发光器件、发光器件的制造方法及显示面板技术

本发明专利技术实施例所提供的发光器件、发光器件的制造方法以及显示面板，发光器件包括基板、发光器件层、第一阴极金属层、金属抑制层以及第二阴极金属层，金属抑制层与发光器件层所包括的像素单元的在第一阴极金属层上的正投影对应，通过金属抑制层能够抑制第二阴极金属层蒸镀到像素单元靠近金属抑制层的一侧，以实现发光器件的发光区域对应较薄的第一阴极金属层，这样可以改善发光器件的视角色偏。此外，第二阴极金属层至少部分位于金属抑制层对应的第一开口内且与第一阴极金属层导通，能够实现发光器件的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层，从而减少发光器件因薄化第一阴极金属层而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件的性能异常。性能异常。性能异常。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件的制造方法及显示面板


[0001]本专利技术属于显示
，具体涉及一种发光器件、发光器件的制造方法及显示面板。

技术介绍

[0002]随着智能显示设备技术的不断发展，用户对于显示质量的要求越来越高。对于一些曲面显示设备或者折叠显示设备而言，屏体的视角偏差是衡量显示质量的其中一个因素。然而，在采用相关技术进行视角偏差的改善时，可能会对显示设备的其他性能产生不利影响。

技术实现思路

[0003]为改善上述技术问题，本专利技术提供了一种发光器件、发光器件的制造方法及显示面板，通过发光器件的不同阴极金属层进行差异化设计，不仅能够改善发光器件的视角偏差，还能够避免对发光器件的其他性能产生不利影响，进而在改善发光器件的视角偏差的前提下确保发光器件的正常工作。
[0004]本专利技术实施例的第一方面，提供了一种发光器件(100)，包括：
[0005]基板(10)；
[0006]发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；
[0007]第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；
[0008]金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；
[0009]第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。
[0010]在第一方面的一个可替换的实施例中，还包括金属覆盖层(40)；
[0011]所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(51)和所述第二开口(52)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通。
[0012]在第一方面的一个可替换的实施例中，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；
[0013]所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；
[0014]所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。
[0015]在第一方面的一个可替换的实施例中，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。
[0016]在第一方面的一个可替换的实施例中，每个所述像素单元在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于一个对应的金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影内。
[0017]在第一方面的一个可替换的实施例中，所述第一阴极金属层(30)的厚度大于等于5nm，所述第二阴极金属层(60)的厚度大于等于5nm。
[0018]在第一方面的一个可替换的实施例中，所述金属抑制层(50)的厚度大于等于3nm，所述金属覆盖层(40)的厚度大于等于3nm且小于等于100nm。
[0019]本专利技术实施例的第二方面，提供了一种发光器件的制造方法，所述方法包括：
[0020]提供一基板(10)；
[0021]在所述基板(10)的一侧形成包括多个间隔设置的像素单元的发光器件层(20)；
[0022]在所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧形成第一阴极金属层(30)；
[0023]在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)；
[0024]在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成至少部分位于所述第一开口(52)内的第二阴极金属层(60)；其中，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。
[0025]在第二方面的一个可替换的实施例中，在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成具有第一开口(52)的金属抑制层(50)，包括：
[0026]在所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧形成金属覆盖层(40)，并在所述金属覆盖层(40)上开设第二开口(42)；
[0027]在所述金属覆盖层(40)远离所述第一阴极金属层(30)的一侧形成金属抑制层(50)，并在所述金属抑制层(50)上开设连通于所述第二开口(42)的第一开口(52)。
[0028]本专利技术实施例的第三方面，提供了一种显示面板，包括第一方面所述的发光器件(100)。
[0029]综上所述，相较于现有技术，本专利技术实施例所提供的发光器件、发光器件的制造方法以及显示面板，发光器件包括基板、发光器件层、第一阴极金属层、金属抑制层以及第二阴极金属层，金属抑制层与发光器件层所包括的像素单元的在第一阴极金属层上的正投影对应，通过金属抑制层能够抑制第二阴极金属层蒸镀到像素单元靠近金属抑制层的一侧，以实现发光器件的发光区域对应较薄的第一阴极金属层，这样可以改善发光器件的视角色偏。此外，第二阴极金属层至少部分位于金属抑制层对应的第一开口内且与第一阴极金属层导通，能够实现发光器件的非发光区域对应较厚的第二阴极金属层，从而减少发光器件因薄化第一阴极金属层而带来的压降升高的问题，进而避免发光器件的性能异常。
附图说明
[0030]图1为本专利技术实施例所提供的发光器件的结构示意图。
[0031]图2为本专利技术实施例所提供的发光器件的部分分解示意图。
[0032]图3为本专利技术实施例所提供的发光器件层的像素单元分布示意图。
[0033]图4为本专利技术实施例所提供的发光器件的制造方法的流程示意图。
[0034]图5
‑
图10为图4的发光器件的制造方法中各步骤对应的发光器件的过程结构示意图。
[0035]图标：
[0036]100
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发光器件；
[0037]10
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基板；
[0038]20
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发光器件层；21
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第一像素单元；22
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第二像素单元；23
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第三像素单元；
[0039]30
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第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件(100)，其特征在于，包括：基板(10)；发光器件层(20)，所述发光器件层(20)位于所述基板(10)的一侧且包括多个间隔设置的像素单元；第一阴极金属层(30)，所述第一阴极金属层(30)位于所述发光器件层(20)远离所述基板(10)的一侧；金属抑制层(50)，所述金属抑制层(50)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧，且所述金属抑制层(50)开设有第一开口(52)；第二阴极金属层(60)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一阴极金属层(30)远离所述发光器件层(20)的一侧并至少部分位于所述第一开口(52)内，所述第二阴极金属层(60)与所述第一阴极金属层(30)导通，所述第二阴极金属层(60)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影位于各所述像素单元在所述第一阴极金属层(60)上的正投影之间。2.根据权利要求1所述的发光器件(100)，其特征在于，还包括金属覆盖层(40)；所述金属覆盖层(40)位于所述金属抑制层(50)和所述第一阴极金属层(30)之间，所述金属覆盖层(40)开设有与所述第一开口(52)连通的第二开口(42)，所述第二阴极金属层(60)位于所述第一开口(51)和所述第二开口(52)共同形成的容纳空间内并与所述第一阴极金属层(30)导通。3.根据权利要求2所述的发光器件(100)，其特征在于，所述金属抑制层(50)包括多个金属抑制单元(51)，相邻的两个金属抑制单元(51)之间形成所述第一开口(52)；所述金属覆盖层(40)包括多个金属覆盖单元(41)，相邻的两个金属覆盖单元(41)之间形成所述第二开口(42)；所述第二阴极金属层(60)包括多个阴极金属单元(61)，每个阴极金属单元(61)填充于一个所述容纳空间内。4.根据权利要求3所述的发光器件(100)，其特征在于，每个所述金属抑制单元(51)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影与一个对应的金属覆盖单元(41)在所述第一阴极金属层(30)上的正投影重合。5.根据权利要求3所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏圣勋，刘强，李灏，刘亚伟，杜哲，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：