硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置，硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板的制备方法包括：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。本发明专利技术实施例的蓝色像素区对应的第一滤光层在光提取层上形成，使得第一滤光层的厚度可控，从而减小第一滤光层的厚度，提高第一滤光层的透过率，且光提取层具有较高的透光能力，进一步提升第一滤光层的透过率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置


[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，有机发光显示技术应用也越来越广泛。硅基有机发光显示面板具有像素尺寸小，像素密度高的优势，在军用场所、VR/AR以及自动驾驶等领域应用广泛。
[0003]目前微显示技术一般采用白色发光层加彩色滤光层的OLED器件结构，彩色滤光层包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。在制备过程中，在先制备红色滤光单元或者绿色滤光单元，后制备蓝色滤光单元时，蓝色滤光单元厚度较大，且蓝色滤光单元透过率较差。为了发光器件能够达到较好的发光效果，需提高发光亮度，从而导致发光器件的寿命降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置，以实现提高蓝色滤光层的透过率，降低器件的功耗。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法，所述硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；所述制备方法包括：
[0006]在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；
[0007]在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；
[0008]在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的所述蓝色像素区、所述红色像素区和所述绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，所述第一滤光层覆盖所述光提取层。/>[0009]可选的，所述光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
[0010]可选的，所述在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层包括：
[0011]在所述封装层上形成光提取材料层；
[0012]将所述光提取材料层进行光刻形成所述光提取层。
[0013]可选的，所述光提取材料层的材料为含有10
‑
20nm粒径的二氧化钛或二氧化锆的可固化树脂。
[0014]可选的，所述光提取层的厚度为0.5um
‑
1.5um。
[0015]可选的，所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第二滤光层的厚度；
[0016]和/或所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第三滤光层的厚度。
[0017]第二方面，本专利技术实施例还提供了硅基显示面板，其特征在于，所述硅基显示面板
具有红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区，所述硅基显示面板包括：
[0018]硅基驱动板；
[0019]发光器件层，位于所述硅基驱动板的一侧；
[0020]封装层，与所述发光器件层位于所述硅基驱动板的同一侧，所述封装层封装所述发光器件层；
[0021]光提取层，位于所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区；
[0022]第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层，分别位于所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的所述蓝色像素区、所述红色像素区和所述绿色像素；其中，所述第一滤光层覆盖所述光提取层。
[0023]可选的，所述光提取层的折射率为1.7
‑
2.0。
[0024]可选的，所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第二滤光层的厚度；
[0025]和/或所述光提取层和所述第一滤光层的厚度之和大于所述第三滤光层的厚度。
[0026]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述第二方面中任一项所述的硅基显示面板。
[0027]本专利技术实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法、硅基显示面板及显示装置，硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；硅基显示面板的制备方法包括：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；在封装层远离硅基驱动板的一侧的蓝色像素区、红色像素区和绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，第一滤光层覆盖光提取层。本专利技术实施例的蓝色像素区对应的第一滤光层覆盖光提取层，由于第一滤光层在光提取层上形成，使得第一滤光层的厚度可控，从而减小第一滤光层的厚度，提高第一滤光层的透过率，且光提取层具有较高的透光能力，进一步提升第一滤光层的透过率，从而提高蓝色像素区的透过率。
附图说明
[0028]图1是本专利技术实施例提供的一种硅基显示面板的制备方法的流程图。
[0029]图2是本专利技术实施例提供的一种形成封装层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
[0030]图3是本专利技术实施例提供的一种形成光提取材料层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
[0031]图4是本专利技术实施例提供的一种形成光提取层后的硅基显示面板的截面结构示意图。
[0032]图5是本专利技术实施例提供的一种硅基显示面板的截面结构示意图。
[0033]图6是本专利技术实施例提供的另一种硅基显示面板的制备方法的流程图。
[0034]图7是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描
述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0036]正如
技术介绍
中所述，目前硅基显示面板存在蓝色像素区对应的彩色滤光层透过率低，导致器件功耗大的问题。经专利技术人研究发现，出现上述问题的原因在于，目前的硅基显示面板的彩色滤光层采用半导体厂的光刻设备来生产，在芯片上旋涂光刻胶，将光刻胶滴在芯片的中心区域，通过芯片旋转使得光刻胶覆盖芯片所有需要形成彩色滤光层的区域。在依次制备不同的彩色滤光层时，因上一个制备形成的彩色滤光层具有一定的高度，因此，在制备下一个彩色滤光层时，为使得芯片所有需要形成彩色滤光层的区域均能覆盖到光刻胶，光刻胶的用量变大，进而导致下一个彩色滤光层的厚度比上一个彩色滤光层的厚度变大。因此，当制备彩色滤光层时，先做红色像素区或绿色像素区对应的彩色滤光层，再做蓝色像素区对应的彩色滤光层时，会使蓝色像素区对应的彩色滤光层的厚度变大，降低蓝色像素区的透过率。
[0037]基于上述原因，本专利技术实施例提供了一种硅基显示面板的制备方法，图1为本专利技术实施例提供的一种硅基显示面板的制备方法的流程图，图2
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5为本专利技术实施例提供的制备方法中的步骤所对应的硅基显示面板的剖面示意图。图2为本专利技术实施例提供的一种形成封装层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图3为本专利技术实施例提供的一种形成光提取材料层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图4为本专利技术实施例提供的一种形成光提取层后的硅基显示面板的截面结构示意图，图5为本专利技术实施例提供的一种硅基显示面板的截面结构示意图，该显示面板可由本实施例的硅基显示面板的制备方法制备，参考图1
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图5，硅基显示面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基显示面板的制备方法，其特征在于，所述硅基显示面板包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区；所述制备方法包括：在硅基驱动板的一侧依次形成发光器件层和封装层；在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层；在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的所述蓝色像素区、所述红色像素区和所述绿色像素区分别形成第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层；其中，所述第一滤光层覆盖所述光提取层。2.根据权利要求1所述的硅基显示面板的制备方法，其特征在于，所述光提取层的折射率为1.7
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2.0。3.根据权利要求1所述的硅基显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述封装层远离所述硅基驱动板的一侧的蓝色像素区形成光提取层包括：在所述封装层上形成光提取材料层；将所述光提取材料层进行光刻形成所述光提取层。4.根据权利要求3所述的硅基显示面板的制备方法，其特征在于，所述光提取材料层的材料为含有10
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20nm粒径的二氧化钛或二氧化锆的可固化树脂。5.根据权利要求1所述的硅基显示面板的制备方法，其特征在于，所述光提取层的厚度为0.5um
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1.5um。6.根据权利要求1所述的硅基显...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉龙，季渊，潘仲光，
申请(专利权)人：南京昀光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：