一种MOCVD反应室及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种MOCVD反应室及其应用，该反应室包括反应室腔体(1)、上承载盘(2)、下承载盘(3)、氢化物气源进气口(4)、有机化合物气源进气口(5)、挡板(6)和出气口(7)；其中，所述上承载盘(2)中还设有上加热丝；所述下承载盘(3)中还设有下加热丝和高度调整装置；所述下承载盘(3)能够上下移动；所述挡板(6)能够上下移动。其用于原位双面生长，通过将有机化合物气源及氢化物气源进气口分开并用挡板隔离开来，避免了预反应，降低反应室内附着物、颗粒物等产生的几率，改善了外延片的表观。改善了外延片的表观。改善了外延片的表观。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD反应室及其应用


[0001]本专利技术涉及化合物半导体薄膜沉积设备，具体涉及一种MOCVD反应室及其应用。

技术介绍

[0002]金属有机物化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)是一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。用于IIIA
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VA族、IIB
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VIA族化合物半导体，如氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等功能结构材料的制备，尤其适合规模化工业生产，因此成为目前化合物半导体外延材料生产和研究的关键设备，是当前生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，应用领域广泛。反应室(Reactor Chamber)主要是所有气体混合及发生反应的地方。在腔体中会有一个乘载盘用来乘载衬底，这个乘载盘必须能够有效率地吸收从加热器所提供的能量而达到薄膜成长时所需要的温度。
[0003]目前，相关技术为了优化半导体器件的特性、提升太阳电池的效率、降低生产成本，提出了双面生长的需求。相关技术中制备了GaInP/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD反应室，其特征在于：包括反应室腔体(1)、上承载盘(2)、下承载盘(3)、氢化物气源进气口(4)、有机化合物气源进气口(5)、挡板(6)和出气口(7)；其中，所述上承载盘和下承载盘均位于所述反应室腔体的内壁上且所述上承载盘位于下承载盘的上方；所述上承载盘(2)中还设有上加热丝；所述下承载盘(3)中还设有下加热丝和高度调整装置；所述下承载盘(3)能够上下移动；所述氢化物气源进气口(4)位于所述反应室腔体(1)顶部中心位置；所述有机化合物气源进气口(5)位于所述反应室腔体(1)底部中心位置；所述挡板(6)位于所述有机化合物气源进气口(5)的上方；所述挡板(6)能够上下移动；所述出气口(7)位于所述反应室腔体(1)的侧壁。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述高度调整装置通过机械控制实现所述下承载盘(3)上下移动。3.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述上承载盘(2)中还设有能够开闭的环形吸气口。4.根据权利要求3所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述环形吸气口由圆环形或若干个圆孔组成。5.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述氢化物气源进气口(4)的气体流速、有机化合物气源进气口(5)的气体流速和出气口(7)的气体流速相匹配。6.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述出气口(7)、上承...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄珊珊，黄辉廉，刘雪珍，刘建庆，杨文奕，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：