闪存器的数据读取方法及装置、存储设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。所述方法包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；所述第一电压包括所述第一子电压；所述第一子电压高于所述第二电压。电压。电压。

【技术实现步骤摘要】
闪存器的数据读取方法及装置、存储设备


[0001]本专利技术涉及存储
，尤其涉及一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。

技术介绍

[0002]闪存器是一种具有数据记忆功能的非易失性存储器。闪存器的读写可以是以页为单位进行的。由于闪存器存储容量大的特点，大量的应用各种电子设备。所述闪存器按照其存储阵列的堆叠状况，可以分为二维的2D闪存器和三维的3D闪存器。
[0003]在应用过程中发现一些数据写入存储单元之后，经过多次读写会比较快的数据记忆错误，且在一些情况下这种数据记忆错误是无法通过存储校正的方式校正的不可修复错误。故如何减缓这种数据记忆错误的出现和/或减少不可修复错误的出现，是亟待解决的问题之一。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术实施例期望提供一种闪存器的数据读取方法及装置、存储设备。
[0005]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]根据本专利技术实施例的第一方面，本专利技术实施例提供了一种闪存器的数据读取方法，所述方法包括：
[0007]在干扰抑制阶段，向闪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存器的数据读取方法，其特征在于，包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；所述第一电压包括所述第一子电压；所述第一子电压高于所述第二电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一干扰抑制阶段，通过降压使得所述第一子电压均匀下降至所述第二电压。3.一种闪存器的数据读取方法，其特征在于，包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第二子电压；所述第一电压包括所述第二子电压；所述第二子电压高于所述第二电压。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二干扰抑制阶段，通过升压使得所述第二电压均匀上升至所述第二子电压。5.一种闪存器的数据读取方法，其特征在于，包括：在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；在读取阶段，向所述闪存器选择的字线施加用于读取数据的第二电压；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：在位于所述读取阶段之前的第一干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第一子电压；在位于所述读取阶段之后的第二干扰抑制阶段，向所述闪存器选择的字线施加第二子电压；所述第一电压包括所述第一子电压和所述第二子电压；所述第一子电压和所述第二子电压均高于所述第二电压。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述第一干扰抑制阶段，通过降压使得所述第一子电压均匀下降至所述第二电压；在所述第二干扰抑制阶段，通过升压使得所述第二电压均匀上升至所述第二子电压。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述干扰抑制阶段的时长与所述读取阶段的时长比值为1：N；N的值大于1。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述时长比值N的取值区间为：1.5至6。9.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：从第一模式和第二模式中选择目标读取模式；所述在干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压，包括：若所述目标读取模式为所述第一模式，在读取周期的干扰抑制阶段，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述从第一模式和第二模式中选择目标读取模式，包括：根据所述闪存器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述根据所述闪存器的状况参数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式，包括以下至少之一：根据所述闪存器的当前读取负载状况，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式；根据读取的存储页或存储块的读取次数，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式；根据读取数据的读取速率要求，从所述第一模式和所述第二模式中选择目标读取模式。12.一种闪存器读取装置，其特征在于，包括：控制器，与所述闪存器连接，用于在干扰抑制阶段产生第一控制指令，还用于在读取阶段产生第二控制指令；第一施加模块，用于在所述干扰抑制阶段，响应于所述第一控制指令，向闪存器选择的字线施加用于抑制读取干扰的第一电压；第二施加模块，用于在所述读取阶段，响应于所述第二控制指令，向所述闪存器选择的字线施加...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈子龙，曹华敏，付祥，高帅，姜柯，向斌，安阳，王瑜，王颀，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：