一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器制造技术

本发明专利技术的一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，包括：零线和火线，所述零线和火线分别与开关器的两侧连接，所述火线连接有第一端子，第一端子通过第一电阻ESR和第一可变电阻ESL连接有第一开关，且第一端子连接有第二端子，所述第二端子通过第二电阻ESR和第二可变电阻ESL连接有第二开关，且第二端子连接有第三端子，第三端子连接有二极管和ESD抑制器，ESD抑制器包括正向ESD保护模块和负向ESD保护模块。本发明专利技术中，将共膜滤波器部分与ESD抑制器连接结合为一体，不仅可减少元器件数量，减小占用面积，且对共模噪声具有高频抑制防护性能，而且同时具有静电抑制功能，防止静电放电对重要元件的伤害。静电放电对重要元件的伤害。静电放电对重要元件的伤害。

【技术实现步骤摘要】
一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器


[0001]本专利技术涉及利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器
，具体是一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器。

技术介绍

[0002]共模滤波器采用铁氧体磁心双线并绕，低差模噪声信号抑制干扰源，在高速信号中难以变形，杂讯抑制对策佳，高共模噪音抑制和低差模噪声信号抑制，共模滤波器设计相对较简单，包括共模电容，不平衡变压器或共模电感，共模电容将两个输入线的共模电流旁路到大地，共模电感呈现一个平衡阻抗，也就是说，电源线和地线中阻抗相等，这个阻抗对共模噪声呈现阻抗特性，在抑制电子设备EMI噪音、DVC、STB的IEEE1394线路和液晶显示面板、低压微分信号和个人电脑及外围设备的USB线路等方面均有很好的应用。
[0003]本专利技术人在实施本实施例的过程中，发现现有技术中至少存在以下缺陷：
[0004](1)现有的共模滤波器与静电抑制器为两个分开的独立部件，元器件数量多，安装面积大，而且由于元器件越来越小，易受静电影响，现有的共模滤波器缺少高频抑制和防护的性能。
[0005](2)现有的共模滤波器使用非常广泛，但是在导磁率方面效果较差，初始导磁率低，且整体的磁感应强度较低，这导致整体效果并不好，使用效果差，而且高共模噪音抑制和低差模噪声信号抑制的时间长，不便于使用者使用；
[0006](3)ESD电路在P型GAN增强型功率器件30的栅极和源极有反向电压偏置时导通电流较大，导致该ESD电路与检测栅极相关缺陷的栅极负压测试不兼容，从而使器件很难同时兼顾可靠性和ESD耐受性。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，以解决上述
技术介绍
中提出的技术问题。
[0008]本专利技术的技术方案是：一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，包括：零线和火线，所述零线和火线分别与开关器的两侧连接，所述火线连接有第一端子，第一端子通过第一电阻ESR和第一可变电阻ESL连接有第一开关，且第一端子连接有第二端子，所述第二端子通过第二电阻ESR和第二可变电阻ESL连接有第二开关，且第二端子连接有第三端子，第三端子连接有二极管和ESD抑制器，ESD抑制器包括正向ESD保护模块和负向ESD保护模块，且ESD抑制器的一侧连接有P型GaN增强型功率器件，所述零线连接有电容器，电容器的内部分别连接有电阻器R和可变电阻器L。
[0009]作为本技术方案的进一步优化，所述第三端子连接有接地线，且第三端子连接有第二开关。
[0010]作为本技术方案的进一步优化，所述接地线与火线之间设置有第四端子，第四端子连接有第三开关。
[0011]作为本技术方案的进一步优化，所述接地线和零线之间连接有交流接触器。
[0012]作为本技术方案的进一步优化，所述正向ESD保护模块包括钳位二极管串，并且钳位二极管串的一端连接有电阻01，所述钳位二极管串和电阻01之间连接有效应管02，效应管02的一端连接有效应管01，并且效应管02的一端与电阻01的一端连接。
[0013]作为本技术方案的进一步优化，所述负向ESD保护模块包括电阻02，并且电阻02的一端连接有充电电容，所述电阻02的另一端连接有效应管03，并且效应管03的一端连接有效应管04。
[0014]作为本技术方案的进一步优化，所述第一端子通过可变电阻RT1连接有USB控制器，所述第三端子连接有USB接口，所述USB控制器和USB接口之间连接有贴片铁氧磁珠，且贴片铁氧磁珠的一端连接有热敏电阻U，所述USB控制器的一端通过可变电阻RT2连接有电阻，电阻的另一端与USB接口相连接，所述可变电阻RT1的一端连接有固定电容CT，且固定电容CT的另一端与可变电阻RT2的一端连接，电阻的一端连接有ESD抑制器。
