一种光学器件的芯片焊接状态检测方法技术

本发明专利技术涉及领域，具体涉及一种光学器件的芯片焊接状态检测方法。所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括：记录芯片的第一波长；将芯片和电路板焊接，且电路板固设在壳体上，形成光学器件，并获取光学器件的第二波长；将第一波长和第二波长进行数据，通过数值差异评估芯片焊接状态。本发明专利技术的有益效果在于，与现有技术相比，本发明专利技术通过分别获取芯片正常工作的第一波长和合成光学器件后工作的实际第二波长，通过判断第一波长和第二波长的数据比较，从而通过数值差异评估芯片焊接状态，反映光学器件装配工艺的好坏，从而判断光学器件的优良程度，如合格或失败。

【技术实现步骤摘要】
一种光学器件的芯片焊接状态检测方法
本专利技术涉及领域，具体涉及一种光学器件的芯片焊接状态检测方法。
技术介绍
光学器件生产过程中，特别是在多模泵器件生产过程中，由于工艺问题，容易导致光学器件品质不佳，如导热性能差，电路损坏等，因此在光学器件装配成功后，往往需要对光学器件进行各种检测试验，以防止不良光学器件的输出。但是，现有的检测方式需要采用各种，以获取不同有用的数据，过程复杂，且精确度不高，效率也低，不适合大规模的生产加工。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种一种光学器件的芯片焊接状态检测方法，解决现有的检测方式需要采用各种，以获取不同有用的数据，过程复杂，且精确度不高，效率也低，不适合大规模的生产加工的问题。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种光学器件的芯片焊接状态检测方法，光学器件包括壳体、电路板和芯片，所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括：步骤S10、记录芯片的第一波长；步骤S20、将芯片和电路板焊接，且电路板固设在壳体上，形成光学器件，并获取光学器件的第二波长；步骤S30、将第一波长和第二波长进行数据，通过数值差异评估芯片焊接状态。其中，较佳方案是：所述步骤S30的具体步骤包括：步骤S31、将第一波长与第二波长进行数值比较；步骤S32、若第一波长不小于第二波长，确定芯片焊接状态为正常状态，并给予通过。其中，较佳方案是：所述步骤S30的具体步骤还包括：步骤S33、若第一波长小于第二波长，确定芯片焊接状态为异常状态，并不给予通过。其中，较佳方案是：所述步骤S30的具体步骤还包括：步骤S341、设置光学器件的结温与波长变化的关系公式；步骤S342、在第一波长小于第二波长时获取两者的波长差值，根据关系公式获取，结合波长差值获取当前光学器件的结温数据。其中，较佳方案是：所述关系公式为每1摄氏度温度变化产生0.3至0.35nm的波长变化。其中，较佳方案是：所述芯片和电路板经过回流焊进行焊接，所述电路板与壳体通过粘接方式进行固设；其中，在光学器件工作过程中，所述壳体为芯片或电路板导热。其中，较佳方案是：在步骤S20中，通过温度循环检测，获取光学器件的第二波长。其中，较佳方案是：步骤S10中，通过芯片的通用设置数据确定第一波长并记录；或者，对芯片进行仿真模拟获取实际第一波长并记录。其中，较佳方案是：所述光学器件为多模泵器件，所述芯片为多模泵光芯片。本专利技术的有益效果在于，与现有技术相比，本专利技术通过分别获取芯片正常工作的第一波长和合成光学器件后工作的实际第二波长，通过判断第一波长和第二波长的数据比较，从而通过数值差异评估芯片焊接状态，反映光学器件装配工艺的好坏，从而判断光学器件的优良程度，如合格或失败。附图说明下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中：图1是本专利技术芯片焊接状态检测方法的流程示意图；图2是本专利技术光学器件的结构示意图；图3是本专利技术通过数值差异评估芯片焊接状态的流程示意图；图4是本专利技术结温数据获取的流程示意图。具体实施方式现结合附图，对本专利技术的较佳实施例作详细说明。如图1和图2所示，本专利技术提供芯片焊接状态检测方法的优选实施例。一种光学器件的芯片焊接状态检测方法，光学器件包括壳体100、电路板200和芯片300，所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括：步骤S10、记录芯片300的第一波长；步骤S20、将芯片300和电路板200焊接，且电路板200固设在壳体100上，形成光学器件，并获取光学器件的第二波长；步骤S30、将第一波长和第二波长进行数据，通过数值差异评估芯片300焊接状态。具体地，在光学器件生产过程中，光学器件测试的各项参数，如光功率、波长、数值孔径、转换效率等，各项参数都可从光学器件的不同层面所对应状态反映得到，得到大概或详细的光学器件状态。