一种双分裂整流变压器制造技术

本发明专利技术公开了一种双分裂整流变压器，包括上铁轭、下铁轭、铁心主柱，上铁轭和下铁轭之间还包括高压绕组、低压绕组LVD和低压绕组LVY；低压绕组LVD沿幅向分裂为第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD；低压绕组LVY设置在第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间；高压绕组设置于低压绕组LVD的幅向外侧，并和相邻的第二低压绕组LVD设置有接地屏蔽，高压绕组的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线。本申请提供的双分裂整流变压器通过上述设置能够避免无载分接线与接地屏蔽的干涉，避免分接线与接地屏蔽绝缘距离过小造成耐压击穿的风险，并能够节省工时，提升产品的生产效率。提升产品的生产效率。提升产品的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种双分裂整流变压器


[0001]本专利技术涉及变压器
，更具体地说，涉及一种双分裂整流变压器。

技术介绍

[0002]整流变压器是整流设备的电源变压器。现有技术中整流变压器的线圈中，高压中部进线和分接段分接引线都要从高压和低压之间的主空道轴向引出，导致引线焊接工时增加，线圈绕制工期长；另外，由于高压和低压之间设计有接地屏蔽，但分接引线占用了较大的主空道的绝缘距离，导致分接引线与地屏蔽之间的绝缘距离不足导致试验耐压击穿，也容易因分接引线与高压线圈之间的距离不足而导致击穿。
[0003]综上所述，如何避免线圈绕制工期长且易导致分接引线对接地屏蔽之间耐压击穿的问题，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种双分裂整流变压器，该双分裂整流变压器绕制制作的工期短，且避免了高压分接引线与接地屏蔽绝缘距离小导致耐压击穿的风险。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种双分裂整流变压器，包括上铁轭、下铁轭、铁心主柱，所述上铁轭和所述下铁轭之间还包括高压绕组、低压绕组LVD和低压绕组LVY；
[0007]所述低压绕组LVD沿幅向分裂为第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD；
[0008]所述低压绕组LVY设置在所述第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间；
[0009]所述高压绕组设置于所述低压绕组LVD的幅向外侧，并和相邻的所述第二低压绕组LVD之间设置有接地屏蔽，所述高压绕组的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线。
[0010]优选地，所述无载分接线为所述高压绕组的原导线引线。
[0011]优选地，所述低压绕组LVY为y接法结构。
[0012]优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD和所述低压绕组LVY为同时套绕结构，或者均为单独绕制再套装结构。
[0013]优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈底部引出线在外部串联冷压连接。
[0014]优选地，所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈的绕线方向相反。
[0015]优选地，所述低压绕组LVY以及所述第一低压绕组LVD、所述第二低压绕组LVD的线圈进线位置均为上端或下端，且出线位置均为上端或下端。
[0016]优选地，低压绕组和所述低压绕组LVY的引出线通过电缆冷压接连接套管。
[0017]本专利技术提供的双分裂整流变压器的低压绕组LVD沿幅向分裂为两个部分，即第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD，低压绕组LVY布置在第一低压绕组LVD和第二低压绕组LVD之间，高压绕组布置在最外侧，高压绕组和低压绕组之间设置有接地屏蔽，高压绕组的
进线设置在其端部，高压分接出线设置在其中部，且为幅向向外部的方向，因此，出现不占用主空道的绝缘距离，且与接地屏蔽之间不干涉，不会产生耐压击穿，不需要进行复杂的焊接引线，沿幅向分裂的布置的低压绕组可以同时进行绕制，均可减少了焊接工时，缩短了制造工期。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本申请提供的一种双分裂整流变压器的结构图。
[0020]图1中，附图标记包括：
