锥形气体喷头制造技术

本创作为一种锥形气体喷头，提供安装面朝下型(Face Down)气相沉积的反应腔室中，且相邻于反应腔室内的基板，锥形气体喷头连接一管路总成，令锥形气体喷头可喷散管路总成供应的气体，以在设置在反应腔室中的基板上形成薄膜。锥形气体喷头包括多层排气单元，每一层排气单元分别连通管路总成上不同的管路，多层排气单元于一轴向上层叠设置，且多层排气单元的面积逐渐缩小：由靠近基板的第一端的排气单元至远离基板的第二一端的排气单元逐渐缩小，其设计可缩短最靠近基板的排气单元上排气孔与基板的距离，借此提升基板附近气体的流速及强度，改善粉尘飘散或残留在基板表面，造成的良率损失问题。率损失问题。率损失问题。

【技术实现步骤摘要】
锥形气体喷头


[0001]本创作有关一种应用于制造或处理半导体的技术，特别是一种能减少粉尘残留的锥形气体喷头。

技术介绍

[0002]有机金属化学气相沉积法(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)是在基板上成长半导体薄膜的一种制程方法。
[0003]有机金属化学气相沉积法在成长半导体薄膜时，利用喷头将载气及有机金属气体导入反应腔室中，使反应腔室中均匀地充满气体，以在晶圆基板的反应面上成长半导体薄膜，过程中喷头输出气体的流量与稳定度，为影响半导体制程品质的其中一项重要环节。
[0004]在有机金属化学气相沉积法的制程中，基板的反应面与反应气体的接触是否均匀，以及是否有粉尘飘散附着在基板的反应面上等问题，都会直接影响薄膜形成的品质。
[0005]因此，若能降低粉尘沉积在表面，就能解决芯片良率下降的问题，进而提升生产制作品质。
[0006]有鉴于此，本创作遂针对上述习知技术的缺失，提出一种锥形气体喷头，以有效克服上述的所述多个问题。
技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锥形气体喷头，安装在气相沉积的反应腔室中，且相邻于该反应腔室内的基板，该锥形气体喷头连接一管路总成，令该锥形气体喷头喷散该管路总成供应的气体，以在设置在该反应腔室中的该基板上形成薄膜，其特征在于，该锥形气体喷头包括：多层排气单元，每一层排气单元分别连通该管路总成上不同的管路，所述多层排气单元于一轴向上层叠设置，且所述多层排气单元的面积从一端至另一端逐渐缩小：由靠近基板的第一端的排气单元的面积至远离基板的第二端的排气单元的面积逐渐缩小。2.根据权利要求1所述的锥形气体喷头，其特征在于，每一层排气单元分别包括：一壳体；一气室，位于该壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州雨竹机电有限公司，
类型：新型
国别省市：