一种进气装置及化学气相沉积设备制造方法及图纸

本公开提供了一种进气装置，该进气装置包括：送气结构、缓冲气室、调节装置、出气板、气流挡板和外壳；送气结构与外壳相连接；出气板与外壳相连接，形成缓冲气室；气流挡板位于缓冲气室内，气流挡板的中心与送气结构的中心重合；气流挡板与调节装置相连接；调节装置控制气流挡板沿进气方向往复移动；出气板上包括若干出气孔。本公开通过在送气口设置气流挡板，与缓冲气室配合，可有效减轻气体流速不均匀性，同时，出气板的均匀开孔可以确保后续气流整体流速、流量均匀性较好。且单间缓冲气室与单层出气板可有效降低装置总体结构复杂度、降低送气结构内部压力、提高整体气密性。

【技术实现步骤摘要】
一种进气装置及化学气相沉积设备
本公开涉及化学气相沉积进气领域，尤其涉及一种进气装置及包括该进气装置的化学气相沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition)技术是一种被广泛应用于半导体制备领域的技术，其将单一或多种气源通入反应腔内，在合适的物化条件下在衬底表面生长或沉积单晶或多晶薄膜。近年来，随着第三代半导体材料尤其是大尺寸单晶碳化硅(SiC)的发展，大尺寸、厚膜的SiC晶片对可进行大流量、高质量、高速度外延生长的化学气相沉积设备提出了要求。这其中，随着气体流量的增加、气源的变化，传统进气结构的湍流、不均匀性对生长质量的影响已经严重到不可忽视的程度，更无法适应不同外延速度、不同气源下的复杂工况。传统化学气相沉积设备中进气装置通常采用设置缓冲气室以平缓气流，但无法解决中心流速与边缘处相差较大的问题；采用不均匀出气板可以均匀流速但无法均匀流量；采用多层缓冲会导致送气结构压力过大，无法实现大流量。公开内容(一)要解决的技术问题针对现有技术的上述不足，本公开的主要目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：送气结构(100)、缓冲气室(200)、调节装置(300)、出气板(400)、气流挡板(500)和外壳(600)；/n所述送气结构(100)与所述外壳(600)相连接；/n所述出气板(400)与所述外壳(600)相连接，形成缓冲气室(200)；/n所述气流挡板(500)位于所述缓冲气室(200)内，所述气流挡板(500)的中心与所述送气结构(100)的中心重合；/n所述气流挡板(500)与所述调节装置(300)相连接；/n所述调节装置(300)控制所述气流挡板(500)沿进气方向往复移动；/n所述出气板(400)上包括若干出气孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种进气装置，其特征在于，包括：送气结构(100)、缓冲气室(200)、调节装置(300)、出气板(400)、气流挡板(500)和外壳(600)；
所述送气结构(100)与所述外壳(600)相连接；
所述出气板(400)与所述外壳(600)相连接，形成缓冲气室(200)；
所述气流挡板(500)位于所述缓冲气室(200)内，所述气流挡板(500)的中心与所述送气结构(100)的中心重合；
所述气流挡板(500)与所述调节装置(300)相连接；
所述调节装置(300)控制所述气流挡板(500)沿进气方向往复移动；
所述出气板(400)上包括若干出气孔。


2.根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，
所述外壳(600)内壁上设置有导轨凹槽(201)；
所述气流挡板(500)包括导轨(501)，所述导轨(501)和所述导轨凹槽(201)相配合，所述气流挡板(500)可沿所述导轨凹槽(201)移动。


3.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述导轨凹槽(201)和所述送气结构(100)相互平行；
所述导轨(501)和所述导轨凹槽(201)相互平行；
所述导轨(501)和所述气流挡板(500)相互垂直。


4.根据权利要求2所述的进气装置，其特征在于，所述调节装置(300)控制所述气流挡板(500)沿进气方向往复移动，具体包括：
所述调节装置(300)根据气体流量、气体种类、所述气流挡...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪久龙，赵思齐，申占伟，闫果果，赵万顺，王雷，刘兴昉，孙国胜，曾一平，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11