制备(I-III-VI族)AgInS2量子点的方法技术

本发明专利技术公开了制备(I

【技术实现步骤摘要】
制备(I
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III
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VI族)AgInS2量子点的方法


[0001]本专利技术涉及材料领域，具体而言，本专利技术涉及制备(I
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III
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VI族)AgInS2量子点的方法。

技术介绍

[0002]量子点(QD)又称为半导体纳米晶，表现出独特的电子和光学性质，如激发光谱宽、发射光谱窄、发光波长随尺寸组分可调、光稳定性好等，这些特点使他们广泛应用于生物成像、发光二极管、太阳能电池和发光器件等领域中。
[0003]目前，人们应用最多的是二元量子点，这些量子点多由II
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VI族和IV
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VI族半导体元素组成，如CdSe、CdTe和PbS等，而这些量子点中含有Cd、Pb等重金属元素潜在的毒性却极大限制了其实际应用。
[0004]AgInS2量子点不含重金属元素，具有其低毒环保的优点，并且在可见光区域具有很大的吸收系数，是一种极具潜力的发光材料。
[0005]对于AgInS2量子点的合成，存在的普遍挑战是平衡两种阳离子前体与一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备AgInS2量子点的方法，其特征在于，包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS2量子点原液；对所述AgInS2量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS2量子点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ag源选自醋酸银、碳酸银、硝酸银、硫酸盐、卤化银中的至少之一；任选地，所述In源选自醋酸铟、硝酸铟、硫酸铟、卤化铟、乙酰丙酮铟中的至少之一；任选地，所述表面配体为十二硫醇；任选地，所述S源选自硫脲、N,N
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二甲基硫脲、硫单质中的至少之一；任选地，所述第一溶剂选自油胺、十八胺、十八烯中的至少之一；任选地，所述第二溶剂选自乙醇、甲醇、正丙醇、异丙醇中的至少之一。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ag源、所述In源、所述表面配体、所述第一溶剂的摩尔比为1:(0.5～3):(2～8):(60～70)；任选地，按照所述阳离子前驱体溶液中Ag
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与所述S源的摩尔比为1:(2～10)，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液；任选地，按照1～20mL/h的速率，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，优选地，按照1～20mL/h的速率，向所述阳离子前驱体溶液中以连续滴注的方式注入所述阴离子前驱体溶液。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二溶剂预先预热至50～70℃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一加热处理所采用的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙笑，程陆玲，
申请(专利权)人：合肥福纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：