【技术实现步骤摘要】
基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法
本专利技术属于微纳米制造
，具体涉及的是一种基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法。
技术介绍
微悬臂梁探针是微传感器当中最为至关重要的组成部分，主要采用飞秒激光照射硅基悬臂梁表面，利用飞秒激光产生的温度场成型出悬臂梁表面探针。然而飞秒激光诱导形成的温度场十分复杂，与一般的温度场有很大的区别。飞秒激光诱导形成的温度场存在多个温度波峰，会导致微悬臂梁表面成型出多个小探针，这就直接影响了飞秒激光在微悬臂梁表面成型出的探针的尺寸精度，也会间接影响探针的探测精度。
技术实现思路
为了排除其它温度波峰的影响，本专利技术提出了一种基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其利用电场与飞秒激光耦合作用，在飞秒激光照射硅悬臂梁表面的同时，于硅悬臂梁的上下表面施加一定强度的电场来提高原子诱导力，使得成型出的探针尺寸精度大大提高。本专利技术采用了如下技术方案：基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，具体操作步骤如下：步...
【技术保护点】
1.基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是按如下步骤：/n步骤一，将一片尺寸在微纳米范围内的硅片置于高精度显微镜下；/n步骤二，将硅片的中部固定，调节飞秒激光性能参数；在硅片的其中一侧进行探针成型；/n步骤三，进行飞秒激光照射硅片的同时，在硅片左右两侧施加水平电场；/n步骤四，电场与飞秒激光耦合作用一段时间后，成型出微悬臂梁探针。/n
【技术特征摘要】
1.基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是按如下步骤：
步骤一，将一片尺寸在微纳米范围内的硅片置于高精度显微镜下；
步骤二，将硅片的中部固定，调节飞秒激光性能参数；在硅片的其中一侧进行探针成型；
步骤三，进行飞秒激光照射硅片的同时，在硅片左右两侧施加水平电场；
步骤四，电场与飞秒激光耦合作用一段时间后，成型出微悬臂梁探针。
2.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤一，硅片呈方体状，硅片的长度以及宽度为微米数量级，硅片的高度为纳米数量级。
3.如权利要求1所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法，其特征是，步骤一，硅片的尺寸为25×700×1.5μm3。
4.如权利要求1-3任一项所述的基于电场与飞秒激光耦合作用微悬臂梁探针的成型方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，黄日鹏，朱伟华，李子烨，吴正扬，张俐楠，
申请(专利权)人：浙江工商大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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