SiC外延生长装置制造方法及图纸

一实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过工艺气体来成膜的基板；配管，其将含有伴随基板的成膜而生成的副产物的气体从腔室排出；和压力控制用的阀，其设置于配管的中途。阀具有：气体从将腔室与阀连通的配管的上游部分流入的流入口、和使气体朝经由阀而与上游部分连通的配管的下游部分流出的流出口。至少在比流入口低的位置设置上游部分的一部分，或在比流出口低的位置设置下游部分的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC外延生长装置
本专利技术的实施方式涉及一种SiC外延生长装置。
技术介绍
作为使薄膜在宽面积的单晶基板上均匀地成膜的外延生长装置的一种，有SiC外延生长装置。SiC外延生长装置利用含有硅(Si)、碳(C)等的工艺气体使SiC单晶薄膜在基板上成膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-222148号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题SiC外延生长装置将伴随SiC的成膜所生成的副产物排出。副产物一般具有爆炸的危险性，特别是在成膜气体中含有氯时，生成具有流动性的副产物，在除去时特别需要考虑到安全。已知此种副产物在排气路径中在压力控制用的阀附近、即压力变动的位置会液化。而且，液化了的副产物的粘度比较高，因此容易残留于阀中。因此，要求高频率的阀的更换、清洁。本专利技术的实施方式提供一种伴随SiC的外延生长的副产物难以残留于设置在排出路径的中途的阀，可减少阀的更换、清洁频率的SiC外延生长装置。用于解决问题的手段一实施方式涉及的SiC外延成膜装置具备本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC外延生长装置，其具备：/n腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过所述工艺气体来进行外延生长的基板；/n配管，其将含有伴随在所述基板上的外延生长而生成的副产物的气体从所述腔室排出；和/n压力控制用的阀，其设置于所述配管的中途；/n所述阀具有：所述气体从将所述腔室与所述阀连通的所述配管的上游部分流入的流入口、和使所述气体朝经由所述阀而与所述上游部分连通的所述配管的下游部分流出的流出口，至少在比所述流入口低的位置设置所述上游部分的一部分，或在比所述流出口低的位置设置所述下游部分的一部分。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190415 JP 2019-0772041.一种SiC外延生长装置，其具备：
腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过所述工艺气体来进行外延生长的基板；
配管，其将含有伴随在所述基板上的外延生长而生成的副产物的气体从所述腔室排出；和
压力控制用的阀，其设置于所述配管的中途；
所述阀具有：所述气体从将所述腔室与所述阀连通的所述配管的上游部分流入的流入口、和使所述气体朝经由所述阀而与所述上游部分连通的所述配管的下游部分流出的流出口，至少在比所述流入口低的位置设置所述上游部分的一部分，或在比所述流出口低的位置设置所述下游部分的一部分。


2.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，其中，所述工艺气体含有氯。


3.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，其中，至少所述流入口及所述流出口中的任一者与向下的配管连通。


4.根据权利要求1所述的SiC外延生长装置，其中，至少与所述流入口及流出口中的任一者连通的所述配管具有水平部分，所述水平部分的长度为所述水平部...

【专利技术属性】
技术研发人员：水岛一郎，醍醐佳明，森山义和，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP