存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术涉及一种存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储块；以及控制器，适于控制存储器装置以存储读取重试表，该读取重试表包括分别对应于多个索引的多个读取偏压组；控制存储器装置以根据索引的递增顺序来利用读取偏压组执行读取重试操作；当在读取重试操作期间成功地执行读取操作时，通过使成功的读取操作的读取电平包括到读取重试表内的最高优先级索引的读取偏压组中来更新读取重试表；以及控制存储器装置以基于所更新的读取重试表来执行后续读取重试操作。读取重试表来执行后续读取重试操作。读取重试表来执行后续读取重试操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年2月18日提交的申请号为10-2020-0019614的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开的各个实施例总体涉及一种存储器系统，并且更特别地，涉及一种用于更新读取重试表的存储器系统以及存储器系统的操作方法。

技术介绍

[0004]计算机环境范例已经转变成使计算系统几乎能够被随时随使用的普适计算。因此，诸如移动电话、数码相机和膝上型计算机的便携式电子装置的使用已经迅速增加。这些便携式电子装置通常使用具有一个或多个存储器装置的存储器系统来存储数据。存储器系统可用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。
[0005]因为存储器系统不具有移动部件，所以存储器系统具有诸如优异的稳定性和耐用性、高信息访问速度和低功耗的优点。具有这些优点的存储器系统的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固态驱动器(SSD)。

