半导体器件及其形成方法技术

器件包括衬底，在衬底上方的半导体沟道，以及在半导体沟道上方并横向地围绕半导体沟道的栅极结构。栅极结构包括第一介电层，该第一介电层包括具有掺杂剂的第一介电材料。第二介电层在第一介电层上，并且包括基本上不含掺杂剂的第二介电材料。金属填充层在第二介电层上方。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。成方法。成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比前一代具有更小并且更复杂的电路。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积中互连器件的数量)通常都在增加，同时几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小元件(或线))减小。这种规模缩小工艺通常通过增加产量效率和降低相关成本来提供益处。这样的规模缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供了一种器件，包括：衬底；半导体沟道，在所述衬底上方；以及栅极结构，在所述半导体沟道上方并且横向地围绕所述半导体沟道，包括：第一介电层，包括具有掺杂剂的第一介电材料；第二介电层，在所述第一介电层上，并且包括基本不含所述掺杂剂的第二介电材料；以及金属填充层，在所述第二介电层上方。
[0004]本申请的实施例提供了一种器件，包括：第一栅极结构，包括：第一介电层，包括具有掺杂剂的第一介电材料；第二介电层，在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：衬底；半导体沟道，在所述衬底上方；以及栅极结构，在所述半导体沟道上方并且横向地围绕所述半导体沟道，包括：第一介电层，包括具有掺杂剂的第一介电材料；第二介电层，在所述第一介电层上，并且包括基本不含所述掺杂剂的第二介电材料；以及金属填充层，在所述第二介电层上方。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂的最大浓度随着距所述金属填充层的距离增加而降低。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂包括镧、镁、钇、钛、铝、铌或硼的离子中的至少一种。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构还包括：功函数金属层，位于所述第二介电层与所述金属填充层之间；以及功函数势垒层，位于所述功函数金属层与所述第二介电层之间。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述功函数势垒层包括TiN、WN、MoN或TaN中的至少一种。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构还包括：功函数金属层，位于所述第二介电层与所述金属填充层之间；第一界面层，位于所述第一介电层与所述半导体沟道之间；以及第二界面层，位于所述功函数金属层与所述第二介电层之间。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：程仲良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：