柱塞及接触探针制造技术

柱塞(10)具有导电性的基材层(11)、和设于上述基材层的外侧的以铂族元素为主成分的铂族层(13)。柱塞中，母材为上述基材层，在与检查对象物接触的顶端部中，在上述基材层的外侧具有上述铂族层。接触探针(1)具备上述柱塞、和端部与上述柱塞抵接的弹簧(40)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】柱塞及接触探针
本专利技术涉及柱塞及具备柱塞的接触探针。
技术介绍
在对使用了半导体元件的集成电路和大规模集成电路等电子部件的电气特性检查中，为了将检查对象物和检查用基板电连接而使用接触探针。接触探针具有能够沿着长度方向移动的柱塞，使该柱塞的顶端部与作为检查对象物的电子部件的电极弹性接触来进行通电检查(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-215223号公报
技术实现思路
在通电检查中，产生了在与检查对象物接触的柱塞的顶端部产生磨损或损耗这一问题。若柱塞的顶端部磨损或损耗，则柱塞的顶端部与检查对象物之间的接触电阻值会变得不稳定，而难以准确地进行通电检查。近年来，该问题由于伴随着半导体部件的高电流化产生的检查电流的高电流化，而变得更加显著。本专利技术的目的的一个例子为在通电检查中使磨损和损耗难以产生。本专利技术的一个方案是一种柱塞，具有导电性的基材层、和设在上述基材层的外侧的以铂族元素为主成分的铂族层。本专利技术的另一方案是一种接触探针，具备上述柱塞、和端部与上述柱塞抵接的弹簧。专利技术效果根据本方案，能够实现在导电性的基材层的外侧具有以铂族元素为主成分的铂族层的柱塞。钌(Ru)、铱(Ir)、铑(Rh)、锇(Os)等铂族元素的熔点比较高，大体超过2000度，难以产生因通电导致的熔融。因此，能够在通电检查中使磨损和损耗难以产生。而且，能够实现在使柱塞的顶端与焊锡材料接触的状态下进行的通电检查中焊锡成分难以附着于顶端部且也难以产生磨损和损耗的柱塞。附图说明图1是表示接触探针的概略结构的图。图2是表示第1试验的试验对象的样本的结构的图。图3是表示第1试验的试验条件的图。图4是第1试验的样本的放大照片。图5是表示第1试验的样本的损耗量的测定结果的图。图6是表示损耗量的定义的一个例子的图。图7是第1试验的样本的电子显微镜照片。图8是第1试验的样本的电子显微镜照片。图9是第1试验的样本的电子显微镜照片。图10是第1试验的样本的电子显微镜照片。图11是第1试验的样本的基于FIB得到的截面解析照片。图12A是第1试验的样本的基于SEM得到的截面图像。图12B是第1试验的样本的基于EDX得到的铜(Cu)的成分图像。图12C是第1试验的样本的基于EDX得到的钌(Ru)的成分图像。图12D是第1试验的样本的基于EDX得到的钯(Pd)的成分图像。图12E是第1试验的样本的基于EDX得到的银(Ag)的成分图像。图12F是第1试验的样本的基于EDX得到的金(Au)的成分图像。图13是表示第2试验的试验对象的样本的结构的图。图14是表示第2试验的试验条件的图。图15是第2试验的样本的电子显微镜照片。图16是表示第2试验的样本的熔融尺寸的图。图17是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图18是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图19是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图20是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图21是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图22是表示第2试验的样本的基于EDX得到的定性分析结果的图。图23是表示第3试验的试验对象的样本的结构的图。图24是表示第3试验的试验条件的图。图25是第3试验的样本的放大照片。图26是表示第3试验的样本的损耗量的测定结果的图。