存储器的测试方法及相关设备技术

本公开实施例提供一种存储器的测试方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，涉及半导体器件测试技术领域。该方法包括：测试第一存储器，获取第一存储器的缺陷信息；根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。本公开实施例提供的技术方案，可以利用其他存储器来存储当前被测试的存储器的修复信息，从而可以扩大存储空间，提高测试效率。测试效率。测试效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器的测试方法及相关设备


[0001]本公开涉及半导体器件测试
，具体而言，涉及一种存储器的测试方法及相关设备。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺尺寸不断缩小，IC(Integrated Circuit，集成电路)设计的规模越来越大，高度复杂的IC产品正面临着高可靠性、高质量、低成本以及更短的产品上市周期等日益严峻的挑战。一方面随着半导体工艺尺寸的缩小，存储器可能存在的缺陷类型越来越多；另一方面，随着IC产品的复杂度的提高，RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)等存储器在IC产品中的比重越来越大。
[0003]以DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器))测试为例，需要用于测试存储器的自动测试设备(Automatic Test Equipment，ATE)的机台内部记忆体空间来记录存储器缺陷位置及备用电路的信息，通过ATE分析运算行为产生修补信息，再进行存储器的修补。
[0004]在较大容量的存储器测试时或需要精准分析时，ATE内部记忆体空间将可能不足，进而被迫暂停测试进行多次测试及修补，造成测试成本增加。相关技术中，由于ATE内部记忆体空间有限，甚至不支持缺陷位置存储及缺陷分析。如果需要增加ATE的记忆体空间，会导致ATE非常昂贵，或者记忆体空间的扩充已经达到了ATE的上限。
[0005]相关技术中存在的一种解决方式是通过高倍率压缩进行测试，但高倍率压缩测试，容易出现无法修补、良率降低的问题。
[0006]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0007]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种存储器的测试方法及相关设备，能够克服上述相关技术存在的ATE机台内存空间有限，无法为存储器测试过程中的缺陷信息、修复信息等提供足够的存储空间的技术问题。
[0008]本公开实施例提供一种存储器的测试方法，所述方法包括：测试第一存储器，获取所述第一存储器的缺陷信息；根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。
[0009]在本公开一些示例性实施例中，在测试所述第一存储器之前，所述方法还包括：测试所述第二存储器，获取所述第二存储器的缺陷信息；存储所述第二存储器的缺陷信息；根据所述第二存储器的缺陷信息，获得所述第二存储器的修复信息；利用所述第二存储器的修复信息修复所述第二存储器。
[0010]在本公开一些示例性实施例中，所述第一存储器和所述第二存储器属于同一存储设备。
[0011]在本公开一些示例性实施例中，所述存储设备还包括控制芯片，所述第一存储器和所述第二存储器依次垂直堆叠于所述控制芯片之上或者之下。
[0012]在本公开一些示例性实施例中，所述第一存储器和所述第二存储器属于不同存储设备，所述不同存储设备的类型相同或者不同。
[0013]在本公开一些示例性实施例中，所述方法还包括：测试第三存储器，获取所述第三存储器的缺陷信息；根据所述第三存储器的缺陷信息，获得所述第三存储器的修复信息；将所述第三存储器的修复信息存储于所述第二存储器中。
[0014]在本公开一些示例性实施例中，所述方法还包括：从所述第二存储器中读取所述第一存储器和所述第三存储器的修复信息；根据所述第一存储器的修复信息修复所述第一存储器，并根据所述第三存储器的修复信息修复所述第三存储器。
[0015]在本公开一些示例性实施例中，所述方法还包括：从所述第二存储器中读取所述第一存储器的修复信息；根据所述第一存储器的修复信息修复所述第一存储器。
[0016]在本公开一些示例性实施例中，所述方法还包括：测试第四存储器，获取所述第四存储器的缺陷信息；根据所述第四存储器的缺陷信息，获得所述第四存储器的修复信息；将所述第四存储器的修复信息存储于所述第一存储器中。
[0017]在本公开一些示例性实施例中，所述方法还包括：获取所述第一存储器的测试数据；将所述第一存储器的测试数据存储于所述第二存储器中。
[0018]在本公开一些示例性实施例中，所述方法由自动测试设备执行。
[0019]本公开实施例提供一种存储器的测试装置，所述装置包括：缺陷信息获取单元，用于测试第一存储器，获取所述第一存储器的缺陷信息；修复信息获得单元，用于根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；修复信息存储单元，用于将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。
[0020]本公开实施例提供一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如上述实施例中所述的方法。
[0021]本公开实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如上述实施例中所述的方法。
[0022]本公开某些实施例提供的存储器的测试方法及装置、电子设备和计算机可读存储介质，可以利用除ATE以外的存储器来存储处于测试过程中的被测存储器的修复信息，由此扩充了被测存储器的修复信息的存储空间，一方面，当面对大容量的存储器的测试时，不需另外增加ATE的内部记忆体空间，降低了测试成本；另一方面，不需要对被测存储器进行分次修补，提升了测试速度，加快了测试过程，缩短了测试时间。
[0023]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据
这些附图获得其他的附图。
[0025]图1示出了相关技术中测试DRAM的示意图。
[0026]图2示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的流程图。
[0027]图3示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的流程图。
[0028]图4示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0029]图5示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0030]图6示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0031]图7示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0032]图8示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0033]图9示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的示意图。
[0034]图10示意性示出了根据本公开一实施例的存储器的测试方法的流程图。
[0035]图11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的测试方法，其特征在于，所述方法包括：测试第一存储器，获取所述第一存储器的缺陷信息；根据所述第一存储器的缺陷信息，获得所述第一存储器的修复信息；将所述第一存储器的修复信息存储于第二存储器中。2.根据权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，在测试所述第一存储器之前，所述方法还包括：测试所述第二存储器，获取所述第二存储器的缺陷信息；存储所述第二存储器的缺陷信息；根据所述第二存储器的缺陷信息，获得所述第二存储器的修复信息；利用所述第二存储器的修复信息修复所述第二存储器。3.根据权利要求1或2所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述第一存储器和所述第二存储器属于同一存储设备。4.根据权利要求3所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述存储设备还包括控制芯片，所述第一存储器和所述第二存储器依次垂直堆叠于所述控制芯片之上或者之下。5.根据权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述第一存储器和所述第二存储器属于不同存储设备，所述不同存储设备的类型相同或者不同。6.根据权利要求1所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：测试第三存储器，获取所述第三存储器的缺陷信息；根据所述第三存储器的缺陷信息，获得所述第三存储器的修复信息；将所述第三存储器的修复信息存储于所述第二存储器中。7.根据权利要求6所述的存储器的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：从所述第二存储器中读取所述第一存储器和所述第三存储器的修复信息；根据所述第一存储器的修复信息修复所述第一存储器，并根据所...

【专利技术属性】
技术研发人员：章恒嘉，丁丽，史传奇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：