述氮气分流器设有多个第一进气口，多个所述第一进气口沿着所述氮气分流器的周向均匀分布，所述第一进气口和所述第一出气口均与所述氮气腔连通。
4.根据权利要求3所述的等离子废气处理组件，其特征在于，多个所述第一进气口均与第一氮气总入口连通。
5.根据权利要求3所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述第一进气口处设有挡风板，所述挡风板位于所述氮气腔内，所述挡风板与所述第一进气口处之间设有间隙。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述阳极内设有电离通道，所述电离通道与所述电离空间连通，所述等离子废气处理组件包括第二氮气输送件，所述第二氮气
7.根据权利要求6所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述第二氮气输送件包括多个氮气输送管道，所述氮气输送管道设于所述阳极的侧壁面，多个所述氮气输送管道沿着所述阳极的周向均匀分布，所述氮气输送管道的出气口与所述电离通道连通。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述阳极包括阳极本体以及与所述阳极本体连接的阳极延长段。
9.根据权利要求1至5任意一项所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述等离子废气处理组件包括冷却件，所述阳极和所述阴极均与所述冷却件抵接，所述冷却件适于对所述阳极和所述阴极进行冷却降温。
10.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的等离子废气处理组件。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子废气处理组件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述阴极位于所述第一氮气输送件和所述阳极之间，所述阴极连接于所述第一氮气输送件与所述阳极相对的壁面，多个所述第一出气口环绕所述阴极设置。
3.根据权利要求1所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述第一氮气输送件包括氮气分流器，所述氮气分流器内形成有氮气腔，所述氮气分流器设有多个第一进气口，多个所述第一进气口沿着所述氮气分流器的周向均匀分布，所述第一进气口和所述第一出气口均与所述氮气腔连通。
4.根据权利要求3所述的等离子废气处理组件，其特征在于，多个所述第一进气口均与第一氮气总入口连通。
5.根据权利要求3所述的等离子废气处理组件，其特征在于，所述第一进气口处设有挡风板，所述挡风板位于所述氮气腔内，所述挡风板与所述第一进气口处之间设有间隙。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的等离子废气处理组件，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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