技术实现思路

[0006]本公开的各个实施例涉及一种存储器系统，该存储器系统可更新读取重试表，使得可以在后续读取重试操作期间优先使用在读取操作期间使用的读取电平，从而在读取重试操作期间成功地执行读取操作。
[0007]根据本公开的实施例，一种存储器系统包括：存储器装置，包括多个存储块；以及控制器，适于控制存储器装置以存储读取重试表，该读取重试表包括分别对应于多个索引的多个读取偏压组；控制存储器装置以根据索引的递增顺序利用读取偏压组执行读取重试操作；当在读取重试操作期间成功地执行读取操作时，通过将成功的读取操作的读取电平包括在读取重试表内的、具有最高优先级索引的读取偏压组中来更新读取重试表；以及控制存储器装置以基于所更新的读取重试表来执行后续读取重试操作。
[0008]根据本公开的另一实施例，一种存储器系统的操作方法，包括：加载读取重试表，该读取重试表包括分别对应于多个索引的多个读取偏压组；根据索引的递增顺序利用读取偏压组来执行读取重试操作；当在读取重试操作期间成功地执行读取操作时，通过将成功的读取操作的读取电平包括在读取重试表内的、具有最高优先级索引的读取偏压组中来更新读取重试表；并且基于所更新的读取重试表来执行后续读取重试操作。
[0009]根据本公开的又一实施例，一种控制器的操作方法，该操作方法包括：控制存储器装置以利用根据优先级排列的一系列组来对存储单元执行读取重试操作，该组中的每一个包括一个或多个读取偏压；并且当利用该组之中的一个组的读取重试操作成功时，通过将最高优先级分配给成功的组来根据顺序对该组进行重新排列。
附图说明
[0010]图1是示意性地示出根据本公开的实施例的包括存储器系统的数据处理系统的示例的示图。
[0011]图2是示意性地示出根据本公开的实施例的存储器系统中的存储器装置的示例的示图。
[0012]图3是示意性地示出根据本公开的实施例的存储器装置中的存储块的存储器单元阵列电路的示图。
[0013]图4A至图4C是分别示出SLC存储器装置、MLC存储器装置和TLC存储器装置的编程状态和擦除状态的阈值电压分布图。
[0014]图5是示出当发生读取错误时通常执行的读取操作的流程图。
[0015]图6是示出读取重试表的示图。
[0016]图7是示出根据本公开的实施例的存储器系统的操作方法的流程图。
[0017]图8是示出读取重试操作和用于更新读取重试表的方法的流程图。
[0018]图9A和图9B是示出读取重试操作和用于更新读取重试表的方法的详细流程图。
[0019]图10A是示出所更新的读取重试表的示图。
[0020]图10B是示出TLC存储器装置中的所更新的读取重试表的示图。
[0021]图11是示出用于生成子读取偏压组的方法的流程图。
[0022]图12是示出用于检测具有最少错误位数量的读取电平的方法的示图。
[0023]图13是示出用于将读取重试表更新成与最少错误位数量相对应的读取电平的方法的示图。
具体实施方式
[0024]以下将参照附图更详细地描述本公开的各个实施例。然而，本专利技术可以以不同形式实现，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开将是彻底且完整的，并且将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在整个公开中，相同的附图标记在各个附图和实施例中始终指的是相同的部件。
[0025]图1是示出根据实施例的数据处理系统100的框图。
[0026]参照图1，数据处理系统100可包括可操作地联接至存储器系统110的主机102。
[0027]主机102可包括诸如但不限于移动电话、MP3播放器和膝上型计算机的各种便携式电子装置中的任意一种，或诸如台式计算机、游戏机、电视(TV)和投影仪的各种非便携式电子装置中的任意一种。
[0028]主机102可包括至少一个操作系统(OS)，该至少一个OS可管理和控制主机102的全部功能和操作，并且使用数据处理系统100或存储器系统110来提供主机102和用户之间的操作。OS可支持对应于用户的使用、目的和用途的各种功能和操作。例如，根据主机102的移动性，OS可被划分为通用OS和移动OS。根据用户的环境，通用OS可被划分为个人OS和企业OS。
[0029]存储器系统110可响应于主机102的请求而以各种方式操作，例如为主机102存储数据。存储器系统110的非限制性示例可包括固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、安全数字(SD)卡、通用串行总线(USB)装置、通用闪存(UFS)装置、紧凑式闪存(CF)卡、智能媒体卡
(SMC)、个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡和记忆棒。MMC可包括嵌入式MMC(eMMC)、尺寸减小的MMC(RS-MMC)和微型MMC等。SD卡可包括迷你SD卡和微型SD卡。
[0030]存储器系统110可通过各种类型的存储装置来实现。这种存储装置的示例可包括但不限于诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态RAM(SRAM)的易失性存储器装置和诸如只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM或ReRAM)和闪速存储器的非易失性存储器装置。闪速存储器可具有三维(3D)堆叠结构。
[0031]存储器系统110可包括控制器130和存储器装置150。
[0032]在实施例中，控制器130和存储器装置150可被集成到单个半导体装置中。例如，控制器130和存储器装置150可被集成为一个半导体装置来构成固态驱动器(SSD)。当存储器系统110用作SSD时，可提高连接到存储器系统110的主机102的操作速度。在实施例中，控制器1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器系统，包括：存储器装置，包括多个存储块；以及控制器：控制所述存储器装置以存储读取重试表，所述读取重试表包括分别对应于多个索引的多个读取偏压组；控制所述存储器装置以根据所述索引的递增顺序，利用所述读取偏压组来执行读取重试操作；当在所述读取重试操作期间成功地执行读取操作时，通过使成功的读取操作的读取电平包括到所述读取重试表内的最高优先级索引的读取偏压组中来更新所述读取重试表；以及控制所述存储器装置以基于所更新的读取重试表来执行后续读取重试操作。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中当针对第一存储块的历史读取操作失败时，所述控制器控制所述存储器装置以对所述第一存储块执行所述读取重试操作，并且其中所述控制器控制所述存储器装置以通过使用对所述第一存储块成功执行的先前读取操作中使用的读取电平来执行所述历史读取操作。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器将比当前优先级低单位索引的优先级分配给读取重试表中、与具有小于或等于对应于所述成功的读取重试操作中使用的读取电平的索引的值的索引中的每一个相对应的读取电平。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中存储块中的每一个包括多个物理页面，多个物理页面中的每一个包括一个或多个逻辑页面，其中所述读取偏压组中的每一个包括与所述逻辑页面中的每一个相对应的读取电平，并且其中所述控制器控制所述存储器装置以通过顺序地使用所述读取偏压组的每一个中包括的读取电平来对所述逻辑页面执行读取重试操作。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：当在针对第一逻辑页面的第一读取重试操作期间成功地执行第一读取操作时，存储成功的第一读取操作的一个或多个第一读取电平；以及当在针对第二逻辑页面的第二读取重试操作期间成功地执行第二读取操作时，存储成功的第二读取操作的一个或多个第二读取电平。6.根据权利要求5所述的存储器系统，其中所述控制器基于所述第一读取重试操作和所述第二读取重试操作的结果，针对逻辑页面中的每一个单独地更新所述读取重试表。7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述控制器通过使所述第一读取电平和所述第二读取电平包括到与所述读取重试表的最高优先级索引相对应的读取偏压组中来更新所述读取重试表。8.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述控制器进一步基于在针对所述第一存储块的每个读取操作期间出现的错误位的数量来生成子读取偏压组。9.根据权利要求8所述的存储器系统，
其中所述控制器通过将所述子读取偏压组分配给所述读取重试表的最高优先级索引来更新所述读取重试表，并且其中所述控制器控制所述存储器装置以基于所更新的读取重试表来执行所述后续读取重试操作。10.根据权利要求8所述的存储器系统，其中所述子读取偏压组包括出现最少错误位数量期间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡喆洙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：