本发明专利技术公开了一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求，在响应擦除中断的同时启动负电荷泵；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，通过正电荷泵对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样不但可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题，还可以保证读指令的响应时间要求。响应时间要求。响应时间要求。
【技术实现步骤摘要】
防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端
[0001]本专利技术涉及flash
，尤其涉及的是一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端。
技术介绍
[0002]在NOR FLASH在擦除阵列A(Array A)内的扇区A(sector A)过程中，如果接收到暂停指令(erase suspend command)，若此时内部算法流程正在处于擦除的步骤（如图1所示），还没有到修复“过擦除”单元的步骤就暂停(即分支2)，那么在擦除暂停期间如果读取同一个阵列A（Array A）内的另一个扇区B（sectorB）的数据时可能会出错，读出的数据是一个随机值(取决于扇区A中“过擦除”单元的数量和分布，因为“过擦除”单元的阈值电压一般为负值，在读取扇区B的数据时，若扇区B中存在“过擦除”单元，0v不能使“过擦除”单元关闭，“过擦除”单元会产生电流，导致读数据出错，如图2所示)。
[0003]为避免上述的问题，现有的做法是：在收到擦除暂停指令后，先执行过擦除修复之后再响应用户暂停擦除指令，以此来消除“过擦除”单元对其他sector的读数据错误（如图3所示），然而过擦除修复往往需要比较久的时间，无法满足用户对擦除暂停的响应的时间要求（Tsus）。
[0004]因此，现有的技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有技术不能同时兼顾在NOR FLASH接收到擦除暂停指令后快速执行响应的时间要求和避免暂停期间过擦除造成读错误的问题。
[0006]本专利技术的技术方案如下：本技术方案提供一种防止因过擦除造成读错误的方法，具体包括以下步骤：接收擦除暂停指令；响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出；接收读操作指令；根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。
[0007]本技术方案中，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，则对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题。
[0008]进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于芯片的同一个列中。
[0009]进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读
操作指令的存储单元位于两个不同的块中，两个不同的块位于芯片的同一个列中。
[0010]进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的扇区中，两个不同的扇区位于芯片的同一个列中。
[0011]进一步地，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，所述负电荷泵在响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出同时启动。
[0012]进一步地，通过负电压电路为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。
[0013]进一步地，通过负压输出电源为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。
[0014]本技术方案还提供一种防止因过擦除造成读错误的装置，包括：暂停指令接收模块，接收擦除暂停指令；响应退出模块，响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出；读指令接收模块，接收读操作指令；电压施加模块，根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。
[0015]本技术方案还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。
[0016]本技术方案还提供一种终端，包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，用于执行上述任一项所述的方法。
[0017]通过上述可知，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求，在响应擦除中断的同时启动负电荷泵；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，通过正电荷泵对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样不但可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题，还可以保证读指令的响应时间要求。
附图说明
[0018]图1是现有技术中擦除算法流程示意图。
[0019]图2是现有技术中区块的结构示意图。
[0020]图3是现有技术中针对在擦除暂停期间解决过擦除造成的读数据错误的方法流程图。
[0021]图4是本专利技术中防止因过擦除造成读错误的方法的步骤流程图。
[0022]图5是本专利技术中防止因过擦除造成读错误的装置的示意图。
[0023]图6是本专利技术中终端的示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的
范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]如图4所示，一种防止因过擦除造成读错误的方法，适用于NOR FLASH芯片，具体包括以下步骤：S1：接收擦除暂停指令。
[0027]其中，在对芯片的一个阵列(Array)内的一个块（block）或一个扇区(sector)执行擦除操作（block erase（块擦除）或sector erase（扇区擦除））的过程中，有可能会接收到用户发送的擦除暂停指令；在储存器芯片中，一般情况下，扇区的大小为4096个byte，块的大小为65536个byte，对于128Mbit容量的芯片，含有256个块，通常我们会将部分块放在同一个阵列中，如将32个块放在一个阵列中，在一个阵列中的储存单元的衬底接到一起，所以，如果在一个阵列中的某一块或者扇区执行擦除暂停指令期间，读取该这列中的另一个块或者扇区的数据，会因为执行擦除暂停指令的块或者扇区存在过擦除单元而导致读数据错误。
[0028]S2：响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出。
[0029]S3：接收读操作指令。
[0030]其中，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种防止因过擦除造成读错误的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：接收擦除暂停指令；响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出；接收读操作指令；根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。2.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法，其特征在于，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于芯片的同一个列中。3.根据权利要求2所述的防止因过擦除造成读错误的方法，其特征在于，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的块中，两个不同的块位于芯片的同一个列中。4.根据权利要求2所述的防止因过擦除造成读错误的方法，其特征在于，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的扇区中，两个不同的扇区位于芯片的同一个列中。5.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法，其特征在于，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯鹏亮，陈纬荣，陈慧，王明，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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