一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法技术

本发明专利技术提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，先将氧化锡粉先放置到能承受1800

【技术实现步骤摘要】
一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法


[0001]本专利技术涉及ITO平面靶材生产
，尤其涉及一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法。

技术介绍

[0002]ITO平面靶材属于铟锡复合氧化物陶瓷，是一种重要的光电功能材料，常作为磁控溅射靶材在玻璃、塑料等基板材料上制备透明导电膜，用于生产液晶显示器、触摸屏等平板显示设备。
[0003]中国专利文献CN108530055A，公开了一种高效透氧的ITO靶材摆放
‑
烧结方法，采用承烧板、莫来石垫片、瓷球和ITO平面靶坯的结构进行生产；这种生产方式容易造成靶材承烧面，因高温烧结，靶材软化，瓷球嵌入靶材，造成大面积凹坑，从而增加了靶材的磨削量，大大的提高了生产成本。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本专利技术提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，先将氧化锡粉先放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化锡粉；之后将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上；最后将氧化锡粉通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧；采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产，使其不与氧化锡粉容易产生反应；并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片，从而提高了生产的质量。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，首先，将氧化锡粉先放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化锡粉末；之后，将纯度大于95%的氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上；最后，将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧。
[0006]进一步改进在于：氧气气氛常压炉内的煅烧温度为1600
‑
1650度并且由常温升至最高温度，升温的时间为20
‑
25h，保温的时间为5
‑
10h，且得到氧化锡粉末的D50控制在70
‑
100μm。
[0007]进一步改进在于：氧化铝垫片的尺寸大小和厚度一致，公差
±
0.1mm。
[0008]进一步改进在于：不锈钢筛格采用的规格为120目。
[0009]进一步改进在于：将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。
[0010]进一步改进在于：氧化锡粉末采用少量薄层的方式洒落在氧化铝垫片上。
[0011]本专利技术的有益效果：通过将氧化锡粉放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化粉末；并将纯度大于95%氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上，将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧；采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产，使其不容易与氧化锡粉末产生反应；并且使用氧化锡
粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片，从而提高了生产的质量。
具体实施方式
[0012]为了加深对本专利技术的理解，下面将结合实施例对本专利技术作进一步详述，该实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。
[0013]本实施例提供一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，包括以下步骤：步骤一：将氧化锡粉提前放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将高温容器放置到氧气气氛常压炉内进行煅烧，得到氧化锡粉末，煅烧温度为1600
‑
1650度并且由常温升至最高温度；步骤二：将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上，氧化铝垫片的纯度大于95%，且尺寸大小和厚度一致，公差
±
0.1mm；步骤三：将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行筛选，从而使其均匀的洒落在平铺完成的氧化铝垫片上；步骤四：将ITO平面靶材放置到表面有氧化锡粉末的氧化铝垫片上，并且通过承烧板进行垫烧。
[0014]步骤五：将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。
[0015]升温时间为20
‑
25h，保温时间为5
‑
10h，且得到氧化锡粉末的D50控制在70
‑
100μm。不锈钢筛格采用的规格为120目。氧化锡粉末仅采用少量薄层的方式洒落在氧化铝垫片上。
[0016]对本实施例垫烧效果进行对比分析
步骤本实施例对比例1对比例2步骤一将氧化锡粉提前放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将高温容器放置到氧气气氛常压炉内进行煅烧，得到氧化锡粉末，煅烧温度为1600
‑
1650度并且由常温升至最高温度；将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上，氧化铝垫片的纯度大于95%，且尺寸大小和厚度一致，公差
±
0.1mm；将瓷球提前放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将高温容器放置到氧气气氛常压炉内进行煅烧，煅烧温度为1600
‑
1650度并且由常温升至最高温度；步骤二将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上，氧化铝垫片的纯度大于95%，且尺寸大小和厚度一致，公差
±
0.1mm；将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行筛选，从而使其均匀的洒落在平铺完成的氧化铝垫片上；将氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上，氧化铝垫片的纯度大于95%，且尺寸大小和厚度一致，公差
±
0.1mm；步骤三将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行筛选，从而使其均匀的洒落在平铺完成的氧化铝垫片上；将ITO平面靶材放置到表面有氧化锡粉末的氧化铝垫片上，并且通过承烧板进行垫烧；将瓷球放置在平铺完成的氧化铝垫片上；步骤四将ITO平面靶材放置到表面有氧化锡粉末的氧化铝垫片上，并且通过承烧板进行垫烧；将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。将ITO平面靶材放置到表面有瓷球的氧化铝垫片上，并且通过承烧板进行垫烧；
步骤五将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。 将垫烧完成后的ITO平面靶材进行冷却后检测，并对检测合格的ITO平面靶材进行包装。结果采用一次煅烧和一次垫烧的方式来生产ITO平面靶材，氧化锡粉进行了煅烧再垫烧时，大大降低了与ITO平面靶材产生反应的可能性采用直接垫烧的方式进行生产，会导致ITO平面靶材与垫烧过程中的氧化锡粉产生反应。采用瓷球生产的方式会导致因高温烧结，ITO平面靶材软化，瓷球嵌入靶材，造成大面积凹坑
根据对比分析：不管是只采用一次垫烧生产，还是采用瓷球；都会ITO平面靶材要么在生产时与氧化锡粉末产生反应；要么就会导致ITO平面靶材造成大面积凹坑。从而采用第一次煅烧和第二次垫烧的方式来对ITO平面靶材进行生产，并且使用氧化锡粉末和纯度大于95%的氧化铝垫片，从而在提高了生产质量的同时也使ITO平面靶材不容易与氧化锡粉末产生反应。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：首先，将氧化锡粉先放置到能承受1800
°
C的高温容器中，并将其放置到氧气气氛常压炉内煅烧，得到氧化锡粉末；之后，将纯度大于95%的氧化铝垫片间隔平铺在承烧板上；最后，将氧化锡粉末通过不锈钢筛格进行均匀洒落在氧化铝垫片上，并将ITO平面靶材进行放置后垫烧。2.根据权利要求1所述的一种提高ITO平面靶材利用率的垫烧方法，其特征在于：氧气气氛常压炉内的煅烧温度为1600
‑
1650度并且由常温升至最高温度，升温的时间为20
‑
25h，保温的时间为5
‑
10h，且得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾探，王志强，盛明亮，石煜，曾墩风，陶成，
申请(专利权)人：芜湖映日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：