【技术实现步骤摘要】
数据存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年3月2日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2020-0025993的韩国申请的优先权，该韩国申请通过引用整体并入本文。
[0003]各个实施例总体涉及一种半导体装置，并且更特别地，涉及一种数据存储装置及其操作方法。
技术介绍
[0004]通常，数据存储系统可以具有DRAM(动态随机存取存储器)结构或SSD(固态驱动器)或HDD(硬盘驱动器)结构。DRAM具有易失性特性并且可以基于字节访问，并且SSD或HDD具有非易失性特性和块存储结构。SSD或HDD的访问速度可以比DRAM的访问速度低数千或数万倍。
[0005]目前，SCM(存储类存储器，Storage Class Memory)装置的应用正在扩展。SCM装置可以基于字节访问，并且支持闪速存储器的非易失性特性和DRAM的高速数据写入/读取功能。SCM装置的示例包括使用电阻式RAM(ReRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM(PCRAM)等的装置。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种数据存储装置，包括：第一存储器，存储由应用使用的多个指令和数据；高速缓存，从所述第一存储器读取由所述应用使用的第一数据，并且将所读取的第一数据存储在所述高速缓存中；处理器，当在所述处理器读取所述多个指令中的一个或多个指令并且运行所述应用时生成指针追逐指令或发生所述高速缓存的高速缓存未命中时，将数据读取请求传播到所述高速缓存或预取器；以及所述预取器，从所述第一存储器读取与所述指针追逐指令或所述高速缓存未命中相关联的第二数据，并且将所读取的第二数据传播到所述高速缓存，其中所述预取器基于由所述处理器生成的当前指针的数据读取请求，确定用于下一操作所需的数据的所述第一存储器的存储器地址，基于所确定的存储器地址，从所述第一存储器读取所述下一操作所需的数据，并且将所读取的所述下一操作所需的数据存储在所述高速缓存中。2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述处理器执行当前操作的时段与所述预取器确定所述下一操作所需的数据的存储器地址并且读取所述下一操作所需的数据的时段重叠。3.根据权利要求1所述的数据存储装置，进一步包括第二存储器，从所述第一存储器读取每个应用的链接表信息，并且将所述读取的链接表信息存储在所述第二存储器中。4.根据权利要求3所述的数据存储装置，其中所述预取器基于所述链接表信息确定与所述当前指针相对应的下一指针，并且检查所确定的下一指针的数据的存储器地址。5.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述指针追逐指令包括间接加载指令，并且其中当生成所述间接加载指令时，所述处理器将所述间接加载指令的数据读取请求传输到所述高速缓存，或者将所述间接加载指令的数据读取请求传输到所述高速缓存和所述预取器两者。6.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述指针追逐指令包括特殊加载指令，并且其中当生成所述特殊加载指令时，所述预取器将所述特殊加载指令的数据读取请求传输到所述高速缓存和所述预取器两者。7.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述预取器搜索所述高速缓存以检查与所述指针追逐指令或所述高速缓存未命中相关联的数据是否存储在所述高速缓存中，并且当检查结果指示所述高速缓存中不存在所述数据时，从所述第一存储器读取与所述指针追逐指令或所述高速缓存未命中相关联的数据，并且将所述读取的数据传播到所述高速缓存。8.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中所述预取器搜索所述高速缓存以检查与所述指针追逐指令或所述高速缓存未命中相关联的所述第二数据是否存储在所述高速缓存中，并且当检查结果指示所述高速缓存中存在所述第二数据时，从所述第一存储器读取所述下一操作所需的数据，并且将所读取的下一操作所需的数据存储在所述高速缓存中。9.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中当发生所述高速缓存未命中时，所述高速
缓存从所述第一存储器读取发生所述高速缓存未命中的数据，并将所读取的发生所述高速缓存未命中的数据存储在所述高速缓存中，并且将对发生所述高速缓存未命中的数据的数据读取请求传播到所述预取器。10.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中所述预取器基于对发生所述高速缓存未命中的数据的数据读取请求，确定所述下一操作所需的数据的存储器地址，基于所确定的存储器地址，从所述第一存储器读取所述下一操作所需的数据，并且将所读取的下一操作所需的数据存储在所述高速...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔正敏，高秉一，林義哲，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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