一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法，包括在硅基OLED的阳极反射金属层和透明金属氧化物ITO层之间增加一层薄层的纳米金属团簇，利用OLED发光过程中光子激发纳米金属团簇形成表面等离子激元效应，通过表面等离子激元电

【技术实现步骤摘要】
一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于硅基OLED发光器件领域，具体涉及一种提高硅基OLED发光效率的器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。硅基OLED均为顶发射器件，而且应用于AR产品中，要求器件有更高的亮度，为了达到产品要求：一方面使用性能更高的OLED材料，来提高其发光效率；另一方面，使用多单元叠层结构来提高发光效率和亮度。以上两种方法均存在局限性，OLED材料研发周期长，性能提升也会有一定的瓶颈；而叠层器件工作电压高，功耗高。
[0003]对于一个常规的OLED器件，其发光效率只有20％(外量子效率)左右，大部分光由于光学和电学的原因被限制在器件内部，表面等离子模态是限制限制出光的电学原因之一。其主要作用机理是，顶发射OLED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，包括阳极反射层，所述阳极反射层上设置金属纳米团簇层，所述金属纳米团簇层上设置阳极接触层。2.根据权利要求1所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，所述阳极反射层材料为金属Ag或者Al。3.根据权利要求1或2所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，所述阳极反射层厚度为100nm
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150nm。4.根据权利要求1所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，所述金属纳米团簇层膜厚为1
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11nm。5.根据权利要求1所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，对于单色OLED器件，则金属纳米团簇层膜厚是同一厚度；或，对于彩色的OLED器件，则RGB对应的像素上的团簇厚度不同，蓝色对应Ag纳米团簇的厚度为1nm
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3nm；绿色对应Ag纳米团簇的厚度为5nm
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7nm；红色对应Ag纳米团簇的厚度为9nm
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11nm。6.根据权利要求1或4所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，所述金属纳米团簇层表面平坦度小于2nm。7.根据权利要求1或4所述的提高硅基OLED发光效率的器件，其特征在于，所述阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕磊，李维维，刘胜芳，许嵩，刘晓佳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：