图27A是表示第3试验的样本的接触电阻值的测定结果的图。图27B是表示第3试验的样本的接触电阻值的测定结果的图。图27C是表示第3试验的样本的接触电阻值的测定结果的图。图28是表示第4试验的试验对象的样本的结构的图。图29是表示第4试验的试验条件的图。图30是第4试验的样本的放大照片。图31A是表示第4试验中的比较用样本的接触电阻值的测定结果的图。图31B是表示第4试验的样本J的接触电阻值的测定结果的图。图31C是表示第4试验的样本K的接触电阻值的测定结果的图。图32是表示第5试验的试验对象的样本的结构的图。图33是表示第5试验的试验条件的图。图34A是第5试验的样本的放大俯视照片。图34B是第5试验的样本的放大侧视照片。图35A是第5试验的样本的放大俯视照片。图35B是第5试验的样本的放大侧视照片。图36是第5试验的样本的电子显微镜照片。图37A是第5试验中的基于SEM得到的图像。图37B是第5试验中的基于EDX得到的金(Au)的成分图像。图37C是第5试验中的基于EDX得到的钯(Pd)的成分图像。图37D是第5试验中的基于EDX得到的钌(Ru)的成分图像。图37E是第5试验中的基于EDX得到的镍(Ni)的成分图像。图37F是第5试验中的基于EDX得到的铜(Cu)的成分图像。图38是表示第5试验中的基于EDX得到的定性分析结果的图。图39是表示第5试验中的接触电阻值的测定结果的图。图40是表示第6试验的试验对象的样本的结构的图。图41是表示第6试验的试验条件的图。图42A是第6试验的样本P的电子显微镜照片。图42B是第6试验的样本Q的电子显微镜照片。图42C是第6试验的样本R的电子显微镜照片。图42D是第6试验的样本S的电子显微镜照片。图42E是第6试验的样本T的电子显微镜照片。图42F是第6试验的样本U的电子显微镜照片。具体实施方式说明实施方式的一个例子。此外，本专利技术并不受以下说明的实施方式限定，能够适用本专利技术的方式也不限定于以下的实施方式。[结构]图1是表示本实施方式的接触探针1的概略结构的图，示出了沿着长度方向的概略剖视图。根据图1，接触探针1具有第1柱塞10、第2柱塞20、弹簧30和针管40。第1柱塞10与检查对象物接触，第2柱塞20与检查用基板接触。弹簧30对第1柱塞10和第2柱塞20向相互远离的方向施力。针管40在内部保持弹簧30、第1柱塞10的基端及第2柱塞20的基端并将其整体设为一体而支承。在此，如下那样确定相对于接触探针1的方向。将接触探针1的长度方向(图1中的上下方向)设为“上下方向”。关于上下的朝向，将第1柱塞10侧(从第2柱塞20朝向第1柱塞10的方向)设为“上”，将第2柱塞20侧(从第1柱塞10朝向第2柱塞的方向)设为“下”。另外，将与上下方向正交的面的水平方向设为“横向”。第1柱塞10由导电性的材料形成。在图1中，虽然将与检查对象物接触的顶端部的形状示为圆锥形状，但也可以为例如棱锥形状、球面形状、平坦形状、冠形状等与检查对象本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柱塞，具有：/n导电性的基材层；和/n设在所述基材层的外侧的以铂族元素为主成分的铂族层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190129 JP 2019-0127251.一种柱塞，具有：
导电性的基材层；和
设在所述基材层的外侧的以铂族元素为主成分的铂族层。


2.如权利要求1所述的柱塞，其中，
母材为所述基材层，
在与检查对象物接触的顶端部中，在所述基材层的外侧具有所述铂族层。


3.如权利要求2所述的柱塞，其中，
在所述基材层的外侧具有以金(Au)或钯(Pd)为主成分的包覆层，
在所述顶端部中，在所述包覆层的外侧具有所述铂族层。


4.如权利要求1～3中任一项所述的柱塞，其中，
所述铂族层为表面层。

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤贤一，
申请(专利权)人：株式会社友华，
类型：发明
国别省市：日本;JP