含杂原子稠环胺化合物、材料、功能层和OLED器件制造技术

本发明专利技术涉及有机光电发光材料技术领域，具体而言，涉及含杂原子稠环胺化合物、材料、功能层和OLED器件。本发明专利技术提供一种含杂原子稠环胺化合物，其结构式如通式I所示：其中，虚线芳香环表示其可选择性存在，R1‑

【技术实现步骤摘要】
含杂原子稠环胺化合物、材料、功能层和OLED器件


[0001]本专利技术涉及有机光电发光材料
，具体而言，涉及含杂原子稠环胺化合物、材料、功能层和OLED器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。利用有机发光现象的有机电气元件通常具有阳极、阴极及它们之间包括有机物层的结构。为了提高有机电气元件的效率和稳定性，有机物层通常由各种不同物质构成的多层结构组成。
[0003]应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
[0004]空穴传输层(HTL)负责调节空穴的注入速度和注入量，在所述OLED中，酞菁铜(CuPc)、4，4
’‑
双[N
‑
(1
‑
萘基)
‑
N
‑
苯基氨基]联苯(NPB)、N，N
’‑
二苯基
‑
N，N
’‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
(1，1
’‑
联苯基)
‑
4，4
’‑
二胺(TPD)、4，4
’
，4
”‑
三(3
‑
甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)等常用作在空穴传输区域中包含的化合物。然而，使用这些材料的OLED在量子效率和使用寿命方面存在问题。这是因为当在高电流下驱动OLED时，在阳极与空穴注入层之间出现热应力，并且所述热应力显著降低装置的使用寿命。此外，由于空穴传输区域中使用的有机材料具有非常高的空穴迁移率，所以可能破坏空穴
‑
电子电荷平衡并且量子效率(cd/A)可能降低。
[0005]因此，为了解决上述问题通常会在空穴输送层和发光层之间加入发光辅助层(即设置多层空穴输送层)提高器件寿命和效率。发光辅助层能够起到减少空穴传输层与发光层之间的势垒，降低有机电致发光器件的驱动电压的作用，进一步增加空穴的利用率，从而改善器件的发光效率和寿命。但是现有能够形成发光辅助层的功能材料较少，且提升性能不高，特别是，其玻璃化温度较低，导致OLED的寿命和发光效率提升不明显，因此开发更高性能的有机功能材料，满足面板制造企业的要求，显得尤为重要。
[0006]鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供含杂原子稠环胺化合物、材料、功能层和OLED器件。该杂原子稠环胺化合物作为形成发光辅助层或空穴传输层的材料时，具有较高的玻璃化温度，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的寿命和发光效率。
[0008]本专利技术是这样实现的：
[0009]第一方面，本专利技术提供一种含杂原子稠环胺化合物，其结构式如通式|所示：
[0010]其中，虚线芳香环表示其可选择性存在，
[0011]R1‑
R4均表示对应芳香环上至少一个任意位置的取代基；
[0012]R1‑
R4分别独立的选自氢、氘、烷基、环烷基、氰基、烷氧基、取代或未取代亚芳基、取代或未取代亚杂芳基和通式‖所示基团中的任意一种；
[0013]进一步地，Ar1和Ar2之间可以独立以对应取代基存在，也可以相互成键或成环；
[0014]且当Ar1和Ar2之间可以独立以对应取代基存在时，L1‑
L3、Ar1和Ar2分别独立的选自氢、取代或未取代环烷基、取代或未取代亚芳基和取代或未取代亚杂芳基中的任意一种；
[0015]且R1‑
R4中至少一者为通式‖所示基团；
[0016]X选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(R5)(R6)
‑
和
‑
N(R7)
‑
中的任意一种；
[0017]当Y连接的虚线所示的芳香环不存在时，Y选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(R5)(R6)
‑
和
‑
N(R7)
‑
中的任意一种；
[0018]当Y连接的虚线所示的芳香环存在时，Y选自
‑
C
‑
；
[0019]进一步地，R5和R6分别独立选自氢、烷基、芳基和环烷基中的任意一种；
[0020]R7选自芳香基或环烷基。
[0021]第二方面，本专利技术提供一种用于OLED器件的材料，其包括前述实施方式任一项所述的含杂原子稠环胺化合物；
[0022]优选地，所述用于OLED器件的材料为制备发光辅助层的发光辅助材料或者制备空穴传输层的空穴传输材料。
[0023]第三方面，本专利技术提供一种功能层，其通过前述实施方式所述的用于OLED器件的材料制备得到，
