【技术实现步骤摘要】
一种高耐压ESD静电抑制器
[0001]本技术涉及ESD静电抑制器
,具体是一种高耐压ESD静电抑制器。
技术介绍
[0002]ESD静电抑制器,是一种由高分子材料制成,内部菱形分子以规则离散状排列,当静电电压超过该器件的触发电压时,内部分子迅速产生尖端对尖端的放电,将静电在瞬间泄放到地。具有自身电容低(0.05
‑
0.2PF)、泄漏电流低(<1nA)、箝拉电压低和响应速度快(0.5ns
‑
1ns)的特点,它们能满足这些应用对保护器件具有极低电容的要求,可将对数据信号完整性的影响减小到最小,现有的ESD静电抑制器具有高耐压和反应速度快等优点。
[0003]但是现有的ESD静电抑制器在使用时,难以增加自身与安装面之间的稳固性能,容易出现松动现象,而且其内部的热量难以快速排出,容易造成内部元器件受损。因此,本领域技术人员提供了一种高耐压ESD静电抑制器,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种高耐压ESD静电抑制器,以解决上 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高耐压ESD静电抑制器,包括主体(1)以及固接在主体(1)两侧的引脚(4),其特征在于,所述主体(1)的前后表面均固接有两个安装部(7),两个所述安装部(7)的底端均一体连接有安装杆(2),两个所述安装杆(2)的底端均一体连接有支撑部(3),且两个所述安装杆(2)和主体(1)之间均水平固接有加固杆(6),所述主体(1)的顶部安装有散热机构(5)。2.根据权利要求1所述的一种高耐压ESD静电抑制器,其特征在于,所述支撑部(3)呈水平分布,且支撑部(3)的内部开设有螺孔。3.根据权利要求1所述的一种高耐压ESD静电抑制器,其特征在于,所述安装部(7)呈竖直分布,所述支撑部(3)和安装部(7)的长度相等。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴文明,
申请(专利权)人:深圳市比创达电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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