清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高处理室内的清洁效率的技术，该技术通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止处理室内的排气的状态下，直至处理室内的压力上升到第一压力带为止向处理室内供给清洁气体；(b)同时进行处理室内的排气和向处理室内的清洁气体的供给，将处理室内的压力维持在第一压力带；以及(c)在停止向处理室内的清洁气体的供给的状态下，直至处理室内的压力成为比第一压力带低的第二压力为止，进行处理室内的排气。处理室内的排气。处理室内的排气。

【技术实现步骤摘要】
清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质


[0001]本公开涉及清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。

技术介绍

[0002]作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行向处理基板的处理室内供给清洁气体，除去附着于处理室内的堆积物等的清洁工序(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2015－26660号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]根据清洁气体供给时的处理室内的压力等不同，有时不能有效地将处理室内清洁。
[0008]本公开提供可以提高处理室内的清洁效率的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方案，提供一种技术，其通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；(b)同时进行上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁方法，其特征在于，通过将依次进行以下工序的周期实施预定次数来除去附着于处理室内的堆积物：(a)在停止上述处理室内的排气的状态下，直至上述处理室内的压力上升到第一压力带为止向上述处理室内供给清洁气体；(b)同时进行上述处理室内的排气和向上述处理室内的上述清洁气体的供给，将上述处理室内的压力维持在上述第一压力带；以及(c)在停止向上述处理室内的上述清洁气体的供给的状态下，直至上述处理室内的压力成为比上述第一压力带低的第二压力为止，进行上述处理室内的排气。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，上述第一压力带是通过上述清洁气体能够得到期望的蚀刻速度的压力范围。3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，上述第二压力是通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值。4.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，上述第二压力是通过上述清洁气体产生蚀刻反应的下限压力值。5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洁方法，其特征在于，上述清洁气体是包含氟化氢的气体。6.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，上述第一压力带为150Torr以上且400Torr以下。7.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，上述第二压力为100Torr以上。8.根据权利要求6所述的清洁方法，其特征在于，上述第二压力为100Torr以上。9.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，在上述(a)～(c)工序中，以使构成形成于上述处理室内的下部的炉口部的部件为0℃以上且100℃以下的温度的方式进行加热。10.根据权利要求9所述的清洁方法，其特征在于，从设于上述炉口部的气体吐出部对上述炉口部附近供给上述清洁气体。11.根据权利要求1所述的清洁气体，其特征在于，上述周期进行两次以上。12.根据权利要求11所述的清洁方法，其特征在于，至少第二次的上述周期中的上述(a)工序在上述处理室内的压力维持上述第二压力的状态下开始。13.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，在执行上述(a)工序后不进行其它工序而连续地执行上述(b)工序。14.根据权利要求5所述的清洁方法，其特征在于，上述堆积物是含硅物。15.根据权利要求14所述的清洁方法，其特征在于，上述含硅物包括硅氧化物。...

【专利技术属性】
技术研发人员：西田圭吾，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：