提供低温差操作气体的方法技术

本发明专利技术为一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构，反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区。低温差操作气体方法包括下列步骤，首先提供反应炉；接着提供操作气体经过反应炉的废热区，令加热后的操作气体成为增温操作气体；最后将增温操作气体导入反应炉的气动驱动机构，使气动驱动机构通过增温操作气体作动。本发明专利技术能提供与反应炉反应温差较小的操作气体，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响，维持制作晶圆的品质。持制作晶圆的品质。持制作晶圆的品质。

【技术实现步骤摘要】
提供低温差操作气体的方法


[0001]本专利技术涉及一种应用于制造或处理半导体的技术，特别是指一种提供低温差操作气体的方法。

技术介绍

[0002]有机金属化学气相沉积法(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)，意指利用气相中发生的物理及化学过程，在固体表面形成沉积物的技术。常见被应用在半导体晶圆的反应面形成薄膜的制程方法。
[0003]请参图1，目前有机金属化学气相沉积法在一反应炉80中进行。进行气相沉积时，反应炉80提供一加热单元82对反应腔84加热到高温至少600℃以上。以通过一喷头86将反应气体供给单元87提供的载气及有机金属气体，导入高温的反应腔84中，进行气相沉积反应，以在晶圆(图中未示)的反应面上成长半导体薄膜。反应完成的废气则汇入废气汇集单元88，再进入废弃回收单元90，以进行废气净化等后续废气的处理。
[0004]除此之外，为了使薄膜均匀地沉积，反应炉80更提供承载晶圆的晶圆承载单元92，带动晶圆高速旋转，以在气相沉积时，薄膜能均匀地沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构，该反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区，其特征在于，该低温差操作气体方法包括下列步骤：提供该反应炉；提供该操作气体经过该反应炉的该废热区，以加热该操作气体，成为增温操作气体；以及将该增温操作气体导入该反应炉的该气动驱动机构，使该气动驱动机构通过该增温操作气体作动。2.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：在加热该操作气体产生该增温操作气体的步骤中，其中该增温该操作气体为该废热区通过接触传导、热对流传导或辐射热传导对该操作气体增温，以成为该增温操作气体。3.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体根据经过该废热区的距离改变增温时间。4.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴铭钦，刘峰，
申请(专利权)人：苏州雨竹机电有限公司，
类型：发明
国别省市：