偏振光检测方法、光子集成芯片及探测器技术

本公开提供一种偏振光检测方法，包括：将入射偏振光处理为TE偏振光和TM偏振光；调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光；探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入射偏振光中TE偏振光分量和TM偏振光分量之间相位差；探测所述TE偏振光和TM偏振光的光强；以及根据所述TE偏振光和TM偏振光的光强，以及所述相位差获得初始入射偏振光的椭偏度。同时本公开还提供一种偏振光检测光子集成芯片及探测器。种偏振光检测光子集成芯片及探测器。种偏振光检测光子集成芯片及探测器。

【技术实现步骤摘要】
偏振光检测方法、光子集成芯片及探测器


[0001]本公开涉及半导体材料及光电子集成
，尤其涉及一种偏振光检测方法、光子集成芯片及探测器。

技术介绍

[0002]光子集成技术正处于迅速发展阶段。新型半导体光电子器件是集成光子技术发展的重要基础和保障。现有的偏振光学元件，如偏振片、波片、相位延迟器利用体积大且厚重的薄膜或晶体制成，已经不能满足光路系统微型化、集成化、多功能的发展需求。尤其大数据处理、高速通信、智能传感等信息技术的快速发展对新型光子器件及系统提出了迫切需求，微型化、集成化、高性能、低成本已经成为信息光子技术的主流发展趋势。现有的片上光子器件主要包括波导、耦合器、MMI分光器、干涉仪、微环谐振腔、波导阵列光栅(AWG)等无源器件及片上光源、相位调制器、光电探测器等有源器件。偏振器件是诸多光子器件的一种，用于偏振的产生、调制及检测。与强度、相位等一样，偏振是光信号的一个本征参量，可以用于信号传输、处理及检测等。片上偏振器件的匮乏严重制约了偏振光在大规模光子集成电路系统中的应用。
[0003]宏观光路利用块状偏振片、波片(λ/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏振光检测方法，包括：将入射偏振光处理为TE偏振光和TM偏振光；调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光；探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入射偏振光中TE偏振光分量和TM偏振光分量之间相位差；探测所述TE偏振光和TM偏振光的光强；以及根据所述TE偏振光和TM偏振光的光强，以及所述相位差获得初始入射偏振光的椭偏度。2.根据权利要求1所述的偏振光检测方法，所述调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光，包括：对所述TE偏振光和TM偏振光中之一进行全相位调控的同时与所述TE偏振光和TM偏振光中另一进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光。3.根据权利要求1所述的偏振敏感探测器，所述探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入射偏振光中TE偏振光分量和TM偏振光分量之间相位差，包括：通过谷赝自旋材料接收相位差连续改变的全相位调制偏振光获得强度连续变化的谷霍尔电流；以及拟合全相位的谷霍尔电流与相位差之间的对应关系曲线，得到入射偏振光中TM偏振光分量和TE偏振光分量之间的相位差。4.根据权利要求3所述的偏振光检测方法，所述谷霍尔电流与相位差之间的对应关系，如下：I＝sinΔΦ；其中，I为谷霍尔电流值，ΔΦ为TM偏振光和TE偏振光之间相位差。5.根据权利要求4所述的偏振光检测方法，偏振光的椭偏度与TE偏振光和TM偏振光的光强，以及所述相位差遵循的关系如下：sin2χ＝(2|t
x
||t
y
|sinΔΦ)/(|t
...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩春蕊，王宇，周维虎，刘思远，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：