[0015]作为本技术方案的进一步优化，所述USB接口的一端连接有公共端，并且固定电容CT、ESD抑制器、热敏电阻和公共端的一端均连接有接地线。
[0016]本专利技术通过改进在此提供一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，与现有技术相比，具有如下改进及优点：
[0017]其一，本专利技术中，零线、火线、第一端子、第一电阻ESR、第一可变电阻ESL、第一开关，、第二端子、第二电阻ESR、第二可变电阻ESL、第二开关、第三端子、二极管和电容器构成共膜滤波器部分，该共膜滤波器部分与ESD抑制器连接结合为一体，不仅可减少元器件数量，减小占用面积，且对共模噪声具有高频抑制防护性能，而且同时具有静电抑制功能，防止静电放电对重要元件的伤害。
[0018]其二，本专利技术中，使用运行时，共模滤波器部分的通过第一电阻ESR、第二电阻ESR、第一可变电阻ES和第二可变电阻ES的相互配合使用下，可以提高整体的导磁率，且电容器和二极管的相互配合，可以进行一步保证磁感应强度，在高共模噪音抑制和低差模噪声信号抑制时具有很好的效果，降低了抑制的时间。
[0019]其三，本专利技术中，当ESD抑制器一侧的P型GaN增强型功率器件经历负向ESD事件时，所述负向ESD事件会产生一个脉冲宽度很短、变化斜率很高的瞬态变化负电压，瞬态变化的负电压就会产生移位电流，产生的移位电流给充电电容充电，进而在电阻01上产生电压，电阻01上的电压使效应管03导通，此时效应管03和效应管04的通路导通，释放负向ESD能量，由于电阻01在稳态情况下并没有电压降，所以在P型GaN增强型功率器件栅极负向稳态漏电测试条件下，效应管01是关断的，从而负向不会有大的漏电流，负向ESD保护模块是与P型GaN增强型功率器件栅极负向漏电测试是兼容的，从而使器件同时兼顾可靠性和ESD耐受性。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释:
[0021]图1为本专利技术共模滤波器部分的电气原理图；
[0022]图2为本专利技术共模滤波器部分的工作状态电气原理图；
[0023]图3为本专利技术的ESD抑制器的电路图；
[0024]图4为本专利技术的ESD抑制器和共模滤波器结合结构电路图。
具体实施方式
[0025]下面将结合附图1至图4对本专利技术进行详细说明，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]本专利技术通过改进在此提供一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，如图1
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图4所示，一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，包括：零线和火线，零线和火线分别与开关器的两侧连接，火线连接有第一端子，第一端子通过第一电阻ESR和第一可变电阻ESL连接有第一开关，且第一端子连接有第二端子，第二端子通过第二电阻ESR和第二可变电阻ESL连接有第二开关，且第二端子连接有第三端子，第三端子连接有二极管和ESD抑制器，ESD抑制器包括正向ES本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，包括：零线和火线，所述零线和火线分别与开关器的两侧连接，其特征在于，所述火线连接有第一端子，第一端子通过第一电阻ESR和第一可变电阻ESL连接有第一开关，且第一端子连接有第二端子，所述第二端子通过第二电阻ESR和第二可变电阻ESL连接有第二开关，且第二端子连接有第三端子，第三端子连接有二极管和ESD抑制器，ESD抑制器包括正向ESD保护模块和负向ESD保护模块，且ESD抑制器的一侧连接有P型GaN增强型功率器件，所述零线连接有电容器，电容器的内部分别连接有电阻器R和可变电阻器L。2.如权利要求1所述的一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，其特征在于：所述第三端子连接有接地线，且第三端子连接有第二开关。3.如权利要求2所述的一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，其特征在于：所述接地线与火线之间设置有第四端子，第四端子连接有第三开关。4.如权利要求2所述的一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，其特征在于：所述接地线和零线之间连接有交流接触器。5.如权利要求1所述的一种利用铁氧体磁性材料进行高频抑制的滤波器，其特征在于：所述正向ESD保护模块包括钳位二极管串，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文明，
申请(专利权)人：深圳市比创达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：