【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】将漏电器装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法，以及并入有漏电器装置的电容器配置相关专利数据本专利主张2019年1月23日申请的第16/255,569号美国专利申请的优先权，所述专利申请的公开内容以引用的方式并入本文中。
将漏电器装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法，以及并入有漏电器装置的电容器配置。
技术介绍
计算机和其它电子系统(例如，数字电视、数码相机、蜂窝式电话等)通常具有一或多个存储器装置以存储信息。逐渐地，存储器装置的大小得到减小以实现更高密度的存储容量。即使当实现了增大的密度时，消费者通常要求存储器装置也使用较少功率同时维持存储在存储器装置上的数据的高速存取和可靠性。存储器单元内的电荷累积可以是成问题的，其原因至少在于这可能使得难以可靠地存储数据。随着电路系统被缩放到越来越小的尺寸，电荷累积可能变为越来越难以控制的。所期望的是研发出缓解或甚至防止不期望的电荷累积的架构；并且研发出用于制造此类架构的方法。附图说明图1是在用于形成实例集成结构...
【技术保护点】
1.一种集成组合件，其包括：/n第一电极，其具有顶部表面以及从所述顶部表面向下延伸的侧壁表面；所述第一电极是实心柱；/n绝缘材料，其沿着所述第一电极的所述侧壁表面；/n第二电极，其沿着所述第一电极的所述侧壁表面延伸并且通过所述绝缘材料与所述侧壁表面间隔开；/n导电板材料，其延伸跨越所述第一电极以及所述第二电极，并且将所述第二电极耦合到彼此；以及/n漏电器装置，其将所述第一电极电耦合到所述导电板材料并且经配置以将过量电荷中的至少一部分从所述第一电极释放到所述导电板材料。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190123 US 16/255,5691.一种集成组合件，其包括：
第一电极，其具有顶部表面以及从所述顶部表面向下延伸的侧壁表面；所述第一电极是实心柱；
绝缘材料，其沿着所述第一电极的所述侧壁表面；
第二电极，其沿着所述第一电极的所述侧壁表面延伸并且通过所述绝缘材料与所述侧壁表面间隔开；
导电板材料，其延伸跨越所述第一电极以及所述第二电极，并且将所述第二电极耦合到彼此；以及
漏电器装置，其将所述第一电极电耦合到所述导电板材料并且经配置以将过量电荷中的至少一部分从所述第一电极释放到所述导电板材料。
2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置从所述第一电极的所述顶部表面延伸到所述导电板材料。
3.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述漏电器装置是沿着所述第一电极的所述顶部表面延伸的水平延长结构。
4.根据权利要求2所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包含从所述第一电极的所述顶部表面向上延伸的竖直延长结构。
5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述第一电极、绝缘材料、第二电极以及漏电器装置一起包括电容器；并且其中所述电容器中的每一个由存储器阵列的存储器单元构成。
6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括Ti、Ni和Nb中的一或多个以及Ge、Si、O、N和C中的一或多个。
7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括Si、Ge、SiN、TiSiN、TiO、TiN、NiO、NiON和TiON中的一或多个；其中化学式指示主要组分而非特定化学计量。
8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括钛、氧和氮。
9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。
10.一种集成组合件，其包括：
第一电极，其彼此水平地间隔开，并且经配置为竖直延伸柱；所述竖直延伸柱中的每一个具有沿着截面的侧壁表面，具有底部表面，并且具有顶部表面，其中所述侧壁表面从所述底部表面延伸到所述顶部表面；
绝缘材料，其沿着所述竖直延伸柱的所述侧壁表面；
第二电极，其横向处于所述竖直延伸柱之间并且通过所述绝缘材料与所述侧壁表面间隔开；
导电板材料，其延伸跨越所述第一电极以及所述第二电极，并且将所述第二电极耦合到彼此；以及
漏电器装置，其从所述竖直延伸柱的所述顶部表面延伸到所述导电板材料；所述漏电器装置经配置以将过量电荷中的至少一部分从所述第一电极释放到所述导电板材料。
11.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述漏电器装置是沿着所述竖直延伸柱的所述顶部表面延伸的水平延长结构。
12.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包含从所述竖直延伸柱的所述顶部表面向上延伸的竖直延长结构。
13.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述第一电极、绝缘材料、第二电极以及漏电器装置一起包括电容器；并且其中所述电容器中的每一个由存储器阵列的存储器单元构成。
14.根据权利要求13所述的集成组合件，其中所述第一电极中的每一个的所述底部表面沿着与存取晶体管耦合的导电接触件。
15.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括Ti、Ni和Nb中的一或多个以及Ge、Si、O、N和C中的一或多个。
16.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括Si、Ge、SiN、TiSiN、TiO、TiN、NiO、NiON和TiON中的一或多个；其中化学式指示主要组分而非特定化学计量。
17.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述漏电器装置包括钛、氧和氮。
18.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述绝缘材料是铁电绝缘材料。
19.根据权利要求10所述的集成组合件，其中所述竖直延伸柱由晶格结构的水平横杆横向地支撑；并且其中所述水平横杆在相邻竖直延伸柱的侧壁表面之间延伸。
20.根据权利要求19所述的集成组合件，其中所述水平横杆具有上表面；其中所述漏电器装置具...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·卡德罗尼，B·R·曲克，D·V·N·拉马斯瓦米，A·A·恰范，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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