[0021]上铁轭10、下铁轭20、铁心主柱30、低压绕组LVD40、第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2、低压绕组LVY50、接地屏蔽70、高压绕组80、无载分接线90。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]本专利技术的核心是提供一种双分裂整流变压器，该双分裂整流变压器绕制制作的工期短，节省制造工时，且避免了因为接地屏蔽和高压分接引线之间绝缘距离小产生击穿风险。
[0024]请参考图1，图1为本申请提供的一种双分裂整流变压器的结构图。
[0025]本申请提供了一种双分裂整流变压器，主要包括上铁轭10、下铁轭20和连接于二者之间的铁心主柱30，上铁轭10和下铁轭20之间还包括低压绕组和高压绕组80。
[0026]其中，低压绕组包括以下几个部分：
[0027]低压绕组LVD40可以采用d接法，沿幅向分裂为两个部分即第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2；
[0028]低压绕组LVY50可以采用y接法，低压绕组LVY50布置在第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2之间，高压绕组80为D接法，布置在最外侧，高压绕组80和低压绕组40.2之间设置有接地屏蔽。
[0029]高压绕组80的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线90。且为幅向向外部的方向，因此，无载分接线90不占用主空道的绝缘距离，无载分接线90与接地屏蔽70之间不干涉，工作时不会产生耐压击穿，不需要进行复杂的焊接引线，沿幅向绕制成第一低压绕组可以同时进行绕制，均可以避免增加工时。
[0030]本申请提供的双分裂整流变压器通过上述设置能够避免无载分接线90与接地屏蔽70的干涉，避免了造成耐压击穿的风险，并能够节省工时，提升产品的生产效率。
[0031]在上述实施例的基础之上，无载分接线90为高压绕组80的原导线引线。由于进线
位于高压绕组80的端部，出线位于其中部，因此可以采用原导线引线，不需要在无载分接线90上焊接铜片结构以形成轴向的引出结构，利用原导线从幅向引出，即可以节省空间，并节省工时。
[0032]可选的，原导线引线也可以采用其他结构，或者采用连接在原导线引线上的附加结构。
[0033]请参考图1，其中，本申请提供的是一种Dd0y1接的接线模式，因此在第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2之间设置低压绕组LVY50，需要说明的是，第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2主要用于d接，低压绕组LVY50可以为低压线圈LVY，主要用于y1接。可选的，上述接线方式可以根据实际情况进行调整，本实施例目的在说明需要设置中低压线圈的情况。
[0034]可选的，第一低压绕组LVD40.1、第二低压绕组LVD40.2以及低压绕组LVY50可以采用套绕结构模式；可以分开同时独立进行绕制，然后再套装在一起模式，以便节省工时，缩短工期。
[0035]上述实施例提供了两种不同的模式，目的是指出通过不同的制作方式均可以得到本实施例的方案，因此，本领域技术人员也可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双分裂整流变压器，包括上铁轭(10)、下铁轭(20)、铁心主柱(30)，其特征在于，所述上铁轭(10)和所述下铁轭(20)之间还包括高压绕组(80)、低压绕组LVD(40)和低压绕组LVY(50)；所述低压绕组LVD(40)沿幅向分裂为第一低压绕组LVD(40.1)和第二低压绕组LVD(40.2)；所述低压绕组LVY(50)设置在所述第一低压绕组LVD(40.1)和所述第二低压绕组LVD(40.2)之间；所述高压绕组(80)设置于所述低压绕组LVD(40)的幅向外侧，并和相邻的所述第二低压绕组LVD(40.2)之间设置有接地屏蔽，所述高压绕组(80)的端部进线，且中部沿幅向向外引出无载分接线(90)。2.根据权利要求1所述的双分裂整流变压器，其特征在于，所述无载分接线(90)为所述高压绕组(80)的原导线引线。3.根据权利要求1所述的双分裂整流变压器，其特征在于，所述低压绕组LVY(50)为y接法结构。4.根据权利要求3所述的双分裂整流变...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁国炎，刘建华，李永新，胡明方，穆效平，
申请(专利权)人：上海电气集团张家港变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：