一种低中毒率的ITO靶材的制备方法技术

本发明专利技术涉及靶材技术领域，具体涉及一种低中毒率的ITO靶材的制备方法。本发明专利技术以氧化物粉末为原料，通过球磨得到复合浆料，再依次通过造粒、成型、烧结得到低中毒率的ITO靶材；所述氧化物粉末包括以下重量份数成分：氧化铟粉末85‑95份、氧化锡粉末4‑10份和氧化钙粉末1‑5份，所述球磨过程中加入了钼酸盐离子液体。相对于传统的ITO材料来说，本发明专利技术提供的低中毒率的ITO靶材降低了中毒积瘤发生率的同时，其制备的薄膜保持了普通ITO薄膜低电阻率、高透过率的特点，满足光电领域对高性能ITO靶材的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及靶材，尤其涉及一种低中毒率的ito靶材的制备方法。

技术介绍

1、氧化铟锡（ito）靶材因其良好的透明性和导电性而被广泛应用于平板显示器、太阳能电池、触摸屏等领域。然而，在溅射镀膜过程中，ito靶材容易发生中毒现象，即靶材内部吸附的气体分子及溅射气体中的成分（如氧气、氮气等）与ito靶材表面反应，形成一层绝缘稳定的化合物膜，这层膜会阻碍溅射气体中的正离子到达靶材表面，从而降低溅射效率和靶材的利用率。因此，开发一种低中毒率的ito靶材制备方法具有重要意义。

2、在溅射靶材的生产和使用过程中，靶材中毒会直接缩短靶材的使用寿命：中毒的现象由初期的中毒微粒累积逐渐发展为后期的中毒积瘤。中毒微粒的数量可以直接反映出靶材中毒的程度。当靶材中毒时，靶材表面会出现绝缘稳定的化合物膜，这些化合物在受到离子轰击后，释放出的二次电子数量会增加，从而提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。靶材中毒会导致溅射速率降低，这是因为化合物膜的二次电子发射系数比靶材的高，所以靶中毒后溅射速率低。其次，中毒微粒的数量也会影响到薄膜的质量。总的来说本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低中毒率的ITO靶材的制备方法，其特征在于，以氧化物粉末为原料，通过球磨得到复合浆料，再依次通过造粒、成型、烧结得到低中毒率的ITO靶材；所述氧化物粉末包括以下重量份数成分：氧化铟粉末85-95份、氧化锡粉末4-10份和氧化钙粉末1-5份；

2.根据权利要求1所述的低中毒率的ITO靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化铟的比表面积为5-10m2/g，氧化锡粉末的比表面积为6-11m2/g，氧化钙粉末的比表面积为5-12m2/g。

3.根据权利要求1所述的低中毒率的ITO靶材的制备方法，其特征在于，所述粉末浆料的粒径D50≤0.25μm，混合粉末浆料的粒径D5...

【技术特征摘要】

1.一种低中毒率的ito靶材的制备方法，其特征在于，以氧化物粉末为原料，通过球磨得到复合浆料，再依次通过造粒、成型、烧结得到低中毒率的ito靶材；所述氧化物粉末包括以下重量份数成分：氧化铟粉末85-95份、氧化锡粉末4-10份和氧化钙粉末1-5份；

2.根据权利要求1所述的低中毒率的ito靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化铟的比表面积为5-10m2/g，氧化锡粉末的比表面积为6-11m2/g，氧化钙粉末的比表面积为5-12m2/g。

3.根据权利要求1所述的低中毒率的ito靶材的制备方法，其特征在于，所述粉末浆料的粒径d50≤0.25μm，混...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兵，曾墩风，王志强，曾探，陈光园，
申请(专利权)人：芜湖映日科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：