温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过工艺气体来成膜的基板；配管，其将含有伴随基板的成膜而生成的副产物的气体从腔室排出；和压力控制用的阀，其设置于配管的中途。阀具有：气体从将腔室与阀...
该专利属于纽富来科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纽富来科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。