[0024]优选地，所述功能层为发光辅助层和/或空穴传输层。
[0025]第四方面，本专利技术提供一种OLED器件，其包括前述实施方式所述的功能层。
[0026]本专利技术具有以下有益效果：该杂原子稠环胺化合物作为形成发光辅助层或空穴传输层的材料时，稠环的存在使化合物结构的刚性增加，提升稳定性能的同时，激子在其中也具有较高的迁移率，提高了器件的发光效率和寿命。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0028]本专利技术实施例提供一种含杂原子稠环胺化合物，其结构式如通式|所示：
[0029]专利技术人对上述结构式中的母核的环进行标号，如下所示：
[0030]其中，虚线芳香环表示其可选择性存在即虚线表示对应芳香环可以存在也可以不存在，也就是说，环1即
①
所对应的苯环可以存在与环2形成稠环，环1也可不存在，环2未与环1形成稠合环；同理，环3也可以存在与环2形成稠环，也可以不存在，或者环1和环3都不存在，环2均未与环1和环3稠合，而仅与环4稠合；同理，环6、环7和环8可以存在也可以不存在，对应形成稠合环。
[0031]进一步地，X选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(R5)(R6)
‑
和
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含杂原子稠环胺化合物，其特征在于，其结构式如通式|所示：其中，虚线芳香环表示其可选择性存在，R1‑
R4均表示对应芳香环上至少一个任意位置的取代基；R1‑
R4分别独立的选自氢、氘、烷基、环烷基、氰基、烷氧基、取代或未取代亚芳基、取代或未取代亚杂芳基和通式‖所示基团中的任意一种；进一步地，Ar1和Ar2之间可以独立以对应取代基存在，也可以相互成键或成环；且当Ar1和Ar2之间可以独立以对应取代基存在时，L1‑
L3、Ar1和Ar2分别独立的选自氢、取代或未取代环烷基、取代或未取代亚芳基和取代或未取代亚杂芳基中的任意一种；且R1‑
R4中至少一者为通式‖所示基团；X选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(R5)(R6)
‑
和
‑
N(R7)
‑
中的任意一种；当Y连接的虚线所示的芳香环不存在时，Y选自
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(R5)(R6)
‑
和
‑
N(R7)
‑
中的任意一种；当Y连接的虚线所示的芳香环存在时，Y选自
‑
C
‑
；进一步地，R5和R6分别独立选自氢、烷基、芳基和环烷基中的任意一种；R7选自芳基或环烷基。2.根据权利要求1所述的含杂原子稠环胺化合物，其特征在于，所述含杂原子稠环胺化合物选自下述结构式所示化合物中的任意一种：
优选地，所述含杂原子稠环胺化合物选自下述结构式所示化合物；其中，R1所示的取代基的位置为3位，4位、5位、6位、8位和13位中的至少一个；R2所示的取代基的位置为22位、27位和21位中的至少一个；R4所示的取代基的位置为15位、16位和17位中的至少一个；优选地，R1，R2，R4取代的总个数为0
‑
4；优选地，R1、R2和R4中至少一者为通式‖所示基团时，通式‖所示基团的位置可以为上述通式中4位、5位、8位、16位、17位、22位和27位中的至少一个；优选地，通式‖所示基团的个数为1个或2个；优选地，所述含杂原子稠环胺化合物选自下述结构式所示化合物；
其中，R1所示的取代基的位置为2位或7位，R3所示的取代基的位置为9位、10位、11和12位中的至少一个，R2所示的取代基的位置为21位、22位和27位中的至少一个；R4所示的取代基的位置为15位、16位和17位中的至少一个；优选地，R1，R2，R3和R4取代的总个数为0
‑
4；优选地，R1‑
R4中至少一者为通式‖所示基团时，通式‖所示基团的位置可以为上述通式中2位、7位、10位、11位、16位、17位、22位和27位中的至少一个；优选地，通式‖所示基团的个数为1个或2个；优选地，所述含杂原子稠环胺化合物选自下述结构式所示化合物：其中，R1‑
R4中至少一者为通式‖所示基团时，通式‖所示基团的位置可以为上述通式中1
‑
28位中的任意至少一个位置；剩余R1‑
R4分别独立选自氢、氘、烷基、取代或未取代亚芳基和取代或未取代亚杂芳基中的任意一种；优选地，通式‖所示基团的个数为1个、2个、3个或者4个；优选地，通式‖所示基团的位置选自4位、5位、9位、10位、11位、16位、17位、18位、19位、20位、22位、2...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓宇，汪康，张雪，赵贺，于丹阳，张颖，李金磊，
申请(专利权)人：吉林奥来德光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：