减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台制造技术

本实用新型专利技术为一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，提供一蚀刻后的发光二极体磊晶片，其中蚀刻后的发光二极体磊晶片包括复数个蚀刻沟槽及复数个平台构造，平台构造的一蚀刻侧墙包括一n型半导体层、一多重量子井及一p型半导体层的层迭。对蚀刻后的发光二极体磊晶片进行两阶段的原子层沉积，其中两阶段的原子层沉积的温度区间不同。第一原子层沉积可用以修补平台构造的蚀刻侧墙上的悬浮键及缺陷，而第二原子层沉积则用以在平台构造的蚀刻侧墙上形成钝化层。通过本实用新型专利技术所述的制作机台，可减少微发光二极体产生非辐射复合，并可有效提高微发光二极体的发光亮度及发光效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台


[0001]本技术有关于一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，可减少微发光二极体产生非辐射复合，并可有效提高微发光二极体的发光亮度及发光效率。

技术介绍

[0002]发光二极体具有转换效率高、使用寿命长、体积小及安全性高等优点，已经成为新一代的照明光源。此外发光二极体亦取代传统的冷阴极管成为显示面板的背光源，特别适用于体积较小的可携式电子装置，例如笔记型电脑、手机及平板电脑等。
[0003]液晶显示器并非自发光，并存在效率不佳的问题，即使液晶显示器显示白色，背光源发射的光通常只有不到10％会穿过面板，增加可携式电子装置的耗电量。液晶显示器除了背光源之外，还需要搭配偏光器、液晶及彩色滤光片等装置，造成液晶显示器的尺寸无法进一步缩小。
[0004]相较之下，有机发光二极体具有自发光、广视角、高对比、低耗电、高反应速率及具可绕性等优点，已逐渐取代液晶显示器成为新一代可携式电子装置的显示器。但有机发光二极体仍存在烙印、寿命较短、色衰退及PWM调光等问题，而各大厂商亦开始发展下一代的显示面板。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，其特征在于，包括：一连接腔体，包括至少一机械手臂，用以传送至少一蚀刻后的发光二极体磊晶片，其中该蚀刻后的发光二极体磊晶片包括复数个蚀刻沟槽及复数个平台构造，该平台构造包括一顶表面及至少一蚀刻侧墙；至少一第一原子层沉积腔体，连接该连接腔体，其中该机械手臂将该蚀刻后的发光二极体磊晶片传送至该第一原子层沉积腔体，并在该第一原子层沉积腔体内以一第一温度区间对该蚀刻后的发光二极体磊晶片进行一第一原子层沉积；及至少一第二原子层沉积腔体，连接该连接腔体，其中该机械手臂将经过该第一原子层沉积的该蚀刻后的发光二极体磊晶片由该第一原子层沉积腔体传送至该第二原子层沉积腔体，并在该第二原子层沉积腔体内以一第二温度区间对该蚀刻后的发光二极体磊晶片进行一第二原子层沉积，以在该平台构造的该蚀刻侧墙形成一钝化层，其中该第一温度区间与该第二温度区间不同。2.根据权利要求1所述的减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，其特征在于，其中该第一原子层沉积腔体用以修补该蚀刻后的发光二极体磊晶片的至少一悬浮键或至少一缺陷。3.根据权利要求1所述的减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，其特征在于，其中该第二原子层沉积腔体在该平台构造的部分该顶表面设置该钝化层。4.根据权利要求1所述的减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，其特征在于，其中该第一原子层沉积腔体及该第二原子层沉积腔体使用的一前驱物气体包括有机金属化合物、有机硅化合物、氯化硅化合物、水、二元醇、臭氧或乙醇。5.一种减少非辐射复合的微发光二极体的制作机台，其特征在于，包括：一连接腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：