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本公开提供一种偏振光检测方法，包括：将入射偏振光处理为TE偏振光和TM偏振光；调控所述TE偏振光和TM偏振光之间的相位差并进行合成获得相位差连续改变的全相位调制偏振光；探测所述全相位调制偏振光作用于谷赝自旋材料时产生的谷霍尔电流，从而获得入...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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