特别是，从波长参数的角度而言，波长变化主要与光学器件或芯片300的温度相关，即芯片300或光学器件在实际工作工程中热量传递是否到位对波长具有较大影响。故此，利用波长与温度的对应关系，可通过波长数据来检验光学器件的可靠性，如光学器件的导热效率，温度是否会容易产生异常的情况，而光学器件的导热效率往往与电路板200与壳体100的接触是否符合标准，前提是不考虑芯片300上设置有导热件。因此，认定一前置条件，芯片300正常工作或光学器件的装配工艺符合要求达到可使用标准，芯片300的波长必然大于光学器件的波长；可根据波长参数的变化判定焊接和固定的好坏或变化。即通过步骤S10和步骤S20分别获取芯片300正常工作的第一波长和合成光学器件后工作的实际第二波长，通过判断第一波长和第二波长的数据比较，从而通过数值差异评估芯片300焊接状态，反映光学器件装配工艺的好坏，从而判断光学器件的优良程度，如合格或失败。在本实施例中，步骤S10中的第一波长可通过至少两个方案得到。方案一、通过芯片300的通用设置数据确定第一波长并记录。具体地，默认芯片300的质量过关，或者已经被认可，其波长数据也能够稳定输出，在对应的外部元器件电路设计或软件配套情况下，可以稳定输出第一波长的光信号，即记录所述第一波长作为步骤S30的计算数值。方案二、对芯片300进行仿真模拟获取实际第一波长并记录。具体地，当然，若认为方案一中的芯片300可能存在瑕疵或需要更精确的检测手段，可以将芯片300在仿真模拟装置中，模拟真实的工作环境，对芯片300进行上电工作并发出光信号，将稳定的光信号的波长作为第一波长并记录，而仿真模拟装置的仿真模拟环境可包括芯片300的外围电路设计，芯片300的工作方式设计，芯片300的工作环境参数调节，高精度高效的芯片300波长检测等。在本实施例中，步骤S20中的第二波长可通过通过温度循环检测获取。温度循环作为自然环境的模拟，可以考核产品在不同环境条件下的适应能力，常用于产品在开发阶段的型式试验、元器件的筛选试验。其中，温度循环的技术指标包括：高温温度、高温保持时间、下降速率、低温温度、低温保持时间、上升速率、循环次数；当然，可通过专用设备实现对应的温度循环检测，实现高效快捷获取光学器件的第二波长。其中，为了体现上述检测的精确性和稳定性，可以进行多次检测以获取各数据的变化程度，设置对应的变化程度数值，当大于所述变化程度数值认为光学器件不稳定。在本实施例中，参考图2，提供光学器件的具体装配结构及其装配工艺。关于装配结构，芯片300通过焊接固定在电路板200，形成芯片300及其外围电路，以便可以稳定驱动芯片300工作以获取产生稳定精确的光信号；同时，将芯片300和电路板200结合后的电路模组固定在壳体100中，壳体100即可作为电路模组的保护，也可作为电路模组的导热器件，快速将电路模组所产生的热量传导到外，优选为芯片300自身所产生的大量热量，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学器件的芯片焊接状态检测方法，光学器件包括壳体、电路板和芯片，其特征在于，所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括：/n步骤S10、记录芯片的第一波长；/n步骤S20、将芯片和电路板焊接，且电路板固设在壳体上，形成光学器件，并获取光学器件的第二波长；/n步骤S30、将第一波长和第二波长进行数据，通过数值差异评估芯片焊接状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学器件的芯片焊接状态检测方法，光学器件包括壳体、电路板和芯片，其特征在于，所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括：
步骤S10、记录芯片的第一波长；
步骤S20、将芯片和电路板焊接，且电路板固设在壳体上，形成光学器件，并获取光学器件的第二波长；
步骤S30、将第一波长和第二波长进行数据，通过数值差异评估芯片焊接状态。


2.根据权利要求1所述的芯片焊接状态检测方法，其特征在于，所述步骤S30的具体步骤包括：
步骤S31、将第一波长与第二波长进行数值比较；
步骤S32、若第一波长不小于第二波长，确定芯片焊接状态为正常状态，并给予通过。


3.根据权利要求2所述的芯片焊接状态检测方法，其特征在于，所述步骤S30的具体步骤还包括：
步骤S33、若第一波长小于第二波长，确定芯片焊接状态为异常状态，并不给予通过。


4.根据权利要求3所述的芯片焊接状态检测方法，其特征在于，所述步骤S30的具体步骤还包括：
步骤S341、设置光学器件的结温与波长变化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴仁宝，
申请(专利权)人：昂纳信息技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44