具有氮化硅缓冲层的显示设备及其制造方法技术

公开了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。该显示设备包括基底。第一缓冲层设置在基底之上。第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比。薄膜晶体管设置在第一缓冲层之上。薄膜晶体管包括有源层。显示元件电连接到薄膜晶体管。到薄膜晶体管。到薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】
具有氮化硅缓冲层的显示设备及其制造方法
[0001]本申请要求于2020年3月13日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0031314号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。


[0002]本公开涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种具有氮化硅缓冲层的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。

技术介绍

[0003]通常，显示设备包括用于显示图像的显示元件。显示设备有各种类型，并且可以用在各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置或智能电视)中。
[0004]显示设备通常通过使用与设置在其中的显示元件中的每个电连接的薄膜晶体管来控制每个显示元件的操作。

技术实现思路

[0005]根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底；第一缓冲层，设置在基底之上，第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比；薄膜晶体管，设置在第一缓冲层之上，薄膜晶体管包括有源层；以及显示元件，电连接到薄膜晶体管。
[0006]显示设备还可以包括设置在第一缓冲层与薄膜晶体管之间的第二缓冲层。
[0007]第二缓冲层可以包含氧化硅。
[0008]薄膜晶体管可以包括栅电极和有源层，并且有源层距第一缓冲层可以比栅电极距第一缓冲层近。
[0009]栅电极可以包含铝。
[0010]栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料。
[0011]栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含钛。
[0012]栅电极可以包括包含铝的第一层和设置在第一层上的第二层。第二层可以包含氮化钛。
[0013]栅电极还可以包括设置在第二层上的第三层，第三层可以包含钛。
[0014]根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底上形成第一缓冲层，第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于约0.36且等于或小于约1.01的键合到硅的氢的原子百分比；在第一缓冲层之上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层；以及形成电连接到薄膜晶体管的显示元件。
[0015]该方法还可以包括在第一缓冲层上形成第二缓冲层。形成薄膜晶体管的步骤可以包括在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括有源层。
[0016]形成第二缓冲层的步骤可以包括形成氧化硅层。
[0017]形成薄膜晶体管的步骤可以包括形成有源层和在有源层之上形成栅电极。
[0018]形成栅电极的步骤可以包括使用包含铝的材料。
[0019]形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。
[0020]形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用包含钛的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。
[0021]形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用包含氮化钛的材料在第一临时层上形成第二临时层；以及同时对第一临时层和第二临时层进行图案化以形成栅电极。
[0022]形成栅电极的步骤可以包括：通过使用包含铝的材料形成第一临时层；通过使用包含氮化钛的材料在第一临时层上形成第二临时层；通过使用包含钛的材料在第二临时层上形成第三临时层；以及同时对第一临时层、第二临时层和第三临时层进行图案化以形成栅电极。
[0023]形成第一缓冲层的步骤可以包括通过仅使用氮气和硅烷气形成第一缓冲层。
[0024]形成第一缓冲层的步骤可以包括通过将氮气的流速保持为硅烷气的流速的至少160倍来形成第一缓冲层。
[0025]一种显示设备包括基底。缓冲层设置在基底上。缓冲层包含氮化硅。薄膜晶体管设置在缓冲层上。薄膜晶体管被配置为控制显示元件。
附图说明
[0026]通过结合附图进行的下面的描述，公开的特定实施例的以上和其他方面和特征将更明显，在附图中：
[0027]图1是根据本公开的示例性实施例的显示设备的一部分的平面图；
[0028]图2是包括图1的元件的显示设备的侧视图；
[0029]图3是示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
[0030]图4是示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
[0031]图5是示出图1的显示设备的一部分的剖视图；
[0032]图6是示出包括在图1的显示设备中的薄膜晶体管的驱动范围与根据对比示例的薄膜晶体管的驱动范围相比的图；
[0033]图7是示出薄膜晶体管的根据键合到硅的氢的原子百分比的驱动范围的图；以及
[0034]图8是示出薄膜晶体管的漏电流根据键合到硅的氢的原子百分比的变化的曲线图。
具体实施方式
[0035]现在将详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以指同样的元件。就这一点而言，本实施例可以具有不同的形式，并
且应不必被解释为限于这里阐述的描述。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。贯穿公开，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
[0036]由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细地描述特定实施例。参照用于示出一个或更多个实施例的附图，以便获得充分的理解、其优点以及由实施方式实现的目标。然而，实施例可以具有不同的形式，并且应不必被解释为限于这里阐述的描述。
[0037]下面将参照附图更详细地描述示例实施例。在已经省略了对元件的详细描述的程度上，可以理解的是，该元件至少与已经在说明书中其他地方描述的对应的元件相似。
[0038]将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为放置“在”另一元件“上”时，该元件可以直接地放置在所述另一元件上，或者也可以存在中间层。为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。
[0039]X轴、Y轴和Z轴不必限于直角坐标系(即，笛卡尔坐标系)的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示不必彼此垂直的不同方向。
[0040]根据本公开的示例性实施例，显示设备可以包括基底。缓冲层可以设置在基底上。缓冲层可以包含氮化硅。薄膜晶体管可以设置在缓冲层上，并且薄膜晶体管可以被配置为控制显示元件。
[0041]图1是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备10的一部分的平面图，并且图2是包括图1中示出的元件的显示设备10的侧视图。在图2中，基底SUB是柔性的，因此显示面板300在弯曲区域BA(见图1)处弯曲。为了便于描述，图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底；第一缓冲层，设置在所述基底上，所述第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于0.36且等于或小于1.01的键合到硅的氢的原子百分比；薄膜晶体管，设置在所述第一缓冲层之上；以及显示元件，电连接到所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述第一缓冲层与所述薄膜晶体管之间的第二缓冲层。3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二缓冲层包含氧化硅。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极和有源层，并且所述有源层距所述第一缓冲层比所述栅电极距所述第一缓冲层近。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包含铝。6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含具有比铝的蚀刻比小的蚀刻比的材料。7.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含钛。8.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述栅电极包括包含铝的第一层和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包含氮化钛。9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述栅电极还包括设置在所述第二层上的第三层，所述第三层包含钛。10.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：在基底上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层包含氮化硅并且具有大于0.36且等于或小于1.01的键合到硅的氢的原子百分比；在所述第一缓冲层之上形成薄膜晶体管；以及形成电连接到所述薄膜晶体管的显示元件。11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，其中，形成所述薄膜晶体管的步骤包括在所述第二缓冲层之上形成所述薄膜晶体管。12.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镕彬，禹荣杰，郭银珍，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：