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器件包括衬底，在衬底上方的半导体沟道，以及在半导体沟道上方并横向地围绕半导体沟道的栅极结构。栅极结构包括第一介电层，该第一介电层包括具有掺杂剂的第一介电材料。第二介电层在第一介电层上，并且包括基本上不含掺杂剂的第二介电材料。金属填充层在第二...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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